Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения

Разработан способ изготовления рабочего элемента Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения с высокой чувствительностью к низкоэнергетическому γ-излучению радиоактивного изотопа америция ²¹¹Am. Предложенная методика двух этапной химической обработки поверхности с использованием новых бромвыделяющи...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2013
Hauptverfasser: Томашик, З.Ф., Стратийчук, И.Б., Томашик, В.Н., Будзуляк, С.И., Гнатив, И.И., Комар, В.К., Дубина, Н.Г., Лоцъко, А.П., Корбутяк, Д.В., Демчина, Л.А., Вахняк, Н.Д.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Schlagworte:
Технологические процессы и оборудование
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51740
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения / З.Ф. Томашик, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, С.И. Будзуляк, И.И. Гнатив, В.К. Комар, Н.Г. Дубина, А.П. Лоцъко, Д.В. Корбутяк, Л.А. Демчина, Н.Д. Вахняк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 42-44. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51740
record_format dspace
spelling Томашик, З.Ф.
Стратийчук, И.Б.
Томашик, В.Н.
Будзуляк, С.И.
Гнатив, И.И.
Комар, В.К.
Дубина, Н.Г.
Лоцъко, А.П.
Корбутяк, Д.В.
Демчина, Л.А.
Вахняк, Н.Д.
2013-12-07T20:37:18Z
2013-12-07T20:37:18Z
2013
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения / З.Ф. Томашик, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, С.И. Будзуляк, И.И. Гнатив, В.К. Комар, Н.Г. Дубина, А.П. Лоцъко, Д.В. Корбутяк, Л.А. Демчина, Н.Д. Вахняк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 42-44. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51740
539.1.074
Разработан способ изготовления рабочего элемента Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения с высокой чувствительностью к низкоэнергетическому γ-излучению радиоактивного изотопа америция ²¹¹Am. Предложенная методика двух этапной химической обработки поверхности с использованием новых бромвыделяющих полирующих травителей значительно улучшает качество детекторного материала и способствует увеличению его удельной чувствительности к ионизирующему излучению, а также позволяет использовать меньшие по размеру пластины Cd1-xZnxTe, что приводит к снижению стоимости детекторов
Розроблено спосіб виготовлення робочого елементу Cd1-xZnxTe-детектора іонізуючого випромінювання з високою чутливістю до низькоенергетичного γ-випромінювання радіоактивного ізотопу америцію ²¹¹Am. Запропонована методика двоетапної хімічної обробки поверхні з використанням нових бромвиділяючих поліруючих травників значно покращує якість детекторного матеріалу та сприяє збільшенню його питомої чутливості до іонізуючого випромінювання. Це дозволяє використовувати менші за розміром пластини Cd1-xZnxTe, що призводить до зниження вартості детекторів.
The article describes a newly-developed method of manufacturing of an operating clement of the Cd1-xZnxTe-detector of ionizing radiation with high sensitivity to low-energy gamma radiation of the americium ²¹¹Am radioactive isotope. The proposed two-step method of chemical surface treatment with the use of new bromine releasing polishing etchants significantly improves the quality of the detector material and increases its specific sensitivity to ionizing radiation. This allows to use smaller Cd1-xZnxTe plates, which results in lowering of the cost of detectors.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Технологические процессы и оборудование
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
Особливості виготовлення Cd1-xZnxTe-детектора іонізуючого випромінювання
Features of manufacturing Cd1_xZnxTe ionizing radiation detector
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
spellingShingle Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
Томашик, З.Ф.
Стратийчук, И.Б.
Томашик, В.Н.
Будзуляк, С.И.
Гнатив, И.И.
Комар, В.К.
Дубина, Н.Г.
Лоцъко, А.П.
Корбутяк, Д.В.
Демчина, Л.А.
Вахняк, Н.Д.
Технологические процессы и оборудование
title_short Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
title_full Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
title_fullStr Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
title_full_unstemmed Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
title_sort особенности изготовления cd1-xznxte-детектора ионизирующего излучения
author Томашик, З.Ф.
Стратийчук, И.Б.
Томашик, В.Н.
Будзуляк, С.И.
Гнатив, И.И.
Комар, В.К.
Дубина, Н.Г.
Лоцъко, А.П.
Корбутяк, Д.В.
Демчина, Л.А.
Вахняк, Н.Д.
author_facet Томашик, З.Ф.
Стратийчук, И.Б.
Томашик, В.Н.
Будзуляк, С.И.
Гнатив, И.И.
Комар, В.К.
Дубина, Н.Г.
Лоцъко, А.П.
Корбутяк, Д.В.
Демчина, Л.А.
Вахняк, Н.Д.
topic Технологические процессы и оборудование
topic_facet Технологические процессы и оборудование
publishDate 2013
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Особливості виготовлення Cd1-xZnxTe-детектора іонізуючого випромінювання
Features of manufacturing Cd1_xZnxTe ionizing radiation detector
description Разработан способ изготовления рабочего элемента Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения с высокой чувствительностью к низкоэнергетическому γ-излучению радиоактивного изотопа америция ²¹¹Am. Предложенная методика двух этапной химической обработки поверхности с использованием новых бромвыделяющих полирующих травителей значительно улучшает качество детекторного материала и способствует увеличению его удельной чувствительности к ионизирующему излучению, а также позволяет использовать меньшие по размеру пластины Cd1-xZnxTe, что приводит к снижению стоимости детекторов Розроблено спосіб виготовлення робочого елементу Cd1-xZnxTe-детектора іонізуючого випромінювання з високою чутливістю до низькоенергетичного γ-випромінювання радіоактивного ізотопу америцію ²¹¹Am. Запропонована методика двоетапної хімічної обробки поверхні з використанням нових бромвиділяючих поліруючих травників значно покращує якість детекторного матеріалу та сприяє збільшенню його питомої чутливості до іонізуючого випромінювання. Це дозволяє використовувати менші за розміром пластини Cd1-xZnxTe, що призводить до зниження вартості детекторів. The article describes a newly-developed method of manufacturing of an operating clement of the Cd1-xZnxTe-detector of ionizing radiation with high sensitivity to low-energy gamma radiation of the americium ²¹¹Am radioactive isotope. The proposed two-step method of chemical surface treatment with the use of new bromine releasing polishing etchants significantly improves the quality of the detector material and increases its specific sensitivity to ionizing radiation. This allows to use smaller Cd1-xZnxTe plates, which results in lowering of the cost of detectors.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51740
citation_txt Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения / З.Ф. Томашик, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, С.И. Будзуляк, И.И. Гнатив, В.К. Комар, Н.Г. Дубина, А.П. Лоцъко, Д.В. Корбутяк, Л.А. Демчина, Н.Д. Вахняк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 42-44. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT tomašikzf osobennostiizgotovleniâcd1xznxtedetektoraioniziruûŝegoizlučeniâ
AT stratiičukib osobennostiizgotovleniâcd1xznxtedetektoraioniziruûŝegoizlučeniâ
AT tomašikvn osobennostiizgotovleniâcd1xznxtedetektoraioniziruûŝegoizlučeniâ
AT budzulâksi osobennostiizgotovleniâcd1xznxtedetektoraioniziruûŝegoizlučeniâ
AT gnativii osobennostiizgotovleniâcd1xznxtedetektoraioniziruûŝegoizlučeniâ
AT komarvk osobennostiizgotovleniâcd1xznxtedetektoraioniziruûŝegoizlučeniâ
AT dubinang osobennostiizgotovleniâcd1xznxtedetektoraioniziruûŝegoizlučeniâ
AT locʺkoap osobennostiizgotovleniâcd1xznxtedetektoraioniziruûŝegoizlučeniâ
AT korbutâkdv osobennostiizgotovleniâcd1xznxtedetektoraioniziruûŝegoizlučeniâ
AT demčinala osobennostiizgotovleniâcd1xznxtedetektoraioniziruûŝegoizlučeniâ
AT vahnâknd osobennostiizgotovleniâcd1xznxtedetektoraioniziruûŝegoizlučeniâ
AT tomašikzf osoblivostívigotovlennâcd1xznxtedetektoraíonízuûčogovipromínûvannâ
AT stratiičukib osoblivostívigotovlennâcd1xznxtedetektoraíonízuûčogovipromínûvannâ
AT tomašikvn osoblivostívigotovlennâcd1xznxtedetektoraíonízuûčogovipromínûvannâ
AT budzulâksi osoblivostívigotovlennâcd1xznxtedetektoraíonízuûčogovipromínûvannâ
AT gnativii osoblivostívigotovlennâcd1xznxtedetektoraíonízuûčogovipromínûvannâ
AT komarvk osoblivostívigotovlennâcd1xznxtedetektoraíonízuûčogovipromínûvannâ
AT dubinang osoblivostívigotovlennâcd1xznxtedetektoraíonízuûčogovipromínûvannâ
AT locʺkoap osoblivostívigotovlennâcd1xznxtedetektoraíonízuûčogovipromínûvannâ
AT korbutâkdv osoblivostívigotovlennâcd1xznxtedetektoraíonízuûčogovipromínûvannâ
AT demčinala osoblivostívigotovlennâcd1xznxtedetektoraíonízuûčogovipromínûvannâ
AT vahnâknd osoblivostívigotovlennâcd1xznxtedetektoraíonízuûčogovipromínûvannâ
AT tomašikzf featuresofmanufacturingcd1xznxteionizingradiationdetector
AT stratiičukib featuresofmanufacturingcd1xznxteionizingradiationdetector
AT tomašikvn featuresofmanufacturingcd1xznxteionizingradiationdetector
AT budzulâksi featuresofmanufacturingcd1xznxteionizingradiationdetector
AT gnativii featuresofmanufacturingcd1xznxteionizingradiationdetector
AT komarvk featuresofmanufacturingcd1xznxteionizingradiationdetector
AT dubinang featuresofmanufacturingcd1xznxteionizingradiationdetector
AT locʺkoap featuresofmanufacturingcd1xznxteionizingradiationdetector
AT korbutâkdv featuresofmanufacturingcd1xznxteionizingradiationdetector
AT demčinala featuresofmanufacturingcd1xznxteionizingradiationdetector
AT vahnâknd featuresofmanufacturingcd1xznxteionizingradiationdetector
first_indexed 2025-12-07T15:59:12Z
last_indexed 2025-12-07T15:59:12Z
_version_ 1850865774959263744

Ähnliche Einträge