Технология изготовления контактов к карбиду кремния

Систематизированы имеющиеся а различных публикациях результаты исследований удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без какой-либо модификации поверхности полупроводника. Проведен анализ группы контактов с наилучшими параметрами, и на основе его результатов даны...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2013
Main Authors: Кудрик, Я.Я., Бигу, Р.И., Кудрик, Р.Я.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51738
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Технология изготовления контактов к карбиду кремния / Я.Я. Кудрик, Р.И. Бигу, Р.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 25-37. — Бібліогр.: 126 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862574272665354240
author Кудрик, Я.Я.
Бигу, Р.И.
Кудрик, Р.Я.
author_facet Кудрик, Я.Я.
Бигу, Р.И.
Кудрик, Р.Я.
citation_txt Технология изготовления контактов к карбиду кремния / Я.Я. Кудрик, Р.И. Бигу, Р.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 25-37. — Бібліогр.: 126 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Систематизированы имеющиеся а различных публикациях результаты исследований удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без какой-либо модификации поверхности полупроводника. Проведен анализ группы контактов с наилучшими параметрами, и на основе его результатов даны рекомендации по оптимальным контактообразующим слоям для p- и n-типов SiC политипов 4Н, 6Н, 3С, 15R, 21R. Систематизовано наявні в різних публікаціях результати досліджень питомого опору омічних контактів до карбіду кремнію, виготовлених без будь-якої модифікації поверхні напівпровідника. ІІроведено аналіз групи контактів з найкращими параметрами, і на основі його результатів зроблені рекомендації щодо оптимальних контактостворюючих шарів для p- та n-типів SiC політіпів 4Н, 6Н, 3С, 15R, 21R. The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal contact-forming layers for p- and n-SiC types of 4H, 6H, 3C, 15R, 21R polytypes.
first_indexed 2025-11-26T09:19:56Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51738
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-11-26T09:19:56Z
publishDate 2013
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Кудрик, Я.Я.
Бигу, Р.И.
Кудрик, Р.Я.
2013-12-07T20:29:14Z
2013-12-07T20:29:14Z
2013
Технология изготовления контактов к карбиду кремния / Я.Я. Кудрик, Р.И. Бигу, Р.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 25-37. — Бібліогр.: 126 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51738
621.328.2
Систематизированы имеющиеся а различных публикациях результаты исследований удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без какой-либо модификации поверхности полупроводника. Проведен анализ группы контактов с наилучшими параметрами, и на основе его результатов даны рекомендации по оптимальным контактообразующим слоям для p- и n-типов SiC политипов 4Н, 6Н, 3С, 15R, 21R.
Систематизовано наявні в різних публікаціях результати досліджень питомого опору омічних контактів до карбіду кремнію, виготовлених без будь-якої модифікації поверхні напівпровідника. ІІроведено аналіз групи контактів з найкращими параметрами, і на основі його результатів зроблені рекомендації щодо оптимальних контактостворюючих шарів для p- та n-типів SiC політіпів 4Н, 6Н, 3С, 15R, 21R.
The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal contact-forming layers for p- and n-SiC types of 4H, 6H, 3C, 15R, 21R polytypes.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Технологические процессы и оборудование
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
Технологія виготовлення контактів до карбіду кремнію
Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
Article
published earlier
spellingShingle Технология изготовления контактов к карбиду кремния
Кудрик, Я.Я.
Бигу, Р.И.
Кудрик, Р.Я.
Технологические процессы и оборудование
title Технология изготовления контактов к карбиду кремния
title_alt Технологія виготовлення контактів до карбіду кремнію
Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
title_full Технология изготовления контактов к карбиду кремния
title_fullStr Технология изготовления контактов к карбиду кремния
title_full_unstemmed Технология изготовления контактов к карбиду кремния
title_short Технология изготовления контактов к карбиду кремния
title_sort технология изготовления контактов к карбиду кремния
topic Технологические процессы и оборудование
topic_facet Технологические процессы и оборудование
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51738
work_keys_str_mv AT kudrikââ tehnologiâizgotovleniâkontaktovkkarbidukremniâ
AT biguri tehnologiâizgotovleniâkontaktovkkarbidukremniâ
AT kudrikrâ tehnologiâizgotovleniâkontaktovkkarbidukremniâ
AT kudrikââ tehnologíâvigotovlennâkontaktívdokarbídukremníû
AT biguri tehnologíâvigotovlennâkontaktívdokarbídukremníû
AT kudrikrâ tehnologíâvigotovlennâkontaktívdokarbídukremníû
AT kudrikââ manufacturingtechnologyforcontactstosiliconcarbide
AT biguri manufacturingtechnologyforcontactstosiliconcarbide
AT kudrikrâ manufacturingtechnologyforcontactstosiliconcarbide