Технология изготовления контактов к карбиду кремния
Систематизированы имеющиеся а различных публикациях результаты исследований удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без какой-либо модификации поверхности полупроводника. Проведен анализ группы контактов с наилучшими параметрами, и на основе его результатов даны...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51738 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Технология изготовления контактов к карбиду кремния / Я.Я. Кудрик, Р.И. Бигу, Р.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 25-37. — Бібліогр.: 126 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862574272665354240 |
|---|---|
| author | Кудрик, Я.Я. Бигу, Р.И. Кудрик, Р.Я. |
| author_facet | Кудрик, Я.Я. Бигу, Р.И. Кудрик, Р.Я. |
| citation_txt | Технология изготовления контактов к карбиду кремния / Я.Я. Кудрик, Р.И. Бигу, Р.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 25-37. — Бібліогр.: 126 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Систематизированы имеющиеся а различных публикациях результаты исследований удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без какой-либо модификации поверхности полупроводника. Проведен анализ группы контактов с наилучшими параметрами, и на основе его результатов даны рекомендации по оптимальным контактообразующим слоям для p- и n-типов SiC политипов 4Н, 6Н, 3С, 15R, 21R.
Систематизовано наявні в різних публікаціях результати досліджень питомого опору омічних контактів до карбіду кремнію, виготовлених без будь-якої модифікації поверхні напівпровідника. ІІроведено аналіз групи контактів з найкращими параметрами, і на основі його результатів зроблені рекомендації щодо оптимальних контактостворюючих шарів для p- та n-типів SiC політіпів 4Н, 6Н, 3С, 15R, 21R.
The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal contact-forming layers for p- and n-SiC types of 4H, 6H, 3C, 15R, 21R polytypes.
|
| first_indexed | 2025-11-26T09:19:56Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51738 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T09:19:56Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кудрик, Я.Я. Бигу, Р.И. Кудрик, Р.Я. 2013-12-07T20:29:14Z 2013-12-07T20:29:14Z 2013 Технология изготовления контактов к карбиду кремния / Я.Я. Кудрик, Р.И. Бигу, Р.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 25-37. — Бібліогр.: 126 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51738 621.328.2 Систематизированы имеющиеся а различных публикациях результаты исследований удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без какой-либо модификации поверхности полупроводника. Проведен анализ группы контактов с наилучшими параметрами, и на основе его результатов даны рекомендации по оптимальным контактообразующим слоям для p- и n-типов SiC политипов 4Н, 6Н, 3С, 15R, 21R. Систематизовано наявні в різних публікаціях результати досліджень питомого опору омічних контактів до карбіду кремнію, виготовлених без будь-якої модифікації поверхні напівпровідника. ІІроведено аналіз групи контактів з найкращими параметрами, і на основі його результатів зроблені рекомендації щодо оптимальних контактостворюючих шарів для p- та n-типів SiC політіпів 4Н, 6Н, 3С, 15R, 21R. The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal contact-forming layers for p- and n-SiC types of 4H, 6H, 3C, 15R, 21R polytypes. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Технология изготовления контактов к карбиду кремния Технологія виготовлення контактів до карбіду кремнію Manufacturing technology for contacts to silicon carbide Article published earlier |
| spellingShingle | Технология изготовления контактов к карбиду кремния Кудрик, Я.Я. Бигу, Р.И. Кудрик, Р.Я. Технологические процессы и оборудование |
| title | Технология изготовления контактов к карбиду кремния |
| title_alt | Технологія виготовлення контактів до карбіду кремнію Manufacturing technology for contacts to silicon carbide |
| title_full | Технология изготовления контактов к карбиду кремния |
| title_fullStr | Технология изготовления контактов к карбиду кремния |
| title_full_unstemmed | Технология изготовления контактов к карбиду кремния |
| title_short | Технология изготовления контактов к карбиду кремния |
| title_sort | технология изготовления контактов к карбиду кремния |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51738 |
| work_keys_str_mv | AT kudrikââ tehnologiâizgotovleniâkontaktovkkarbidukremniâ AT biguri tehnologiâizgotovleniâkontaktovkkarbidukremniâ AT kudrikrâ tehnologiâizgotovleniâkontaktovkkarbidukremniâ AT kudrikââ tehnologíâvigotovlennâkontaktívdokarbídukremníû AT biguri tehnologíâvigotovlennâkontaktívdokarbídukremníû AT kudrikrâ tehnologíâvigotovlennâkontaktívdokarbídukremníû AT kudrikââ manufacturingtechnologyforcontactstosiliconcarbide AT biguri manufacturingtechnologyforcontactstosiliconcarbide AT kudrikrâ manufacturingtechnologyforcontactstosiliconcarbide |