Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Спосо...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51724 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка / З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 40-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862727628653330432 |
|---|---|
| author | Кудринский, З.Р. Ковалюк, З.Д. |
| author_facet | Кудринский, З.Р. Ковалюк, З.Д. |
| citation_txt | Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка / З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 40-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Способ открывает широкие возможности изготовления гетероструктур с заданной полосой чувствительности.
Представлено спосіб створення гетеропереходів з напівпровідииків з різним типом решітки. На підкладках, виготовлених із шаруватих кристалів GaSe та InSe, відпалених у парах Zn, , отримано гетеропереходи n-ZnSe-p-CaSe та n-ZnSe-p-InSe, фоточутливі в ближній інфрачервоній і видимій областях спектру. Спосіб відкриває широкі можливості виготовлення гетеро структур із заданою смугою чутливості.
The article presents a method of creating heterojunctions based on semiconductors with different lattice types. Substrates manufactured from GaSe and InSe layered crystals were annealed in Zn vapor. This way, n-ZnSe-p-GaSe and n-ZnSe-p-InSe heterojunctions were obtained. The obtained heterojunctions are photosensitive in near and infrared spectral regions. This method opens up great possibilities of producing heterostructures with a desired sensitivity band.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:03:41Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51724 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:03:41Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кудринский, З.Р. Ковалюк, З.Д. 2013-12-07T14:57:52Z 2013-12-07T14:57:52Z 2012 Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка / З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 40-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51724 621.315.592 Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Способ открывает широкие возможности изготовления гетероструктур с заданной полосой чувствительности. Представлено спосіб створення гетеропереходів з напівпровідииків з різним типом решітки. На підкладках, виготовлених із шаруватих кристалів GaSe та InSe, відпалених у парах Zn, , отримано гетеропереходи n-ZnSe-p-CaSe та n-ZnSe-p-InSe, фоточутливі в ближній інфрачервоній і видимій областях спектру. Спосіб відкриває широкі можливості виготовлення гетеро структур із заданою смугою чутливості. The article presents a method of creating heterojunctions based on semiconductors with different lattice types. Substrates manufactured from GaSe and InSe layered crystals were annealed in Zn vapor. This way, n-ZnSe-p-GaSe and n-ZnSe-p-InSe heterojunctions were obtained. The obtained heterojunctions are photosensitive in near and infrared spectral regions. This method opens up great possibilities of producing heterostructures with a desired sensitivity band. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка Гетеропереходи, сформовані відпалом шаруватих кристалів GaSe та InSe в парах цинку Heterojunctions formed by annealing of GaSe and InSe layered crystals in zinc vapor Article published earlier |
| spellingShingle | Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка Кудринский, З.Р. Ковалюк, З.Д. Материалы электроники |
| title | Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
| title_alt | Гетеропереходи, сформовані відпалом шаруватих кристалів GaSe та InSe в парах цинку Heterojunctions formed by annealing of GaSe and InSe layered crystals in zinc vapor |
| title_full | Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
| title_fullStr | Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
| title_full_unstemmed | Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
| title_short | Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
| title_sort | гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов gase и inse в парах цинка |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51724 |
| work_keys_str_mv | AT kudrinskiizr geteroperehodysformirovannyeotžigomsloistyhkristallovgaseiinsevparahcinka AT kovalûkzd geteroperehodysformirovannyeotžigomsloistyhkristallovgaseiinsevparahcinka AT kudrinskiizr geteroperehodisformovanívídpalomšaruvatihkristalívgasetainsevparahcinku AT kovalûkzd geteroperehodisformovanívídpalomšaruvatihkristalívgasetainsevparahcinku AT kudrinskiizr heterojunctionsformedbyannealingofgaseandinselayeredcrystalsinzincvapor AT kovalûkzd heterojunctionsformedbyannealingofgaseandinselayeredcrystalsinzincvapor |