Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа временной зависимости динамического теплового импеданса, полученной...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51712 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром / А.С. Турцевич, И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, О.С. Васьков, В.К. Кононенко, В.С. Нисс, А.Ф. Керенце // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 44-47. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862713616441016320 |
|---|---|
| author | Турцевич, А.С. Рубцевич, И.И. Соловьев, Я.А. Васьков, О.С. Кононенко, В.К. Нисс, В.С. Керенце, А.Ф. |
| author_facet | Турцевич, А.С. Рубцевич, И.И. Соловьев, Я.А. Васьков, О.С. Кононенко, В.К. Нисс, В.С. Керенце, А.Ф. |
| citation_txt | Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром / А.С. Турцевич, И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, О.С. Васьков, В.К. Кононенко, В.С. Нисс, А.Ф. Керенце // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 44-47. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа временной зависимости динамического теплового импеданса, полученной новым не разрушающим методом дифференциальной спектроскопии. Представлена зависимость внутреннего теплового сопротивления компонентов транзисторной структуры от постоянной времени тепловой релаксации.
Досліджено диференціальні профілі розподілу теплового опору «перехід — корпус» транзисторів КП723Г залежно від умов монтажу кристалів у корпус. Спектри теплового опору розраховувалися через аналіз часової залежності динамічного теплового імпедансу, який отримано новим неруйнівним методом диференціальної спектроскопії. Наведено залежність внутрішнього теплового опору компонентів транзисторної структури від сталої часу теплової релаксації.
Differential distribution profiles of the thermal «junction-to-case» resistance of KP723G transistors in accordance with the attachment of the crystals into the package have been investigated. Spectra of thermal resistances were calculated from the analysis of the temporal dependence of the dynamic thermal impedance obtained by a new non-destructive method of differential spectroscopy. The dependence of internal thermal resistance of transistor structure components on the thermal relaxation time constant is presented.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:45:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51712 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:45:04Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Турцевич, А.С. Рубцевич, И.И. Соловьев, Я.А. Васьков, О.С. Кононенко, В.К. Нисс, В.С. Керенце, А.Ф. 2013-12-07T01:26:58Z 2013-12-07T01:26:58Z 2012 Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром / А.С. Турцевич, И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, О.С. Васьков, В.К. Кононенко, В.С. Нисс, А.Ф. Керенце // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 44-47. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51712 621.382:535.376 Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа временной зависимости динамического теплового импеданса, полученной новым не разрушающим методом дифференциальной спектроскопии. Представлена зависимость внутреннего теплового сопротивления компонентов транзисторной структуры от постоянной времени тепловой релаксации. Досліджено диференціальні профілі розподілу теплового опору «перехід — корпус» транзисторів КП723Г залежно від умов монтажу кристалів у корпус. Спектри теплового опору розраховувалися через аналіз часової залежності динамічного теплового імпедансу, який отримано новим неруйнівним методом диференціальної спектроскопії. Наведено залежність внутрішнього теплового опору компонентів транзисторної структури від сталої часу теплової релаксації. Differential distribution profiles of the thermal «junction-to-case» resistance of KP723G transistors in accordance with the attachment of the crystals into the package have been investigated. Spectra of thermal resistances were calculated from the analysis of the temporal dependence of the dynamic thermal impedance obtained by a new non-destructive method of differential spectroscopy. The dependence of internal thermal resistance of transistor structure components on the thermal relaxation time constant is presented. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром Дослідження якості паяння кристалів потужних транзисторів релаксаційним імпеданс-спекгрометром The investigation of quality of power-transistor crystals soldering by a transient impedance-spectrometer Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром Турцевич, А.С. Рубцевич, И.И. Соловьев, Я.А. Васьков, О.С. Кононенко, В.К. Нисс, В.С. Керенце, А.Ф. Технологические процессы и оборудование |
| title | Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром |
| title_alt | Дослідження якості паяння кристалів потужних транзисторів релаксаційним імпеданс-спекгрометром The investigation of quality of power-transistor crystals soldering by a transient impedance-spectrometer |
| title_full | Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром |
| title_fullStr | Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром |
| title_full_unstemmed | Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром |
| title_short | Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром |
| title_sort | исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51712 |
| work_keys_str_mv | AT turcevičas issledovaniekačestvapaikikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom AT rubcevičii issledovaniekačestvapaikikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom AT solovʹevâa issledovaniekačestvapaikikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom AT vasʹkovos issledovaniekačestvapaikikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom AT kononenkovk issledovaniekačestvapaikikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom AT nissvs issledovaniekačestvapaikikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom AT kerenceaf issledovaniekačestvapaikikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom AT turcevičas doslídžennââkostípaânnâkristalívpotužnihtranzistorívrelaksacíinimímpedansspekgrometrom AT rubcevičii doslídžennââkostípaânnâkristalívpotužnihtranzistorívrelaksacíinimímpedansspekgrometrom AT solovʹevâa doslídžennââkostípaânnâkristalívpotužnihtranzistorívrelaksacíinimímpedansspekgrometrom AT vasʹkovos doslídžennââkostípaânnâkristalívpotužnihtranzistorívrelaksacíinimímpedansspekgrometrom AT kononenkovk doslídžennââkostípaânnâkristalívpotužnihtranzistorívrelaksacíinimímpedansspekgrometrom AT nissvs doslídžennââkostípaânnâkristalívpotužnihtranzistorívrelaksacíinimímpedansspekgrometrom AT kerenceaf doslídžennââkostípaânnâkristalívpotužnihtranzistorívrelaksacíinimímpedansspekgrometrom AT turcevičas theinvestigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer AT rubcevičii theinvestigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer AT solovʹevâa theinvestigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer AT vasʹkovos theinvestigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer AT kononenkovk theinvestigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer AT nissvs theinvestigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer AT kerenceaf theinvestigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer |