Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
Исследовано влияние электронов с эффективной энергией 12 МэВ в диапазоне доз 0,33-33 Мрад на электрические и фотоэлектрические свойства фотодиодов со структурой "собственный оксид - p-InSe". Установлено, что минимальная доза облучения улучшает их основные параметры, а максимальная незначит...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51722 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами / О.Н. Сидор, О.А. Сидор, З.Д. Ковалюк, В.И. Дубинко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 29-33. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862714194183323648 |
|---|---|
| author | Сидор, О.Н. Сидор, О.А. Ковалюк, З.Д. Дубинко, В.И. |
| author_facet | Сидор, О.Н. Сидор, О.А. Ковалюк, З.Д. Дубинко, В.И. |
| citation_txt | Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами / О.Н. Сидор, О.А. Сидор, З.Д. Ковалюк, В.И. Дубинко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 29-33. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовано влияние электронов с эффективной энергией 12 МэВ в диапазоне доз 0,33-33 Мрад на электрические и фотоэлектрические свойства фотодиодов со структурой "собственный оксид - p-InSe". Установлено, что минимальная доза облучения улучшает их основные параметры, а максимальная незначительно снижает ток короткого замыкания и фоточувствительность приборов. При этом наблюдается рост вольт-ваттной чувствительности и минимальное увеличение коэффициента неидеальности вольт-амперной характеристики.
Досліджено вплив електронів з ефективною енергією 12 МеВ в діапазоні доз 0,33—33 Мрад на електричні та фотоелектричні властивості фотодіодів зі структурою «власний оксид — InSe». Встановлено, що мінімальна доза опромінення покращує їх основні параметри, а максимальна — незначно знижує струм короткого замикання і фоточутливість приладів. При цьому спостерігається зростання вольт-ватної чутливості і мінімальне збільшення коефіцієнта неідеальності вольт-амперної характеристики.
The article describes the research of the influence of electrons with an effective energy of 12 MeV in the 0,33—33 Mrad dose range on the electrical and photovoltaic properties of photodiodes with "intrinsic oxide — p-InSe" structure. It has been found that the minimum dose improves their basic parameters, while the maximum dose significantly reduces the short circuit current and devices photosensitivity. In this case, an increase in volt-watt sensitivity and a minimal increase in coupling coefficient of the I-V characteristic are observed.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:48:33Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51722 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:48:33Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сидор, О.Н. Сидор, О.А. Ковалюк, З.Д. Дубинко, В.И. 2013-12-07T14:52:14Z 2013-12-07T14:52:14Z 2012 Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами / О.Н. Сидор, О.А. Сидор, З.Д. Ковалюк, В.И. Дубинко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 29-33. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51722 621.315.292; 621.382.232 Исследовано влияние электронов с эффективной энергией 12 МэВ в диапазоне доз 0,33-33 Мрад на электрические и фотоэлектрические свойства фотодиодов со структурой "собственный оксид - p-InSe". Установлено, что минимальная доза облучения улучшает их основные параметры, а максимальная незначительно снижает ток короткого замыкания и фоточувствительность приборов. При этом наблюдается рост вольт-ваттной чувствительности и минимальное увеличение коэффициента неидеальности вольт-амперной характеристики. Досліджено вплив електронів з ефективною енергією 12 МеВ в діапазоні доз 0,33—33 Мрад на електричні та фотоелектричні властивості фотодіодів зі структурою «власний оксид — InSe». Встановлено, що мінімальна доза опромінення покращує їх основні параметри, а максимальна — незначно знижує струм короткого замикання і фоточутливість приладів. При цьому спостерігається зростання вольт-ватної чутливості і мінімальне збільшення коефіцієнта неідеальності вольт-амперної характеристики. The article describes the research of the influence of electrons with an effective energy of 12 MeV in the 0,33—33 Mrad dose range on the electrical and photovoltaic properties of photodiodes with "intrinsic oxide — p-InSe" structure. It has been found that the minimum dose improves their basic parameters, while the maximum dose significantly reduces the short circuit current and devices photosensitivity. In this case, an increase in volt-watt sensitivity and a minimal increase in coupling coefficient of the I-V characteristic are observed. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами Характеристики фотодіодів зі структурою «власний оксид — InSe», опромінених високоенергетичними електронами Characteristics of photodiodes with "intrinsic oxide—InSe" structure, irradiated with high-energy electrons Article published earlier |
| spellingShingle | Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами Сидор, О.Н. Сидор, О.А. Ковалюк, З.Д. Дубинко, В.И. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами |
| title_alt | Характеристики фотодіодів зі структурою «власний оксид — InSe», опромінених високоенергетичними електронами Characteristics of photodiodes with "intrinsic oxide—InSe" structure, irradiated with high-energy electrons |
| title_full | Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами |
| title_fullStr | Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами |
| title_full_unstemmed | Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами |
| title_short | Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами |
| title_sort | характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – inse», облученных высокоэнергетическими электронами |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51722 |
| work_keys_str_mv | AT sidoron harakteristikifotodiodovsostrukturoisobstvennyioksidinseoblučennyhvysokoénergetičeskimiélektronami AT sidoroa harakteristikifotodiodovsostrukturoisobstvennyioksidinseoblučennyhvysokoénergetičeskimiélektronami AT kovalûkzd harakteristikifotodiodovsostrukturoisobstvennyioksidinseoblučennyhvysokoénergetičeskimiélektronami AT dubinkovi harakteristikifotodiodovsostrukturoisobstvennyioksidinseoblučennyhvysokoénergetičeskimiélektronami AT sidoron harakteristikifotodíodívzístrukturoûvlasniioksidinseopromínenihvisokoenergetičnimielektronami AT sidoroa harakteristikifotodíodívzístrukturoûvlasniioksidinseopromínenihvisokoenergetičnimielektronami AT kovalûkzd harakteristikifotodíodívzístrukturoûvlasniioksidinseopromínenihvisokoenergetičnimielektronami AT dubinkovi harakteristikifotodíodívzístrukturoûvlasniioksidinseopromínenihvisokoenergetičnimielektronami AT sidoron characteristicsofphotodiodeswithintrinsicoxideinsestructureirradiatedwithhighenergyelectrons AT sidoroa characteristicsofphotodiodeswithintrinsicoxideinsestructureirradiatedwithhighenergyelectrons AT kovalûkzd characteristicsofphotodiodeswithintrinsicoxideinsestructureirradiatedwithhighenergyelectrons AT dubinkovi characteristicsofphotodiodeswithintrinsicoxideinsestructureirradiatedwithhighenergyelectrons |