Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
Исследовано влияние режимов осаждения нитрида кремния на параметры полученных пленок. Установлено, что с уменьшением температуры осаждения скорость осаждения пленок нитрида кремния уменьшается, при этом повышается однородность толщины пленки по пластине. Это позволяет воспроизводимо осаждать пленки...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51723 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 34-39. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862722796331728896 |
|---|---|
| author | Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. |
| author_facet | Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. |
| citation_txt | Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 34-39. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовано влияние режимов осаждения нитрида кремния на параметры полученных пленок. Установлено, что с уменьшением температуры осаждения скорость осаждения пленок нитрида кремния уменьшается, при этом повышается однородность толщины пленки по пластине. Это позволяет воспроизводимо осаждать пленки нитрида кремния толщиной менее 10 нм. Установлено, что с целью уменьшения глубины прокисления нитрида кремния окисление целесообразно проводить при температуре 850—900°С. Разработанный процесс осаждения нитрида кремния позволил получить накопительные конденсаторы с удельной емкостью 3,8— 3,9 фФ/мкм² при толщине пленки 7,0 нм.
Досліджено вплив режимів осадження нітриду кремнію на параметри отриманих плівок. Встановлено, що зі зменшенням температури осадження швидкість осадження плівок нітриду кремнію зменшується, при цьому підвищується однорідність товщини плівки по пластині. Це дозволяє відтворювано осаджувати плівки нітриду кремнію товщиною менш ніж 10 нм. Встановлено, що з метою зменшення глибини прокиснення нітриду кремнію окиснення доцільно проводити при температурах 850—900°С. Розроблений процес осадження нітриду кремнію дозволив отримати накопичувальні конденсатори з питомою ємністю 3,8 —3,9 фФ/мкм² при товщині плівки 7,0 нм.
The influence of silicon nitride deposition condition on parameters of the obtained films has been investigated. It has been found that the deposition rate of silicon nitride films decreases with deposition temperature decreasing, and at the same time the within wafer thickness uniformity improves. It allows performing the reproducible deposition of silicon nitride films with thickness of less than 10 nm. It has been found that in order to decrease the oxidation depth of silicon nitride, it is appropriate to carry out the oxidation under 850—900°C. The developed process of silicon nitride deposition made it possible to obtain reservoir capacitors with specific capacitance of 3,8— 3,9 fF/μm² at film thickness of 7,0 nm.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:37:44Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51723 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:37:44Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. 2013-12-07T14:55:04Z 2013-12-07T14:55:04Z 2012 Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 34-39. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51723 621.382.002 Исследовано влияние режимов осаждения нитрида кремния на параметры полученных пленок. Установлено, что с уменьшением температуры осаждения скорость осаждения пленок нитрида кремния уменьшается, при этом повышается однородность толщины пленки по пластине. Это позволяет воспроизводимо осаждать пленки нитрида кремния толщиной менее 10 нм. Установлено, что с целью уменьшения глубины прокисления нитрида кремния окисление целесообразно проводить при температуре 850—900°С. Разработанный процесс осаждения нитрида кремния позволил получить накопительные конденсаторы с удельной емкостью 3,8— 3,9 фФ/мкм² при толщине пленки 7,0 нм. Досліджено вплив режимів осадження нітриду кремнію на параметри отриманих плівок. Встановлено, що зі зменшенням температури осадження швидкість осадження плівок нітриду кремнію зменшується, при цьому підвищується однорідність товщини плівки по пластині. Це дозволяє відтворювано осаджувати плівки нітриду кремнію товщиною менш ніж 10 нм. Встановлено, що з метою зменшення глибини прокиснення нітриду кремнію окиснення доцільно проводити при температурах 850—900°С. Розроблений процес осадження нітриду кремнію дозволив отримати накопичувальні конденсатори з питомою ємністю 3,8 —3,9 фФ/мкм² при товщині плівки 7,0 нм. The influence of silicon nitride deposition condition on parameters of the obtained films has been investigated. It has been found that the deposition rate of silicon nitride films decreases with deposition temperature decreasing, and at the same time the within wafer thickness uniformity improves. It allows performing the reproducible deposition of silicon nitride films with thickness of less than 10 nm. It has been found that in order to decrease the oxidation depth of silicon nitride, it is appropriate to carry out the oxidation under 850—900°C. The developed process of silicon nitride deposition made it possible to obtain reservoir capacitors with specific capacitance of 3,8— 3,9 fF/μm² at film thickness of 7,0 nm. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм Одержання тонких плівок при зниженому тиску на пластинах діаметром до 200 мм The deposition of silicon nitride films under low pressure on wafers up to 200 mm Article published earlier |
| spellingShingle | Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. Технологические процессы и оборудование |
| title | Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм |
| title_alt | Одержання тонких плівок при зниженому тиску на пластинах діаметром до 200 мм The deposition of silicon nitride films under low pressure on wafers up to 200 mm |
| title_full | Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм |
| title_fullStr | Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм |
| title_full_unstemmed | Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм |
| title_short | Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм |
| title_sort | получение тонких пленок si₃n₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51723 |
| work_keys_str_mv | AT nalivaikooû polučenietonkihplenoksi3n4priponižennomdavleniinaplastinahdiametromdo200mm AT turcevičas polučenietonkihplenoksi3n4priponižennomdavleniinaplastinahdiametromdo200mm AT nalivaikooû oderžannâtonkihplívokprizniženomutiskunaplastinahdíametromdo200mm AT turcevičas oderžannâtonkihplívokprizniženomutiskunaplastinahdíametromdo200mm AT nalivaikooû thedepositionofsiliconnitridefilmsunderlowpressureonwafersupto200mm AT turcevičas thedepositionofsiliconnitridefilmsunderlowpressureonwafersupto200mm |