Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
Исследовано влияние режимов осаждения нитрида кремния на параметры полученных пленок. Установлено, что с уменьшением температуры осаждения скорость осаждения пленок нитрида кремния уменьшается, при этом повышается однородность толщины пленки по пластине. Это позволяет воспроизводимо осаждать пленки...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | Наливайко, О.Ю., Турцевич, А.С. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51723 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 34-39. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
von: Панфилов, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Панфилов, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Получение соединений повышенной плотности термозвуковой микросваркой в 3D интегральных микросхемах
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Турцевич, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Турцевич, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники
von: Одиноков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Одиноков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Технологии изготовления фотонных кристаллов
von: Березянский, Б.М.
Veröffentlicht: (2007)
von: Березянский, Б.М.
Veröffentlicht: (2007)
Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
von: Лесюк, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Лесюк, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
von: Крапивко, Г.И.
Veröffentlicht: (2005)
von: Крапивко, Г.И.
Veröffentlicht: (2005)
Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
von: Борисенко, А.Г.
Veröffentlicht: (2013)
von: Борисенко, А.Г.
Veröffentlicht: (2013)
Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
von: Litvinenko, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Litvinenko, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Информационные параметры для реализации адаптивной зарядки вторичных химических источников тока
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Исследование линейной корреляционной связи в парных выборках малого объема
von: Попукайло, В.С.
Veröffentlicht: (2016)
von: Попукайло, В.С.
Veröffentlicht: (2016)
Монтаж микросборок с подложкой из кремния
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005)
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005)
Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Приборное обеспечение измерения параметров ультразвуковых воздействий в технологических процессах
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
von: Головко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Головко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ähnliche Einträge
-
Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
von: Панфилов, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)