Buchumschlag

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем

Разработана диффузионная модель жидкофазной эпитаксии двухслойной системы в условиях изменения скорости охлаждения раствора-расплава. Обнаружено, что после прекращения охлаждения переходный процесс продолжается, за счет чего продолжается и рост слоя. Этот эффект связан с предполагаемой инерционность...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Дранчук, С.Н., Завадский, В.А., Мокрицкий, В.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Schlagworte:	Технологические процессы и оборудование
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51713
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем / С.Н. Дранчук, В.А. Завадский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 48-51. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Ультразвуковая очистка оптико-механических систем
von: Томаль, В.С.
Veröffentlicht: (2007)

Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD
von: Глушко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
von: Пилипенко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Автоматизированная система регистрации циклов при вибрационных испытаниях образца
von: Усов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур
von: Макара, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Рафинирование Cd и Zn от примесей внедрения при дистилляции с геттерным фильтром ZrFe
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Подключающее МЭМС-устройство для контроля BGA-компонентов
von: Невлюдов, И.Ш., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
von: Будзуляк, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Источник магнитных полей сложной энергочастотной и поляризационной структуры
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Широкоапертурный высокочастотный источник ионов низкой энергии с электронной компенсацией
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Турцевич, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Измерительно-вычислительный комплекс СМ-100 для характеризации жидкокристаллических дисплеев
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Приборное обеспечение измерения параметров ультразвуковых воздействий в технологических процессах
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
von: Тыныныка, А.Н
Veröffentlicht: (2016)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Томашик, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)