Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2013
• Hauptverfasser: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Гиясова, Ф.А., Мирджалилова, М.А., Асанова, Г.О., Абдулхаев, О.А., Мухутдинов, Ж.Ф.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Schlagworte: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51735
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, М.А. Мирджалилова, Г.О. Асанова, О.А. Абдулхаев, Ж.Ф. Мухутдинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 9-12. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры представляют интерес для создания устройств приема слабых оптических сигналов. Наведено результати досліджень двобарьерної фотодіодної кремнієвої структури з зустрічноввімкненими випрямляючими переходами «метал — напівпровідник» у фотодіодному та фотовольтаїчному режимах включення. Такі структури становлять інтерес для створення пристроїв прийому слабких оптичних сигналів. The article presents the results of studies on silicon photodiode double-barrier structure with back-to-back rectifying junctions "metal—semiconductor" in the photodiode and photovoltaic modes. Such structures are of interest for the development of input devices for weak optical signals.