Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
Исследованы электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, изготовленных методом электронно-лучевого испарения в вакууме пленки TiO₂:Mn на монокристаллические подложки CdTe. Установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях гетероперехода. Дослі...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51741 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe / А.И. Мостовой, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862540598478635008 |
|---|---|
| author | Мостовой, А.И. Брус, В.В. Марьянчук, П.Д. Ульяницкий, К.С. |
| author_facet | Мостовой, А.И. Брус, В.В. Марьянчук, П.Д. Ульяницкий, К.С. |
| citation_txt | Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe / А.И. Мостовой, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследованы электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, изготовленных методом электронно-лучевого испарения в вакууме пленки TiO₂:Mn на монокристаллические подложки CdTe. Установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях гетероперехода.
Досліджено електричні властивості анізотіпних гетеропереходів n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, виготовлених методом електронно-променевого випаровування у вакуумі плівки TiO₂:Mn на монокристалічні підкладки CdTe. Встановлено домінуючі механізми токоперенесення при прямих і зворотних зміщеннях гетеропереходу.
The authors have investigated electronic properties of n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, anisotype heterojunctions, produced by the method of electron-beam evaporation of TiO₂:Mn film on single-crystal CdTe substrates in vacuum. The dominant mechanism of charge transport in the forward and reverse bias has been established.
|
| first_indexed | 2025-11-24T16:13:07Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51741 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T16:13:07Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Мостовой, А.И. Брус, В.В. Марьянчук, П.Д. Ульяницкий, К.С. 2013-12-07T20:40:44Z 2013-12-07T20:40:44Z 2013 Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe / А.И. Мостовой, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51741 621.315.592 Исследованы электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, изготовленных методом электронно-лучевого испарения в вакууме пленки TiO₂:Mn на монокристаллические подложки CdTe. Установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях гетероперехода. Досліджено електричні властивості анізотіпних гетеропереходів n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, виготовлених методом електронно-променевого випаровування у вакуумі плівки TiO₂:Mn на монокристалічні підкладки CdTe. Встановлено домінуючі механізми токоперенесення при прямих і зворотних зміщеннях гетеропереходу. The authors have investigated electronic properties of n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, anisotype heterojunctions, produced by the method of electron-beam evaporation of TiO₂:Mn film on single-crystal CdTe substrates in vacuum. The dominant mechanism of charge transport in the forward and reverse bias has been established. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe Електричні властивості анізотипннх гетеропереходів n-TiO₂:Mn/p-CdTe Electrical properties anisotype heterojunctions n-TiO₂:Mn/p-CdTe Article published earlier |
| spellingShingle | Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe Мостовой, А.И. Брус, В.В. Марьянчук, П.Д. Ульяницкий, К.С. Материалы электроники |
| title | Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe |
| title_alt | Електричні властивості анізотипннх гетеропереходів n-TiO₂:Mn/p-CdTe Electrical properties anisotype heterojunctions n-TiO₂:Mn/p-CdTe |
| title_full | Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe |
| title_fullStr | Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe |
| title_full_unstemmed | Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe |
| title_short | Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe |
| title_sort | электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-tio₂:mn/p-cdte |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51741 |
| work_keys_str_mv | AT mostovoiai élektričeskiesvoistvaanizotipnyhgeteroperehodovntio2mnpcdte AT brusvv élektričeskiesvoistvaanizotipnyhgeteroperehodovntio2mnpcdte AT marʹânčukpd élektričeskiesvoistvaanizotipnyhgeteroperehodovntio2mnpcdte AT ulʹânickiiks élektričeskiesvoistvaanizotipnyhgeteroperehodovntio2mnpcdte AT mostovoiai električnívlastivostíanízotipnnhgeteroperehodívntio2mnpcdte AT brusvv električnívlastivostíanízotipnnhgeteroperehodívntio2mnpcdte AT marʹânčukpd električnívlastivostíanízotipnnhgeteroperehodívntio2mnpcdte AT ulʹânickiiks električnívlastivostíanízotipnnhgeteroperehodívntio2mnpcdte AT mostovoiai electricalpropertiesanisotypeheterojunctionsntio2mnpcdte AT brusvv electricalpropertiesanisotypeheterojunctionsntio2mnpcdte AT marʹânčukpd electricalpropertiesanisotypeheterojunctionsntio2mnpcdte AT ulʹânickiiks electricalpropertiesanisotypeheterojunctionsntio2mnpcdte |