Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник»

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2012
• Автори: Матюшин, В.М., Жавжаров, Е.Л.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51725
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» / В.М. Матюшин, Е.Л. Жавжаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 44-48. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Представлены результаты исследования воздействия атомарного водорода на структуры Cu—Ge, Ni—Ge. Экспериментально показано, что обработка структур при комнатной температуре сопровождается внедрением атомов металла с аномально высокой концентрацией в приповерхностные слои толщиной до 1 мкм. Рассмотренный процесс может быть использован для создания омических контактов полупроводниковых устрой У роботі представлено результати експериментального та теоретичного дослідження впливу атомарного водню на структури Cu—Ge, Ni—Ge. Експериментально показано, що обробка структур при кімнатних температурах супроводжується проникненням атомів металу з аномально високою концентрацією в приповерхневі шари товщиною до 1 мкм. The article presents experimental results of the effect atomic hydrogen has on the Cu—Ge and Ni—Ge structures. It has been shown experimentally that the treatment of structures at room temperature is accompanied by the introduction of metal atoms with an abnormally high concentration in the surface layers of thickness up to 1 mm.