Зображення обкладинки

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка

Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Спосо...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2012
Автори:	Кудринский, З.Р., Ковалюк, З.Д.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Теми:	Материалы электроники
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51724
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка / З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 40-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2015)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)

Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
за авторством: Кудринський, З.Р.
Опубліковано: (2013)

Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃
за авторством: Balitsky, A. A.
Опубліковано: (2006)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)

Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe
за авторством: Боледзюк, В.Б., та інші
Опубліковано: (2014)

Створення гетероструктури n-InSe-графіт
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2016)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2010)

The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Impedance Anisotropy and Quantum Photocapacity of Bio/Inorganic Clathrates InSe<HISTIDINE> and GaSe<HISTIDINE>
за авторством: Ivashchyshyn, F.O., та інші
Опубліковано: (2015)

Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe/histidine/ and GaSe/histidine/
за авторством: F. O. Ivashchyshyn, та інші
Опубліковано: (2015)

Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe /histidine/ and GaSe /histidine/
за авторством: F. O. Ivashchyshyn, та інші
Опубліковано: (2015)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)

Дослідження взаємодії літію з n-InSe: спектри імпедансу та рентгенівської дифракції
за авторством: Гаврилюк, С.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)

Електричні властивості шаруватих монокристалів InSe та Bi₂Te₃, інтеркальованих C₃H₈O₃
за авторством: Боледзюк, В.Б., та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe〈histidine〉 and gase〈histidine〉
за авторством: Ivashchyshyn, F.O., та інші
Опубліковано: (2015)

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)

Topology of the surface of thin oxide films CdO formed on van der Waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals
за авторством: Z. R. Kudrynskyi
Опубліковано: (2013)

Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
за авторством: Бахтінов, А.П., та інші
Опубліковано: (2012)

Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі
за авторством: Іващишин, Ф.О., та інші
Опубліковано: (2016)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2011)

Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)