Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Ревенюк, Т.А., Федосов, С.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Schlagworte: Сенсоэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51756
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида / Т.А. Ревенюк, С.Н. Федосов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 15-17. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Установлено, что характеристики сенсоров на основе поливинилиденфторида находятся в пределах допустимых норм в диапазоне рабочей температуры -20...+80°С после соответствующего отжига. Встановлено, що п'єзоелектричні сенсори на основі поляризованих плівок полівініліденфториду (ПВДФ) надійно працюють у діапазоні температури від -20 до +80°С. При температурі експлуатації 80°С впродовж двох років п'єзокоефіцієнт d₃₃ зменшується на 2%, що є припустимим. За більш високих температур відбувається незворотнє зменшення пўєзокоефіцієнтів. Нижня границя робочого діапазону наближена до температури склування аморфної фази ПВДФ. Відпал плівок при 80°С забезпечує стабільність характеристик сенсорів протягом кількох років. It has been found that the piezoelectric sensors produced on the basis of electrified films of polyvinylidene fluoride (PVDF) work reliably in the temperature range from -20°C to +80°C. At the operating temperature of 80°C d₃₃ piezocoefficient decreases by 2% during two years that is permissible. At higher temperatures irreversible reduction of the piezocoefficient was observed. The lowest temperature of the working range is close to the glass transition temperature of the amorphous phase of PVDF. Annealing of the films at 80°C ensures stabile characteristics of the sensors within a few years.