Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2013
• Автори: Томашик, З.Ф., Стратийчук, И.Б., Томашик, В.Н., Будзуляк, С.И., Гнатив, И.И., Комар, В.К., Дубина, Н.Г., Лоцъко, А.П., Корбутяк, Д.В., Демчина, Л.А., Вахняк, Н.Д.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Теми: Технологические процессы и оборудование
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51740
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения / З.Ф. Томашик, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, С.И. Будзуляк, И.И. Гнатив, В.К. Комар, Н.Г. Дубина, А.П. Лоцъко, Д.В. Корбутяк, Л.А. Демчина, Н.Д. Вахняк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 42-44. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Разработан способ изготовления рабочего элемента Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения с высокой чувствительностью к низкоэнергетическому γ-излучению радиоактивного изотопа америция ²¹¹Am. Предложенная методика двух этапной химической обработки поверхности с использованием новых бромвыделяющи...