Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Турцевич, А.С., Рубцевич, И.И., Соловьев, Я.А., Васьков, О.С., Кононенко, В.К., Нисс, В.С., Керенце, А.Ф.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Schlagworte: Технологические процессы и оборудование
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51712
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром / А.С. Турцевич, И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, О.С. Васьков, В.К. Кононенко, В.С. Нисс, А.Ф. Керенце // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 44-47. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа временной зависимости динамического теплового импеданса, полученной...