Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2012
• Main Authors: Сидор, О.Н., Сидор, О.А., Ковалюк, З.Д., Дубинко, В.И.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Subjects: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51722
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами / О.Н. Сидор, О.А. Сидор, З.Д. Ковалюк, В.И. Дубинко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 29-33. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Исследовано влияние электронов с эффективной энергией 12 МэВ в диапазоне доз 0,33-33 Мрад на электрические и фотоэлектрические свойства фотодиодов со структурой "собственный оксид - p-InSe". Установлено, что минимальная доза облучения улучшает их основные параметры, а максимальная незначит...