Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
Исследованы пространственное распределение параметров плазмы и однородность потока ионов, направленного на обрабатываемую поверхность в плазмохимическом реакторе. Полученные результаты могут быть использованы в технологиях производства микроэлектронных приборов. Представлено результати експериментал...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51764 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников / С.В. Дудин, В.А. Лисовский, А.Н. Дахов, В.М. Плетнёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 42-48. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862599803727249408 |
|---|---|
| author | Дудин, С.В. Лисовский, В.А. Дахов, А.Н. Плетнёв, В.М. |
| author_facet | Дудин, С.В. Лисовский, В.А. Дахов, А.Н. Плетнёв, В.М. |
| citation_txt | Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников / С.В. Дудин, В.А. Лисовский, А.Н. Дахов, В.М. Плетнёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 42-48. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследованы пространственное распределение параметров плазмы и однородность потока ионов, направленного на обрабатываемую поверхность в плазмохимическом реакторе. Полученные результаты могут быть использованы в технологиях производства микроэлектронных приборов.
Представлено результати експериментальних і теоретичних досліджень реактора для плазмово-хімічного травлення напівпровідникових матеріалів на базі ВЧ ємнісного розряду з асиметричними електродами. Отримано криві запалювання та області існування розряду для різних робочих газів (аргон, фреон, кисень). Знайдено залежності постійної напруги автозсуѕу від ВЧ-напруги, що подається на електрод. Виміряно радіальні профілі щільності струму іонів на оброблювану поверхню та їх поводження при зміні параметрів розряду для різних газів. Проведено порівняння отриманих результатів з розрахунками, виконаними з використанням двовимірної математичної моделі OOPІC.
Results of experimental and theoretical study of RF CCP reactor for reactive ion etching of semiconductors are presented. Breakdown curve and domain of the discharge existence are measured in various gases (argon, fluorocarbon, oxygen). The dependences of the DC selfbias potential on the RF voltage applied to the electrode have been found. The radial profiles of the ion current density to the processed surface and their behavior with the discharge parameters change are presented for various gases. The experimental data are compared to the numerical simulation results obtained using the OOPIC code.
|
| first_indexed | 2025-11-27T22:11:02Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51764 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T22:11:02Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Дудин, С.В. Лисовский, В.А. Дахов, А.Н. Плетнёв, В.М. 2013-12-08T01:58:34Z 2013-12-08T01:58:34Z 2011 Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников / С.В. Дудин, В.А. Лисовский, А.Н. Дахов, В.М. Плетнёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 42-48. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51764 Исследованы пространственное распределение параметров плазмы и однородность потока ионов, направленного на обрабатываемую поверхность в плазмохимическом реакторе. Полученные результаты могут быть использованы в технологиях производства микроэлектронных приборов. Представлено результати експериментальних і теоретичних досліджень реактора для плазмово-хімічного травлення напівпровідникових матеріалів на базі ВЧ ємнісного розряду з асиметричними електродами. Отримано криві запалювання та області існування розряду для різних робочих газів (аргон, фреон, кисень). Знайдено залежності постійної напруги автозсуѕу від ВЧ-напруги, що подається на електрод. Виміряно радіальні профілі щільності струму іонів на оброблювану поверхню та їх поводження при зміні параметрів розряду для різних газів. Проведено порівняння отриманих результатів з розрахунками, виконаними з використанням двовимірної математичної моделі OOPІC. Results of experimental and theoretical study of RF CCP reactor for reactive ion etching of semiconductors are presented. Breakdown curve and domain of the discharge existence are measured in various gases (argon, fluorocarbon, oxygen). The dependences of the DC selfbias potential on the RF voltage applied to the electrode have been found. The radial profiles of the ion current density to the processed surface and their behavior with the discharge parameters change are presented for various gases. The experimental data are compared to the numerical simulation results obtained using the OOPIC code. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников Високочастотний реактор з асиметричними електродами для однорідного плазмохімічного травлення напівпровідників RF reactor with asymmetrical electrodes for reactive ion etching of semiconductors Article published earlier |
| spellingShingle | Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников Дудин, С.В. Лисовский, В.А. Дахов, А.Н. Плетнёв, В.М. Технологические процессы и оборудование |
| title | Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников |
| title_alt | Високочастотний реактор з асиметричними електродами для однорідного плазмохімічного травлення напівпровідників RF reactor with asymmetrical electrodes for reactive ion etching of semiconductors |
| title_full | Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников |
| title_fullStr | Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников |
| title_full_unstemmed | Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников |
| title_short | Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников |
| title_sort | высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51764 |
| work_keys_str_mv | AT dudinsv vysokočastotnyireaktorsasimmetričnymiélektrodamidlâplazmohimičeskogotravleniâpoluprovodnikov AT lisovskiiva vysokočastotnyireaktorsasimmetričnymiélektrodamidlâplazmohimičeskogotravleniâpoluprovodnikov AT dahovan vysokočastotnyireaktorsasimmetričnymiélektrodamidlâplazmohimičeskogotravleniâpoluprovodnikov AT pletnevvm vysokočastotnyireaktorsasimmetričnymiélektrodamidlâplazmohimičeskogotravleniâpoluprovodnikov AT dudinsv visokočastotniireaktorzasimetričnimielektrodamidlâodnorídnogoplazmohímíčnogotravlennânapívprovídnikív AT lisovskiiva visokočastotniireaktorzasimetričnimielektrodamidlâodnorídnogoplazmohímíčnogotravlennânapívprovídnikív AT dahovan visokočastotniireaktorzasimetričnimielektrodamidlâodnorídnogoplazmohímíčnogotravlennânapívprovídnikív AT pletnevvm visokočastotniireaktorzasimetričnimielektrodamidlâodnorídnogoplazmohímíčnogotravlennânapívprovídnikív AT dudinsv rfreactorwithasymmetricalelectrodesforreactiveionetchingofsemiconductors AT lisovskiiva rfreactorwithasymmetricalelectrodesforreactiveionetchingofsemiconductors AT dahovan rfreactorwithasymmetricalelectrodesforreactiveionetchingofsemiconductors AT pletnevvm rfreactorwithasymmetricalelectrodesforreactiveionetchingofsemiconductors |