Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник»
Представлены результаты исследования воздействия атомарного водорода на структуры Cu—Ge, Ni—Ge. Экспериментально показано, что обработка структур при комнатной температуре сопровождается внедрением атомов металла с аномально высокой концентрацией в приповерхностные слои толщиной до 1 мкм. Рассмотрен...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51725 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» / В.М. Матюшин, Е.Л. Жавжаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 44-48. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862648305776852992 |
|---|---|
| author | Матюшин, В.М. Жавжаров, Е.Л. |
| author_facet | Матюшин, В.М. Жавжаров, Е.Л. |
| citation_txt | Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» / В.М. Матюшин, Е.Л. Жавжаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 44-48. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Представлены результаты исследования воздействия атомарного водорода на структуры Cu—Ge, Ni—Ge. Экспериментально показано, что обработка структур при комнатной температуре сопровождается внедрением атомов металла с аномально высокой концентрацией в приповерхностные слои толщиной до 1 мкм. Рассмотренный процесс может быть использован для создания омических контактов полупроводниковых устрой
У роботі представлено результати експериментального та теоретичного дослідження впливу атомарного водню на структури Cu—Ge, Ni—Ge. Експериментально показано, що обробка структур при кімнатних температурах супроводжується проникненням атомів металу з аномально високою концентрацією в приповерхневі шари товщиною до 1 мкм.
The article presents experimental results of the effect atomic hydrogen has on the Cu—Ge and Ni—Ge structures. It has been shown experimentally that the treatment of structures at room temperature is accompanied by the introduction of metal atoms with an abnormally high concentration in the surface layers of thickness up to 1 mm.
|
| first_indexed | 2025-12-01T14:34:00Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51725 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T14:34:00Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Матюшин, В.М. Жавжаров, Е.Л. 2013-12-07T15:01:12Z 2013-12-07T15:01:12Z 2012 Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» / В.М. Матюшин, Е.Л. Жавжаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 44-48. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51725 621.382 Представлены результаты исследования воздействия атомарного водорода на структуры Cu—Ge, Ni—Ge. Экспериментально показано, что обработка структур при комнатной температуре сопровождается внедрением атомов металла с аномально высокой концентрацией в приповерхностные слои толщиной до 1 мкм. Рассмотренный процесс может быть использован для создания омических контактов полупроводниковых устрой У роботі представлено результати експериментального та теоретичного дослідження впливу атомарного водню на структури Cu—Ge, Ni—Ge. Експериментально показано, що обробка структур при кімнатних температурах супроводжується проникненням атомів металу з аномально високою концентрацією в приповерхневі шари товщиною до 1 мкм. The article presents experimental results of the effect atomic hydrogen has on the Cu—Ge and Ni—Ge structures. It has been shown experimentally that the treatment of structures at room temperature is accompanied by the introduction of metal atoms with an abnormally high concentration in the surface layers of thickness up to 1 mm. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» Стимульована воднем міграція атомів металів в структурах «метал напівпровідник» Hydrogen-stimulated migration of metal atoms in "metal-semiconductor" structures Article published earlier |
| spellingShingle | Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» Матюшин, В.М. Жавжаров, Е.Л. Материалы электроники |
| title | Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» |
| title_alt | Стимульована воднем міграція атомів металів в структурах «метал напівпровідник» Hydrogen-stimulated migration of metal atoms in "metal-semiconductor" structures |
| title_full | Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» |
| title_fullStr | Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» |
| title_full_unstemmed | Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» |
| title_short | Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» |
| title_sort | стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51725 |
| work_keys_str_mv | AT matûšinvm stimuliruemaâvodorodommigraciâatomovmetallovvstrukturahmetallpoluprovodnik AT žavžarovel stimuliruemaâvodorodommigraciâatomovmetallovvstrukturahmetallpoluprovodnik AT matûšinvm stimulʹovanavodnemmígracíâatomívmetalívvstrukturahmetalnapívprovídnik AT žavžarovel stimulʹovanavodnemmígracíâatomívmetalívvstrukturahmetalnapívprovídnik AT matûšinvm hydrogenstimulatedmigrationofmetalatomsinmetalsemiconductorstructures AT žavžarovel hydrogenstimulatedmigrationofmetalatomsinmetalsemiconductorstructures |