Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств

Решена граничная задача теплопроводности для изотропной полосы с инородным прямоугольным включением, на одной из границ которой осуществляется конвективный теплообмен с внешней средой, а другая нагревается тепловым потоком. За допомогою методу, заснованого на використанні узагальнених функцій, побуд...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2011
Автори: Гаврыш, В.И., Косач, А.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51760
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств / В.И. Гаврыш, А.И. Косач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51760
record_format dspace
spelling Гаврыш, В.И.
Косач, А.И.
2013-12-08T01:45:40Z
2013-12-08T01:45:40Z
2011
Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств / В.И. Гаврыш, А.И. Косач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51760
Решена граничная задача теплопроводности для изотропной полосы с инородным прямоугольным включением, на одной из границ которой осуществляется конвективный теплообмен с внешней средой, а другая нагревается тепловым потоком.
За допомогою методу, заснованого на використанні узагальнених функцій, побудовано рівняння теплопровід ності з розривними та сингулярними коефіцієнтами для ізотропної смуги їз чужорідним включенням прямокутної форми. Із застосуванням методу інтегральних перетворень отримано аналітичне розвўязання цього рівняння у випадку, коли на одній з границь смуги здійснюється конвективний теплообмін із зовнішнім середовищем, а інша границя нагрівається тепловим потоком. При цьому проведено кусково-лінійну апроксимацію шуканої температури на границях чужорідного включення з використанням узагальнених функцій.
The heat equation with discontinuous and singular coefficients for isotropic band with foreign rectangular inclusion has been built with the use of generalized functions based method. Using the of integral transformftions the analytical solution of this equation has been obtained in case when on one of the band bounds the convective heat transfer with the environment takes place, but the other is under the heat flow. The piecewise-linear approximation of the required temperature at the boundaries of foreign inclusions using generalized functions has been conducted.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Обеспечение тепловых режимов
Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
Моделювання температурних режимов в елементах мікроелектронних пристроїв
Simulation of temperature conditions in the elements of microelectronic devices
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
spellingShingle Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
Гаврыш, В.И.
Косач, А.И.
Обеспечение тепловых режимов
title_short Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
title_full Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
title_fullStr Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
title_full_unstemmed Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
title_sort моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
author Гаврыш, В.И.
Косач, А.И.
author_facet Гаврыш, В.И.
Косач, А.И.
topic Обеспечение тепловых режимов
topic_facet Обеспечение тепловых режимов
publishDate 2011
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Моделювання температурних режимов в елементах мікроелектронних пристроїв
Simulation of temperature conditions in the elements of microelectronic devices
description Решена граничная задача теплопроводности для изотропной полосы с инородным прямоугольным включением, на одной из границ которой осуществляется конвективный теплообмен с внешней средой, а другая нагревается тепловым потоком. За допомогою методу, заснованого на використанні узагальнених функцій, побудовано рівняння теплопровід ності з розривними та сингулярними коефіцієнтами для ізотропної смуги їз чужорідним включенням прямокутної форми. Із застосуванням методу інтегральних перетворень отримано аналітичне розвўязання цього рівняння у випадку, коли на одній з границь смуги здійснюється конвективний теплообмін із зовнішнім середовищем, а інша границя нагрівається тепловим потоком. При цьому проведено кусково-лінійну апроксимацію шуканої температури на границях чужорідного включення з використанням узагальнених функцій. The heat equation with discontinuous and singular coefficients for isotropic band with foreign rectangular inclusion has been built with the use of generalized functions based method. Using the of integral transformftions the analytical solution of this equation has been obtained in case when on one of the band bounds the convective heat transfer with the environment takes place, but the other is under the heat flow. The piecewise-linear approximation of the required temperature at the boundaries of foreign inclusions using generalized functions has been conducted.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51760
citation_txt Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств / В.И. Гаврыш, А.И. Косач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT gavryšvi modelirovanietemperaturnyhrežimovvélementahmikroélektronnyhustroistv
AT kosačai modelirovanietemperaturnyhrežimovvélementahmikroélektronnyhustroistv
AT gavryšvi modelûvannâtemperaturnihrežimovvelementahmíkroelektronnihpristroív
AT kosačai modelûvannâtemperaturnihrežimovvelementahmíkroelektronnihpristroív
AT gavryšvi simulationoftemperatureconditionsintheelementsofmicroelectronicdevices
AT kosačai simulationoftemperatureconditionsintheelementsofmicroelectronicdevices
first_indexed 2025-12-07T17:36:42Z
last_indexed 2025-12-07T17:36:42Z
_version_ 1850871909004083200