Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Спосо...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51724 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка / З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 40-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51724 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Кудринский, З.Р. Ковалюк, З.Д. 2013-12-07T14:57:52Z 2013-12-07T14:57:52Z 2012 Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка / З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 40-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51724 621.315.592 Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Способ открывает широкие возможности изготовления гетероструктур с заданной полосой чувствительности. Представлено спосіб створення гетеропереходів з напівпровідииків з різним типом решітки. На підкладках, виготовлених із шаруватих кристалів GaSe та InSe, відпалених у парах Zn, , отримано гетеропереходи n-ZnSe-p-CaSe та n-ZnSe-p-InSe, фоточутливі в ближній інфрачервоній і видимій областях спектру. Спосіб відкриває широкі можливості виготовлення гетеро структур із заданою смугою чутливості. The article presents a method of creating heterojunctions based on semiconductors with different lattice types. Substrates manufactured from GaSe and InSe layered crystals were annealed in Zn vapor. This way, n-ZnSe-p-GaSe and n-ZnSe-p-InSe heterojunctions were obtained. The obtained heterojunctions are photosensitive in near and infrared spectral regions. This method opens up great possibilities of producing heterostructures with a desired sensitivity band. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка Гетеропереходи, сформовані відпалом шаруватих кристалів GaSe та InSe в парах цинку Heterojunctions formed by annealing of GaSe and InSe layered crystals in zinc vapor Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
| spellingShingle |
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка Кудринский, З.Р. Ковалюк, З.Д. Материалы электроники |
| title_short |
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
| title_full |
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
| title_fullStr |
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
| title_full_unstemmed |
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
| title_sort |
гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов gase и inse в парах цинка |
| author |
Кудринский, З.Р. Ковалюк, З.Д. |
| author_facet |
Кудринский, З.Р. Ковалюк, З.Д. |
| topic |
Материалы электроники |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| publishDate |
2012 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Гетеропереходи, сформовані відпалом шаруватих кристалів GaSe та InSe в парах цинку Heterojunctions formed by annealing of GaSe and InSe layered crystals in zinc vapor |
| description |
Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Способ открывает широкие возможности изготовления гетероструктур с заданной полосой чувствительности.
Представлено спосіб створення гетеропереходів з напівпровідииків з різним типом решітки. На підкладках, виготовлених із шаруватих кристалів GaSe та InSe, відпалених у парах Zn, , отримано гетеропереходи n-ZnSe-p-CaSe та n-ZnSe-p-InSe, фоточутливі в ближній інфрачервоній і видимій областях спектру. Спосіб відкриває широкі можливості виготовлення гетеро структур із заданою смугою чутливості.
The article presents a method of creating heterojunctions based on semiconductors with different lattice types. Substrates manufactured from GaSe and InSe layered crystals were annealed in Zn vapor. This way, n-ZnSe-p-GaSe and n-ZnSe-p-InSe heterojunctions were obtained. The obtained heterojunctions are photosensitive in near and infrared spectral regions. This method opens up great possibilities of producing heterostructures with a desired sensitivity band.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51724 |
| citation_txt |
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка / З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 40-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT kudrinskiizr geteroperehodysformirovannyeotžigomsloistyhkristallovgaseiinsevparahcinka AT kovalûkzd geteroperehodysformirovannyeotžigomsloistyhkristallovgaseiinsevparahcinka AT kudrinskiizr geteroperehodisformovanívídpalomšaruvatihkristalívgasetainsevparahcinku AT kovalûkzd geteroperehodisformovanívídpalomšaruvatihkristalívgasetainsevparahcinku AT kudrinskiizr heterojunctionsformedbyannealingofgaseandinselayeredcrystalsinzincvapor AT kovalûkzd heterojunctionsformedbyannealingofgaseandinselayeredcrystalsinzincvapor |
| first_indexed |
2025-12-07T19:03:41Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:03:41Z |
| _version_ |
1850877381435195392 |