Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Кудринский, З.Р., Ковалюк, З.Д.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Schlagworte: Материалы электроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51724
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка / З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 40-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Способ открывает широкие возможности изготовления гетероструктур с заданной полосой чувствительности. Представлено спосіб створення гетеропереходів з напівпровідииків з різним типом решітки. На підкладках, виготовлених із шаруватих кристалів GaSe та InSe, відпалених у парах Zn, , отримано гетеропереходи n-ZnSe-p-CaSe та n-ZnSe-p-InSe, фоточутливі в ближній інфрачервоній і видимій областях спектру. Спосіб відкриває широкі можливості виготовлення гетеро структур із заданою смугою чутливості. The article presents a method of creating heterojunctions based on semiconductors with different lattice types. Substrates manufactured from GaSe and InSe layered crystals were annealed in Zn vapor. This way, n-ZnSe-p-GaSe and n-ZnSe-p-InSe heterojunctions were obtained. The obtained heterojunctions are photosensitive in near and infrared spectral regions. This method opens up great possibilities of producing heterostructures with a desired sensitivity band.