Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
Исследованы пространственное распределение параметров плазмы и однородность потока ионов, направленного на обрабатываемую поверхность в плазмохимическом реакторе. Полученные результаты могут быть использованы в технологиях производства микроэлектронных приборов. Представлено результати експериментал...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | Дудин, С.В., Лисовский, В.А., Дахов, А.Н., Плетнёв, В.М. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51764 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников / С.В. Дудин, В.А. Лисовский, А.Н. Дахов, В.М. Плетнёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 42-48. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Федорович, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Федорович, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Широкоапертурный высокочастотный источник ионов низкой энергии с электронной компенсацией
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Высокотемпературные стабильные растворы химического меднения и травления в производстве печатных плат
von: Гилене, О.
Veröffentlicht: (1998)
von: Гилене, О.
Veröffentlicht: (1998)
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
von: Пилипенко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Пилипенко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
von: Тыныныка, А.Н
Veröffentlicht: (2016)
von: Тыныныка, А.Н
Veröffentlicht: (2016)
Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Автоматизированная система регистрации циклов при вибрационных испытаниях образца
von: Усов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Усов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Автоматизированная система оперативного контроля процесса плазмохимического травления в реакторе на базе ВЧ индукционного разряда
von: Дудин, С.В.
Veröffentlicht: (2006)
von: Дудин, С.В.
Veröffentlicht: (2006)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Источник магнитных полей сложной энергочастотной и поляризационной структуры
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD
von: Глушко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Глушко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Информационные параметры для реализации адаптивной зарядки вторичных химических источников тока
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур
von: Макара, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Макара, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Измерительно-вычислительный комплекс СМ-100 для характеризации жидкокристаллических дисплеев
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
von: Будзуляк, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Будзуляк, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Получение высокочистых гранулированных металлов: кадмия, цинка, свинца
von: Щербань, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Щербань, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Повышение помехоустойчивости бинаризации изображений фотошаблонов в пространстве вейвлет-преобразования
von: Щербакова, Г.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Щербакова, Г.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Ähnliche Einträge
-
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Федорович, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Широкоапертурный высокочастотный источник ионов низкой энергии с электронной компенсацией
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)