Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2011
• Автори: Гаврыш, В.И., Косач, А.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Теми: Обеспечение тепловых режимов
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51760
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств / В.И. Гаврыш, А.И. Косач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Решена граничная задача теплопроводности для изотропной полосы с инородным прямоугольным включением, на одной из границ которой осуществляется конвективный теплообмен с внешней средой, а другая нагревается тепловым потоком. За допомогою методу, заснованого на використанні узагальнених функцій, побудовано рівняння теплопровід ності з розривними та сингулярними коефіцієнтами для ізотропної смуги їз чужорідним включенням прямокутної форми. Із застосуванням методу інтегральних перетворень отримано аналітичне розвўязання цього рівняння у випадку, коли на одній з границь смуги здійснюється конвективний теплообмін із зовнішнім середовищем, а інша границя нагрівається тепловим потоком. При цьому проведено кусково-лінійну апроксимацію шуканої температури на границях чужорідного включення з використанням узагальнених функцій. The heat equation with discontinuous and singular coefficients for isotropic band with foreign rectangular inclusion has been built with the use of generalized functions based method. Using the of integral transformftions the analytical solution of this equation has been obtained in case when on one of the band bounds the convective heat transfer with the environment takes place, but the other is under the heat flow. The piecewise-linear approximation of the required temperature at the boundaries of foreign inclusions using generalized functions has been conducted.