Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
Исследованы электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, изготовленных методом электронно-лучевого испарения в вакууме пленки TiO₂:Mn на монокристаллические подложки CdTe. Установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях гетероперехода....
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51741 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe / А.И. Мостовой, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |