Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
Приведены результаты исследования влияния облучения γ-квантами дозами до 1·10¹⁸ см⁻² и магнитного поля с индукцией до 14 Тл на электропроводность нитевидных кристаллов Si1-xGex в интервале температуры 4,2-300 К. Вивчено вплив опромінення γ-квантами (випромінювання Co⁶⁰) з дозами до 1·10¹⁸ см⁻² та м...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51754 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, П.Г. Литовченко, Н.Т. Павловская, Ю.В. Павловский, В.М. Цмоць , В.Ю. Поварчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 10-12. — Бібліогр.: ХХ 6 — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51754 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Дружинин, А.А. Островский, И.П. Ховерко, Ю.Н. Литовченко, П.Г. Павловская, Н.Т. Павловский, Ю.В. Цмоць, В.М. Поварчук, В.Ю. 2013-12-08T01:21:48Z 2013-12-08T01:21:48Z 2011 Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, П.Г. Литовченко, Н.Т. Павловская, Ю.В. Павловский, В.М. Цмоць , В.Ю. Поварчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 10-12. — Бібліогр.: ХХ 6 — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51754 Приведены результаты исследования влияния облучения γ-квантами дозами до 1·10¹⁸ см⁻² и магнитного поля с индукцией до 14 Тл на электропроводность нитевидных кристаллов Si1-xGex в интервале температуры 4,2-300 К. Вивчено вплив опромінення γ-квантами (випромінювання Co⁶⁰) з дозами до 1·10¹⁸ см⁻² та магнітного поля з індукцією до 14 Тл на електропровідність ниткоподібних кристалів Si1-xGex (х = 0,03) з питомим опором 0,08,0,025 Ом·см в інтервалі температур 4,2 .300 К. Встановлено, що опір кристалів слабо змінюється в процесі опромінення дозами до 2·10¹⁷ см⁻², в той же час спостерігаються істотні зміни магнітоопору. На основі проведених досліджень запропоновано умови створення радіаційно стійких сенсорів деформації, дієздатних в умовах сильних магнітних полів. An influence of γ-irradiation (Co⁶⁰) with doze up to 1·10¹⁸ cm⁻² and magnetic field with induction up to 14 T on conduction of Si1-xGex (x = 0,03) whisker crystals with resistivity of 0,08-0,025 Ohm·cm in temperature range 4,2-300 K have been studied. It is shown that whisker crystals resistance faintly varies under irradiation with doze 2·10¹⁷ cm⁻², while their magnetoresistance substantially changes. The strain sensors stable to irradiation action operating in high magnetic fields on the base of the whiskers have been designed. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Сенсоэлектроника Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин Радіаційна стійкість ниткоподібних кристалів SiGe, що використовуються для сенсорів фізичних величин Stability to irradiation of SiGe whisker crystals used for sensors of physical values Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин |
| spellingShingle |
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин Дружинин, А.А. Островский, И.П. Ховерко, Ю.Н. Литовченко, П.Г. Павловская, Н.Т. Павловский, Ю.В. Цмоць, В.М. Поварчук, В.Ю. Сенсоэлектроника |
| title_short |
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин |
| title_full |
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин |
| title_fullStr |
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин |
| title_full_unstemmed |
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин |
| title_sort |
радиационная стойкость нитевидных кристаллов sige, используемых для сенсоров физических величин |
| author |
Дружинин, А.А. Островский, И.П. Ховерко, Ю.Н. Литовченко, П.Г. Павловская, Н.Т. Павловский, Ю.В. Цмоць, В.М. Поварчук, В.Ю. |
| author_facet |
Дружинин, А.А. Островский, И.П. Ховерко, Ю.Н. Литовченко, П.Г. Павловская, Н.Т. Павловский, Ю.В. Цмоць, В.М. Поварчук, В.Ю. |
| topic |
Сенсоэлектроника |
| topic_facet |
Сенсоэлектроника |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Радіаційна стійкість ниткоподібних кристалів SiGe, що використовуються для сенсорів фізичних величин Stability to irradiation of SiGe whisker crystals used for sensors of physical values |
| description |
Приведены результаты исследования влияния облучения γ-квантами дозами до 1·10¹⁸ см⁻² и магнитного поля с индукцией до 14 Тл на электропроводность нитевидных кристаллов Si1-xGex в интервале температуры 4,2-300 К.
Вивчено вплив опромінення γ-квантами (випромінювання Co⁶⁰) з дозами до 1·10¹⁸ см⁻² та магнітного поля з індукцією до 14 Тл на електропровідність ниткоподібних кристалів Si1-xGex (х = 0,03) з питомим опором 0,08,0,025 Ом·см в інтервалі температур 4,2 .300 К. Встановлено, що опір кристалів слабо змінюється в процесі опромінення дозами до 2·10¹⁷ см⁻², в той же час спостерігаються істотні зміни магнітоопору. На основі проведених досліджень запропоновано умови створення радіаційно стійких сенсорів деформації, дієздатних в умовах сильних магнітних полів.
An influence of γ-irradiation (Co⁶⁰) with doze up to 1·10¹⁸ cm⁻² and magnetic field with induction up to 14 T on conduction of Si1-xGex (x = 0,03) whisker crystals with resistivity of 0,08-0,025 Ohm·cm in temperature range 4,2-300 K have been studied. It is shown that whisker crystals resistance faintly varies under irradiation with doze 2·10¹⁷ cm⁻², while their magnetoresistance substantially changes. The strain sensors stable to irradiation action operating in high magnetic fields on the base of the whiskers have been designed.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51754 |
| citation_txt |
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, П.Г. Литовченко, Н.Т. Павловская, Ю.В. Павловский, В.М. Цмоць , В.Ю. Поварчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 10-12. — Бібліогр.: ХХ 6 — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT družininaa radiacionnaâstoikostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin AT ostrovskiiip radiacionnaâstoikostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin AT hoverkoûn radiacionnaâstoikostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin AT litovčenkopg radiacionnaâstoikostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin AT pavlovskaânt radiacionnaâstoikostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin AT pavlovskiiûv radiacionnaâstoikostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin AT cmocʹvm radiacionnaâstoikostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin AT povarčukvû radiacionnaâstoikostʹnitevidnyhkristallovsigeispolʹzuemyhdlâsensorovfizičeskihveličin AT družininaa radíacíinastíikístʹnitkopodíbnihkristalívsigeŝovikoristovuûtʹsâdlâsensorívfízičnihveličin AT ostrovskiiip radíacíinastíikístʹnitkopodíbnihkristalívsigeŝovikoristovuûtʹsâdlâsensorívfízičnihveličin AT hoverkoûn radíacíinastíikístʹnitkopodíbnihkristalívsigeŝovikoristovuûtʹsâdlâsensorívfízičnihveličin AT litovčenkopg radíacíinastíikístʹnitkopodíbnihkristalívsigeŝovikoristovuûtʹsâdlâsensorívfízičnihveličin AT pavlovskaânt radíacíinastíikístʹnitkopodíbnihkristalívsigeŝovikoristovuûtʹsâdlâsensorívfízičnihveličin AT pavlovskiiûv radíacíinastíikístʹnitkopodíbnihkristalívsigeŝovikoristovuûtʹsâdlâsensorívfízičnihveličin AT cmocʹvm radíacíinastíikístʹnitkopodíbnihkristalívsigeŝovikoristovuûtʹsâdlâsensorívfízičnihveličin AT povarčukvû radíacíinastíikístʹnitkopodíbnihkristalívsigeŝovikoristovuûtʹsâdlâsensorívfízičnihveličin AT družininaa stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues AT ostrovskiiip stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues AT hoverkoûn stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues AT litovčenkopg stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues AT pavlovskaânt stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues AT pavlovskiiûv stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues AT cmocʹvm stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues AT povarčukvû stabilitytoirradiationofsigewhiskercrystalsusedforsensorsofphysicalvalues |
| first_indexed |
2025-12-07T16:14:10Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:14:10Z |
| _version_ |
1850866715982823424 |