Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2012
• Main Authors: Наливайко, О.Ю., Турцевич, А.С.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Subjects: Технологические процессы и оборудование
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51723
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 34-39. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Исследовано влияние режимов осаждения нитрида кремния на параметры полученных пленок. Установлено, что с уменьшением температуры осаждения скорость осаждения пленок нитрида кремния уменьшается, при этом повышается однородность толщины пленки по пластине. Это позволяет воспроизводимо осаждать пленки...