Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры представляют интерес для создания устройств приема слабых оптических сигналов. Н...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51735 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, М.А. Мирджалилова, Г.О. Асанова, О.А. Абдулхаев, Ж.Ф. Мухутдинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 9-12. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862620562903269376 |
|---|---|
| author | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Гиясова, Ф.А. Мирджалилова, М.А. Асанова, Г.О. Абдулхаев, О.А. Мухутдинов, Ж.Ф. |
| author_facet | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Гиясова, Ф.А. Мирджалилова, М.А. Асанова, Г.О. Абдулхаев, О.А. Мухутдинов, Ж.Ф. |
| citation_txt | Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, М.А. Мирджалилова, Г.О. Асанова, О.А. Абдулхаев, Ж.Ф. Мухутдинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 9-12. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры представляют интерес для создания устройств приема слабых оптических сигналов.
Наведено результати досліджень двобарьерної фотодіодної кремнієвої структури з зустрічноввімкненими випрямляючими переходами «метал — напівпровідник» у фотодіодному та фотовольтаїчному режимах включення. Такі структури становлять інтерес для створення пристроїв прийому слабких оптичних сигналів.
The article presents the results of studies on silicon photodiode double-barrier structure with back-to-back rectifying junctions "metal—semiconductor" in the photodiode and photovoltaic modes. Such structures are of interest for the development of input devices for weak optical signals.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:21:55Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51735 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:21:55Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Гиясова, Ф.А. Мирджалилова, М.А. Асанова, Г.О. Абдулхаев, О.А. Мухутдинов, Ж.Ф. 2013-12-07T20:20:26Z 2013-12-07T20:20:26Z 2013 Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, М.А. Мирджалилова, Г.О. Асанова, О.А. Абдулхаев, Ж.Ф. Мухутдинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 9-12. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51735 621.383.52;535.243 Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры представляют интерес для создания устройств приема слабых оптических сигналов. Наведено результати досліджень двобарьерної фотодіодної кремнієвої структури з зустрічноввімкненими випрямляючими переходами «метал — напівпровідник» у фотодіодному та фотовольтаїчному режимах включення. Такі структури становлять інтерес для створення пристроїв прийому слабких оптичних сигналів. The article presents the results of studies on silicon photodiode double-barrier structure with back-to-back rectifying junctions "metal—semiconductor" in the photodiode and photovoltaic modes. Such structures are of interest for the development of input devices for weak optical signals. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами Дослідження процесу формування струмових характеристик кремнієвого фотодіода з випрямляючими бар'єрами Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Гиясова, Ф.А. Мирджалилова, М.А. Асанова, Г.О. Абдулхаев, О.А. Мухутдинов, Ж.Ф. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами |
| title_alt | Дослідження процесу формування струмових характеристик кремнієвого фотодіода з випрямляючими бар'єрами Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers |
| title_full | Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами |
| title_fullStr | Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами |
| title_full_unstemmed | Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами |
| title_short | Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами |
| title_sort | исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51735 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami AT edgorovadm issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami AT giâsovafa issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami AT mirdžalilovama issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami AT asanovago issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami AT abdulhaevoa issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami AT muhutdinovžf issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami AT karimovav doslídžennâprocesuformuvannâstrumovihharakteristikkremníêvogofotodíodazviprâmlâûčimibarêrami AT edgorovadm doslídžennâprocesuformuvannâstrumovihharakteristikkremníêvogofotodíodazviprâmlâûčimibarêrami AT giâsovafa doslídžennâprocesuformuvannâstrumovihharakteristikkremníêvogofotodíodazviprâmlâûčimibarêrami AT mirdžalilovama doslídžennâprocesuformuvannâstrumovihharakteristikkremníêvogofotodíodazviprâmlâûčimibarêrami AT asanovago doslídžennâprocesuformuvannâstrumovihharakteristikkremníêvogofotodíodazviprâmlâûčimibarêrami AT abdulhaevoa doslídžennâprocesuformuvannâstrumovihharakteristikkremníêvogofotodíodazviprâmlâûčimibarêrami AT muhutdinovžf doslídžennâprocesuformuvannâstrumovihharakteristikkremníêvogofotodíodazviprâmlâûčimibarêrami AT karimovav studyontheformationofcurrentcharacteristicsofasiliconphotodiodewithrectifyingbarriers AT edgorovadm studyontheformationofcurrentcharacteristicsofasiliconphotodiodewithrectifyingbarriers AT giâsovafa studyontheformationofcurrentcharacteristicsofasiliconphotodiodewithrectifyingbarriers AT mirdžalilovama studyontheformationofcurrentcharacteristicsofasiliconphotodiodewithrectifyingbarriers AT asanovago studyontheformationofcurrentcharacteristicsofasiliconphotodiodewithrectifyingbarriers AT abdulhaevoa studyontheformationofcurrentcharacteristicsofasiliconphotodiodewithrectifyingbarriers AT muhutdinovžf studyontheformationofcurrentcharacteristicsofasiliconphotodiodewithrectifyingbarriers |