Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2012
• Main Authors: Кудринский, З.Р., Ковалюк, З.Д.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Subjects: Материалы электроники
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51724
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка / З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 40-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Спосо...