Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe

• Опубліковано в: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2013
• ISSN: 2225-5818
• Автори: Мостовой, А.И., Брус, В.В., Марьянчук, П.Д., Ульяницкий, К.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51741
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe / А.И. Мостовой, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Исследованы электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, изготовленных методом электронно-лучевого испарения в вакууме пленки TiO₂:Mn на монокристаллические подложки CdTe. Установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях гетероперехода. Досліджено електричні властивості анізотіпних гетеропереходів n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, виготовлених методом електронно-променевого випаровування у вакуумі плівки TiO₂:Mn на монокристалічні підкладки CdTe. Встановлено домінуючі механізми токоперенесення при прямих і зворотних зміщеннях гетеропереходу. The authors have investigated electronic properties of n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, anisotype heterojunctions, produced by the method of electron-beam evaporation of TiO₂:Mn film on single-crystal CdTe substrates in vacuum. The dominant mechanism of charge transport in the forward and reverse bias has been established.