Роль пластической деформации в получении нанокремния
В результате высокотемпературного окисления Si в приповерхностных слоях образуется сложная дефектная область. Стравливание SiO₂ и обработка поверхности избирательными травителями позволяет получать наноструктурированный Si с заданной топологией. Показано якісний і кількісний аналіз зв'язку плас...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51758 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Роль пластической деформации в получении нанокремния / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 22-24. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51758 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Смынтына, В.А. Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Марчук, И.А. 2013-12-08T01:35:39Z 2013-12-08T01:35:39Z 2011 Роль пластической деформации в получении нанокремния / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 22-24. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51758 В результате высокотемпературного окисления Si в приповерхностных слоях образуется сложная дефектная область. Стравливание SiO₂ и обработка поверхности избирательными травителями позволяет получать наноструктурированный Si с заданной топологией. Показано якісний і кількісний аналіз зв'язку пластичної деформації поверхні і приповерхневої області кремнію із отриманням наноструктурованого кремнію. Показано, що в результаті високотемпературного окислення кремнію, а також ряду додаткових причин в приповерхневих шарах утворюється складна дефектна область, яка складається з шару дрібноблокового кремнію і шару, що містить дислокаційні сітки. Стравлювання діоксиду кремнію і обробка різними вибірковими протравлювачами поверхні дозволяє отримувати наноструктурованийкремній із заданою топологією. The quantity and quality analysis of plastic deformation and near-surface silicon layers with nanostructure silicon formation are given in this paper. It is shown, due to hightemperature oxidation and other factors the complex defect structure is generated in near-surface silicon layers. It consists of a disordered silicon layer and a layer of dislocation networks. Silicon dioxide etching and additional chemical treatment allows to obtain nanostructured silicon with given properties. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Роль пластической деформации в получении нанокремния Роль пластичної деформації в одержанні нанокремнію Plastic deformation in nanostructure silicon formation Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Роль пластической деформации в получении нанокремния |
| spellingShingle |
Роль пластической деформации в получении нанокремния Смынтына, В.А. Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Марчук, И.А. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Роль пластической деформации в получении нанокремния |
| title_full |
Роль пластической деформации в получении нанокремния |
| title_fullStr |
Роль пластической деформации в получении нанокремния |
| title_full_unstemmed |
Роль пластической деформации в получении нанокремния |
| title_sort |
роль пластической деформации в получении нанокремния |
| author |
Смынтына, В.А. Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Марчук, И.А. |
| author_facet |
Смынтына, В.А. Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Марчук, И.А. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Роль пластичної деформації в одержанні нанокремнію Plastic deformation in nanostructure silicon formation |
| description |
В результате высокотемпературного окисления Si в приповерхностных слоях образуется сложная дефектная область. Стравливание SiO₂ и обработка поверхности избирательными травителями позволяет получать наноструктурированный Si с заданной топологией.
Показано якісний і кількісний аналіз зв'язку пластичної деформації поверхні і приповерхневої області кремнію із отриманням наноструктурованого кремнію. Показано, що в результаті високотемпературного окислення кремнію, а також ряду додаткових причин в приповерхневих шарах утворюється складна дефектна область, яка складається з шару дрібноблокового кремнію і шару, що містить дислокаційні сітки. Стравлювання діоксиду кремнію і обробка різними вибірковими протравлювачами поверхні дозволяє отримувати наноструктурованийкремній із заданою топологією.
The quantity and quality analysis of plastic deformation and near-surface silicon layers with nanostructure silicon formation are given in this paper. It is shown, due to hightemperature oxidation and other factors the complex defect structure is generated in near-surface silicon layers. It consists of a disordered silicon layer and a layer of dislocation networks. Silicon dioxide etching and additional chemical treatment allows to obtain nanostructured silicon with given properties.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51758 |
| citation_txt |
Роль пластической деформации в получении нанокремния / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 22-24. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT smyntynava rolʹplastičeskoideformaciivpolučeniinanokremniâ AT kuliničoa rolʹplastičeskoideformaciivpolučeniinanokremniâ AT âcunskiiir rolʹplastičeskoideformaciivpolučeniinanokremniâ AT marčukia rolʹplastičeskoideformaciivpolučeniinanokremniâ AT smyntynava rolʹplastičnoídeformacíívoderžannínanokremníû AT kuliničoa rolʹplastičnoídeformacíívoderžannínanokremníû AT âcunskiiir rolʹplastičnoídeformacíívoderžannínanokremníû AT marčukia rolʹplastičnoídeformacíívoderžannínanokremníû AT smyntynava plasticdeformationinnanostructuresiliconformation AT kuliničoa plasticdeformationinnanostructuresiliconformation AT âcunskiiir plasticdeformationinnanostructuresiliconformation AT marčukia plasticdeformationinnanostructuresiliconformation |
| first_indexed |
2025-12-07T18:18:11Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:18:11Z |
| _version_ |
1850874518955884545 |