Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник»

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2012
• Main Authors: Матюшин, В.М., Жавжаров, Е.Л.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Subjects: Материалы электроники
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51725
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» / В.М. Матюшин, Е.Л. Жавжаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 44-48. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Представлены результаты исследования воздействия атомарного водорода на структуры Cu—Ge, Ni—Ge. Экспериментально показано, что обработка структур при комнатной температуре сопровождается внедрением атомов металла с аномально высокой концентрацией в приповерхностные слои толщиной до 1 мкм. Рассмотрен...