Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
Исследовано влияние режимов осаждения нитрида кремния на параметры полученных пленок. Установлено, что с уменьшением температуры осаждения скорость осаждения пленок нитрида кремния уменьшается, при этом повышается однородность толщины пленки по пластине. Это позволяет воспроизводимо осаждать пленки...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | Наливайко, О.Ю., Турцевич, А.С. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51723 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 34-39. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2012)
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Турцевич, А.С.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Турцевич, А.С.
Опубліковано: (2008)
Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
за авторством: Панфилов, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Панфилов, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
за авторством: Рогов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Рогов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)
Получение высокочистых гранулированных металлов: кадмия, цинка, свинца
за авторством: Щербань, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Щербань, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2007)
Направленная кристаллизация силицидных пленок на кремниевой подложке
за авторством: Белоусов, И.В.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Белоусов, И.В.
Опубліковано: (2007)
Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2005)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
Получение соединений повышенной плотности термозвуковой микросваркой в 3D интегральных микросхемах
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2014)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
за авторством: Ткачук, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ткачук, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления
за авторством: Костин, Е.Г., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Костин, Е.Г., та інші
Опубліковано: (2008)
Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
за авторством: Гладковский, В.В., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Гладковский, В.В., та інші
Опубліковано: (2014)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
за авторством: Пилипенко, В.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Пилипенко, В.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Турцевич, А.С., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Турцевич, А.С., та інші
Опубліковано: (2012)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
за авторством: Голишников, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Голишников, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
за авторством: Рудякова, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Рудякова, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование линейной корреляционной связи в парных выборках малого объема
за авторством: Попукайло, В.С.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Попукайло, В.С.
Опубліковано: (2016)
Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
за авторством: Тыныныка, А.Н
Опубліковано: (2016)
за авторством: Тыныныка, А.Н
Опубліковано: (2016)
Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
за авторством: Головко, М.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Головко, М.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Технология и оборудование для обработки алмазных материалов современной электроники
за авторством: Митягин, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Митягин, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)
СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
за авторством: Григорьянц, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Григорьянц, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Влияние легирующих добавок на теплостойкость и теплопередачу никелевых покрытий корпусов ИС
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2008)
Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники
за авторством: Одиноков, В.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Одиноков, В.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
за авторством: Лесюк, Р.И., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Лесюк, Р.И., та інші
Опубліковано: (2010)
Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)
Технологии изготовления фотонных кристаллов
за авторством: Березянский, Б.М.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Березянский, Б.М.
Опубліковано: (2007)
Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
за авторством: Шангереева, Б.А.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Шангереева, Б.А.
Опубліковано: (2008)
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Федорович, О.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Федорович, О.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Схожі ресурси
-
Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2012) -
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012) -
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2014) -
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Турцевич, А.С.
Опубліковано: (2008) -
Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
за авторством: Панфилов, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2005)