Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Спосо...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | Кудринский, З.Р., Ковалюк, З.Д. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51724 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка / З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 40-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
von: Кудринський, З.Р.
Veröffentlicht: (2013)
von: Кудринський, З.Р.
Veröffentlicht: (2013)
Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe
von: Мінтянський, І.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Мінтянський, І.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃
von: Balitsky, A. A.
Veröffentlicht: (2006)
von: Balitsky, A. A.
Veröffentlicht: (2006)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2022)
Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Створення гетероструктури n-InSe-графіт
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledzyuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. B. Boledzyuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)
The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
von: Z. D. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Z. D. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe/histidine/ and GaSe/histidine/
von: F. O. Ivashchyshyn, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: F. O. Ivashchyshyn, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe /histidine/ and GaSe /histidine/
von: F. O. Ivashchyshyn, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: F. O. Ivashchyshyn, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Дослідження взаємодії літію з n-InSe: спектри імпедансу та рентгенівської дифракції
von: Гаврилюк, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаврилюк, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Impedance Anisotropy and Quantum Photocapacity of Bio/Inorganic Clathrates InSe<HISTIDINE> and GaSe<HISTIDINE>
von: Ivashchyshyn, F.O., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Ivashchyshyn, F.O., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Електричні властивості шаруватих монокристалів InSe та Bi₂Te₃, інтеркальованих C₃H₈O₃
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
von: Bercha, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Bercha, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в шаруваті кристали GaSe
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe〈histidine〉 and gase〈histidine〉
von: Ivashchyshyn, F.O., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Ivashchyshyn, F.O., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>
von: Іващишин, Ф.О., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Іващишин, Ф.О., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Topology of the surface of thin oxide films CdO formed on van der Waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals
von: Z. R. Kudrynskyi
Veröffentlicht: (2013)
von: Z. R. Kudrynskyi
Veröffentlicht: (2013)
Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Ähnliche Einträge
-
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)