Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Дружинин, А.А., Островский, И.П., Ховерко, Ю.Н., Литовченко, П.Г., Павловская, Н.Т., Павловский, Ю.В., Цмоць, В.М., Поварчук, В.Ю.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Schlagworte: Сенсоэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51754
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, П.Г. Литовченко, Н.Т. Павловская, Ю.В. Павловский, В.М. Цмоць , В.Ю. Поварчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 10-12. — Бібліогр.: ХХ 6 — рос.

Приведены результаты исследования влияния облучения γ-квантами дозами до 1·10¹⁸ см⁻² и магнитного поля с индукцией до 14 Тл на электропроводность нитевидных кристаллов Si1-xGex в интервале температуры 4,2-300 К. Вивчено вплив опромінення γ-квантами (випромінювання Co⁶⁰) з дозами до 1·10¹⁸ см⁻² та м...