Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2012
• Main Authors: Наливайко, О.Ю., Турцевич, А.С.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Subjects: Технологические процессы и оборудование
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51723
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 34-39. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Исследовано влияние режимов осаждения нитрида кремния на параметры полученных пленок. Установлено, что с уменьшением температуры осаждения скорость осаждения пленок нитрида кремния уменьшается, при этом повышается однородность толщины пленки по пластине. Это позволяет воспроизводимо осаждать пленки нитрида кремния толщиной менее 10 нм. Установлено, что с целью уменьшения глубины прокисления нитрида кремния окисление целесообразно проводить при температуре 850—900°С. Разработанный процесс осаждения нитрида кремния позволил получить накопительные конденсаторы с удельной емкостью 3,8— 3,9 фФ/мкм² при толщине пленки 7,0 нм. Досліджено вплив режимів осадження нітриду кремнію на параметри отриманих плівок. Встановлено, що зі зменшенням температури осадження швидкість осадження плівок нітриду кремнію зменшується, при цьому підвищується однорідність товщини плівки по пластині. Це дозволяє відтворювано осаджувати плівки нітриду кремнію товщиною менш ніж 10 нм. Встановлено, що з метою зменшення глибини прокиснення нітриду кремнію окиснення доцільно проводити при температурах 850—900°С. Розроблений процес осадження нітриду кремнію дозволив отримати накопичувальні конденсатори з питомою ємністю 3,8 —3,9 фФ/мкм² при товщині плівки 7,0 нм. The influence of silicon nitride deposition condition on parameters of the obtained films has been investigated. It has been found that the deposition rate of silicon nitride films decreases with deposition temperature decreasing, and at the same time the within wafer thickness uniformity improves. It allows performing the reproducible deposition of silicon nitride films with thickness of less than 10 nm. It has been found that in order to decrease the oxidation depth of silicon nitride, it is appropriate to carry out the oxidation under 850—900°C. The developed process of silicon nitride deposition made it possible to obtain reservoir capacitors with specific capacitance of 3,8— 3,9 fF/μm² at film thickness of 7,0 nm.