Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
Рассмотрены принципы построения технологических модулей. Показаны значения контактного сопротивления пленок, полученных с помощью установок электронно-лучевого напыления серии STE EB и установок быстрого термического отжига серии STE RTA. Розглянуто особливості технологічного процесу формування оміч...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51765 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅ / С.Б Александров.,К.М. Крупальник, Н.А. Корнилов, Т.А. Кондратьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 49-52. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860235735209082880 |
|---|---|
| author | Александров, С.Б. Крупальник, К.М. Корнилов, Н.А. Кондратьева, Т.А. |
| author_facet | Александров, С.Б. Крупальник, К.М. Корнилов, Н.А. Кондратьева, Т.А. |
| citation_txt | Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅ / С.Б Александров.,К.М. Крупальник, Н.А. Корнилов, Т.А. Кондратьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 49-52. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Рассмотрены принципы построения технологических модулей. Показаны значения контактного сопротивления пленок, полученных с помощью установок электронно-лучевого напыления серии STE EB и установок быстрого термического отжига серии STE RTA.
Розглянуто особливості технологічного процесу формування омічних контактів напівпровідникових приладів на основі сполук A₃B₅, загальні принципи побудови технологічних модулів. Показано результати, отримані за допомогою установок електронно-променевого напилення серії STE EB і установок швидкого термічного відпалу серії STE RTA.
Technological process features of ohmic contacts formation in semi-conductor devices based on A₃B₅ connections and the general principles of technological modules construction are considered. The results received by means of installations of an electron-beam evaporation of STE EB series and installations of fast thermal annealing of STE RTA series are shown.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:23:33Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2011, ¹ 1�2
49
ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
06.10 2010 ã.
Îïïîíåíò ê. ò. í. Â. È. ÁÎÑÛÉ
(ÍÏÏ «Ñàòóðí», ã. Êèåâ)
Ê. ò. í. Ñ. Á. ÀËÅÊÑÀÍÄÐÎÂ, Ê. Ì. ÊÐÓÏÀËÜÍÈÊ,
Í. À. ÊÎÐÍÈËÎÂ, Ò. À. ÊÎÍÄÐÀÒÜÅÂÀ
Ðîññèÿ, ã. Ñàíêò-Ïåòåðáóðã, ÇÀÎ «Íàó÷íîå è òåõíîëîãè÷åñêîå îáîðóäîâàíèå»
E-mail: sales@semiteq.ru
ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ ÄËß ÔÎÐÌÈÐÎÂÀÍÈß ÎÌÈ×ÅÑÊÈÕ
ÊÎÍÒÀÊÒÎÂ ÏÎËÓÏÐÎÂÎÄÍÈÊÎÂÛÕ ÏÐÈÁÎÐÎÂ ÍÀ
ÎÑÍÎÂÅ ÑÎÅÄÈÍÅÍÈÉ À
3
Â
5
Ðàññìîòðåíû ïðèíöèïû ïîñòðîåíèÿ
òåõíîëîãè÷åñêèõ ìîäóëåé. Ïîêàçàíû
çíà÷åíèÿ êîíòàêòíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ
ïëåíîê, ïîëó÷åííûõ ñ ïîìîùüþ óñòàíî-
âîê ýëåêòðîííî-ëó÷åâîãî íàïûëåíèÿ ñå-
ðèè STE EB è óñòàíîâîê áûñòðîãî òåð-
ìè÷åñêîãî îòæèãà ñåðèè STE RTA.
Ñîâðåìåííûå ïîëóïðîâîäíèêîâûå ïðèáîðû íà
îñíîâå ãåòåðîñòðóêòóð À3Â5 ÿâëÿþòñÿ ïåðñïåêòèâíîé
ýëåìåíòíîé áàçîé ìèêðîýëåêòðîíèêè. Â Ðîññèè ñî-
çäàíèå íà èõ îñíîâå òðàíçèñòîðîâ, ÑÂ× èíòåãðàëü-
íûõ ñõåì è ò. ï. ñåé÷àñ íàõîäèòñÿ íà ñòàäèè çàâåðøà-
þùèõñÿ îïûòíî-êîíñòðóêòîðñêèõ ðàáîò. Çà ïîñëåä-
íèå äåñÿòü ëåò áûë ðåøåí ðÿä ñëîæíûõ òåõíîëîãè-
÷åñêèõ çàäà÷, â òîì ÷èñëå ñâÿçàííûõ ñ ýòàïàìè ïîñò-
ðîñòîâîãî öèêëà ïëàíàðíûõ îïåðàöèé. Îäíàêî âñå åùå
ñóùåñòâóþò ñëîæíîñòè ñ ðåàëèçàöèåé òàêèõ âàæíåé-
øèõ îïåðàöèé, êàê ôîðìèðîâàíèå îìè÷åñêèõ êîíòàê-
òîâ ê ïðèáîðàì íà îñíîâå ãåòåðîñòðóêòóð À3Â5.
Òåõíîëîãè÷åñêèé ïðîöåññ ôîðìèðîâàíèÿ îìè÷å-
ñêîãî êîíòàêòà ñîñòîèò èç äâóõ îñíîâíûõ ýòàïîâ: ñî-
çäàíèå íåïîñðåäñòâåííî êîíòàêòíîé ìåòàëëèçàöèè è
åå äàëüíåéøàÿ òåðìè÷åñêàÿ îáðàáîòêà. Ïîëó÷åííûé
êîíòàêò äîëæåí èìåòü êàê ìîæíî áîëåå âûñîêóþ ýëåê-
òðîïðîâîäíîñòü è òåïëîïðîâîäíîñòü, âíîñèòü êàê
ìîæíî ìåíüøèå ìåõàíè÷åñêèå íàïðÿæåíèÿ, èìåòü
õîðîøóþ àäãåçèþ ê ïîâåðõíîñòè ýïèòàêñèàëüíîé
ñòðóêòóðû, íèçêóþ øåðîõîâàòîñòü, áûòü òåõíîëîãè÷-
íûì è âîñïðîèçâîäèìûì.
Ôîðìèðîâàíèå êîíòàêòíîé ìåòàëëèçàöèè
Ñàìûì ñîâðåìåííûì ìåòîäîì ôîðìèðîâàíèÿ êîí-
òàêòíîé ìåòàëëèçàöèè ÿâëÿåòñÿ ýëåêòðîííî-ëó÷åâîå
íàïûëåíèå. Òàêàÿ òåõíîëîãèÿ ïðåäïîëàãàåò íèçêèé
óðîâåíü ïðåäîïåðàöèîííîãî äàâëåíèÿ � íå áîëåå
1·10�7 Ïà è ïîçâîëÿåò îñàæäàòü ñâåðõ÷èñòûå ìåòàë-
ëè÷åñêèå ïîêðûòèÿ â âûñîêîì è ñâåðõâûñîêîì âà-
êóóìå, ÷òî èñêëþ÷àåò âëèÿíèå ôîíà óñòàíîâêè íà õîä
òåõíîëîãè÷åñêîãî ïðîöåññà è åãî ðåçóëüòàòû äëÿ ïðè-
áîðîâ íà îñíîâå øèðîêîçîííûõ è ñëàáîëåãèðîâàí-
íûõ ïîëóïðîâîäíèêîâ [1].
Íà ÷èñòîòó îñàæäåííîãî ïîêðûòèÿ íåïîñðåäñòâåí-
íî âëèÿåò ïðîöåññ çàãðóçêè îáðàçöîâ â òåõíîëîãè-
÷åñêèé ìîäóëü, à òàêæå ïðîöåññ ïðåäâàðèòåëüíîé ïîä-
ãîòîâêè îáðàçöà. Òàê, íàïðèìåð, åñëè ïðîâîäèòü
î÷èñòêó îáðàçöà èîííûì ïó÷êîì, òî ýòî ïðèâåäåò ê
ðàñïûëåíèþ çàãðÿçíåíèé è îêñèäîâ ñ åãî ïîâåðõíî-
ñòè è ê êîíäåíñàöèè óäàëÿåìûõ ïðîäóêòîâ íà âíóò-
ðåííåé ïîâåðõíîñòè êàìåðû íàïûëåíèÿ è íà íàãðåâà-
åìûõ óçëàõ èñïàðèòåëÿ (íà ìèøåíè). Â ïðîöåññå íà-
ïûëåíèÿ ñëîÿ ìåòàëëà ýòè çàãðÿçíåíèÿ âñòðîÿòñÿ â
ïîòîê âåùåñòâà è, êàê ñëåäñòâèå, â ñîñòàâ ïëåíêè.
Äëÿ óñòðàíåíèÿ âëèÿíèÿ ïåðå÷èñëåííûõ ôàêòîðîâ
íà ïðîöåññ îñàæäåíèÿ ïëåíêè ìåòàëëèçàöèè áûëà
ïðåäëîæåíà äâóõêàìåðíàÿ ñèñòåìà ýëåêòðîííî-ëó÷å-
âîãî íàïûëåíèÿ. Ïåðâàÿ êàìåðà (øëþç) ïî ñóòè ÿâ-
ëÿåòñÿ êàìåðîé î÷èñòêè è ïîäãîòîâêè îáðàçöîâ, â
êîòîðîé ïðè íåîáõîäèìîñòè ìîæåò áûòü óñòàíîâëåíà
èîííàÿ ïóøêà äëÿ î÷èñòêè îáðàçöîâ. Çàãðóçêà îá-
ðàçöîâ â êàìåðó íàïûëåíèÿ ïðîèñõîäèò ÷åðåç øëþ-
çîâîé çàòâîð, ÷òî ïîëíîñòüþ èñêëþ÷àåò çàãðÿçíåíèå
êàìåðû äî íà÷àëà ïðîöåññà íàïûëåíèÿ, âî âðåìÿ çà-
ãðóçêè è î÷èñòêè îáðàçöà, à òàêæå ïîñëå íàïûëåíèÿ,
ïðè ïîñëåäóþùåé ïåðåçàãðóçêå. Â êàìåðå íàïûëåíèÿ
òàêæå ìîæåò áûòü óñòàíîâëåíî äîïîëíèòåëüíîå àíà-
ëèòè÷åñêîå îáîðóäîâàíèå.
Ýòîò ïðèíöèï ðàçäåëåíèÿ êàìåðû íà äâå ëåã â îñ-
íîâó ñîçäàíèÿ âûïóñêàåìûõ êîìïàíèåé ÇÀÎ «ÍÒλ
óñòàíîâîê ýëåêòðîííî-ëó÷åâîãî íàïûëåíèÿ ñåðèè STE
EB. Íàèáîëåå ñîâåðøåííîé èç íèõ ÿâëÿåòñÿ äâóõêà-
ìåðíàÿ óñòàíîâêà STE EB 71 (ðèñ. 1), ïîçâîëÿþùàÿ
ðàñïîëàãàòü èîííóþ ïóøêó â êàìåðå ïîäãîòîâêè. Êîí-
ñòðóêöèÿ êàìåðû íàïûëåíèÿ îáåñïå÷èâàåò óðîâåíü
ïðåäîïåðàöèîííîãî äàâëåíèÿ äî 10�9 Ïà. Óñòàíîâêà
ñíàáæåíà ýëåêòðîííî-ëó÷åâûì èñïàðèòåëåì ìîùíîñ-
òüþ 6 êÂò è âàðüèðóåìûì íàáîðîì ÿ÷ååê (äî 7) îáúå-
ìîì îò 7 äî 15 ñì3. Ðàññòîÿíèå ìåæäó èñïàðèòåëåì è
Ðèñ. 1. Óñòàíîâêà ýëåêòðîííî-ëó÷åâîãî íàïûëåíèÿ
STE EB 71
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2011, ¹ 1�2
50
ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
îáðàáàòûâàåìûìè îáðàçöàìè èçìåíÿåòñÿ â äèàïàçîíå
200�400 ìì. Ìîæíî îáðàáàòûâàòü îáðàçöû äèàìåò-
ðîì äî 150 ìì èëè íåñêîëüêî îáðàçöîâ ìåíüøèõ äè-
àìåòðîâ íà ïëîñêîì èëè ñôåðè÷åñêîì äåðæàòåëå ñ
âîçìîæíîñòüþ åãî ïðîãðåâà è âðàùåíèÿ â ïðîöåññå
îñàæäåíèÿ. Çàãðóçêà è âûãðóçêà îáðàçöîâ àâòîìàòè-
çèðîâàíà.
Òåðìè÷åñêàÿ îáðàáîòêà
Òåðìè÷åñêàÿ îáðàáîòêà ïëåíêè êîíòàêòíîé ìåòàë-
ëèçàöèè ïîñëå åå îñàæäåíèÿ îïðåäåëÿåò òàêèå êëþ÷å-
âûå ïàðàìåòðû êîíòàêòà êàê ìîðôîëîãèÿ è îìè÷åñêîå
ñîïðîòèâëåíèå. Ïðè ýòîì îáðàáîòêà îáðàçöîâ íà îñ-
íîâå ãåòåðîñòðóêòóð À3Â5, èìåþùèõ â êà÷åñòâå ïîä-
ëîæåê ìàòåðèàëû ñ íåîäíîðîäíûì ïîãëîùåíèåì îï-
òè÷åñêîãî èçëó÷åíèÿ ïî ïîâåðõíîñòè, òàêèå êàê êàð-
áèä êðåìíèÿ, ñàïôèð è äð., ñîïðÿæåíà ñ ðÿäîì òåõ-
íîëîãè÷åñêèõ òðóäíîñòåé.
Âàæíåéøèìè òåõíîëîãè÷åñêèìè ïàðàìåòðàìè ïðî-
öåññà òåðìè÷åñêîé îáðàáîòêè ÿâëÿþòñÿ òåìïåðàòóðà
ïðîöåññà, ñêîðîñòü è îäíîðîäíîñòü íàãðåâà îáðàçöà.
Òàê, äëÿ îòæèãà êîíòàêòíîé ìåòàëëèçàöèè ê òðàíçèñ-
òîðíûì ãåòåðîñòðóêòóðàì íà îñíîâå íèòðèäà ãàëëèÿ
òðåáóåòñÿ ñêîðîñòü íàãðåâà îáðàçöà ïîðÿäêà 30°Ñ/ñ
ïðè ìàêñèìàëüíîé òåìïåðàòóðå 800�850°Ñ [2]. Äî-
ïóñòèìàÿ íåîäíîðîäíîñòü íàãðåâà ïðè ýòîì íå äîëæ-
íà ïðåâûøàòü 5�7% äëÿ îáðàçöà äèàìåòðîì 100 ìì.
Ïîäîáíûå òåõíîëîãè÷åñêèå ïàðàìåòðû èñïîëüçóþò-
ñÿ äëÿ ñîçäàíèÿ êîíòàêòíîé ìåòàëëèçàöèè íà îñíîâå
ñèñòåìû ìåòàëëîâ «òèòàí � àëþìèíèé», íàïðèìåð
Ti/Al/Ni/Au. Ïðè ýòîì îòíîñèòåëüíî íèçêàÿ òåìïåðà-
òóðà ïëàâëåíèÿ àëþìèíèÿ äèêòóåò íåîáõîäèìîñòü â
âûñîêîé ñêîðîñòè íàãðåâà îáðàçöà äëÿ èñêëþ÷åíèÿ
âëèÿíèÿ ðàñïëàâëåííîãî àëþìèíèÿ íà ñòðóêòóðó êîí-
òàêòà âî èçáåæàíèå åãî äåãðàäàöèè [3]. Âûñîêàÿ ìàê-
ñèìàëüíàÿ òåìïåðàòóðà ïðîöåññà îáóñëîâëåíà âûñî-
êîé, áîëåå 800°Ñ, òåìïåðàòóðîé îáðàçîâàíèÿ ôàçû
TixNy, êîòîðàÿ «ñâÿçûâàåò» àçîò èç ïðèïîâåðõíîñòíî-
ãî ñëîÿ ïîëóïðîâîäíèêà, ñîçäàâàÿ âàêàíñèè, êîòî-
ðûå, â ñâîþ î÷åðåäü, ÿâëÿþòñÿ äîíîðàìè äëÿ íèò-
ðèäíûõ ìàòåðèàëîâ.
Òàêèì îáðàçîì, äëÿ ôîðìèðîâàíèÿ îìè÷åñêèõ
êîíòàêòîâ ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ïðèáîðîâ íà îñíîâå
ãåòåðîñòðóêòóð À3Â5 íåîáõîäèìî ïðîâåñòè áûñòðóþ
âûñîêîòåìïåðàòóðíóþ îáðàáîòêó ìåòàëëèçàöèè. Òà-
êîé ïðîöåññ ïðèíÿòî íàçûâàòü âçðûâíûì âæèãàíèåì
[4].  ðÿäå ñëó÷àåâ äëÿ òåðìè÷åñêîé îáðàáîòêè êîí-
òàêòíîé ìåòàëëèçàöèè ê íèòðèäíûì ãåòåðîñòðóêòóðàì
èñïîëüçóåòñÿ òàê íàçûâàåìûé ôëåø-ïðîöåññ [5].
 ñîñòàâå êîíñòðóêöèè áîëüøèíñòâà ñîâðåìåííûõ
óñòàíîâîê òåðìè÷åñêîé îáðàáîòêè èìååòñÿ íàãðåâà-
òåëüíûé ýëåìåíò íà îñíîâå ãàëîãåííûõ ëàìï íàêàëè-
âàíèÿ. Òàêèå íàãðåâàòåëüíûå ýëåìåíòû îáëàäàþò íèç-
êîé èíåðöèîííîñòüþ è ïîçâîëÿþò äîñòè÷ü ñêîðîñòè
íàãðåâà îáðàçöà 40°Ñ/ñ è áîëåå, à òàêæå ðåàëèçîâàòü
ÏÈÄ-çàêîí äëÿ ïðåöèçèîííîãî óïðàâëåíèÿ ïðîöåñ-
ñîì òåìïåðàòóðíîé îáðàáîòêè.
Îáùèé ïðèíöèï ïîñòðîåíèÿ óñòàíîâîê òåðìè÷å-
ñêîé îáðàáîòêè ïðåäñòàâëåí íà ðèñ. 2. Îäíàêî îí èìå-
åò ðÿä ñóùåñòâåííûõ íåäîñòàòêîâ, îñíîâíûì èç êî-
òîðûõ ÿâëÿåòñÿ çíà÷èòåëüíàÿ íåîäíîðîäíîñòü íàãðå-
âà îáðàçöîâ ñ íåîäíîðîäíûì ïîãëîùåíèåì îïòè÷å-
ñêîãî èçëó÷åíèÿ ïî ïîâåðõíîñòè. Ê ïîäîáíûì îáðàç-
öàì îòíîñÿòñÿ, íàïðèìåð, ïîëóïðîâîäíèêîâûå òðàí-
çèñòîðíûå ãåòåðîñòðóêòóðû, âûðàùåííûå íà ñàïôè-
ðîâûõ ïîäëîæêàõ. Òàêèå îáðàçöû, êàê ïðàâèëî, íå
èìåþò ïîñòîÿííîé ñòåïåíè çàïîëíåíèÿ ìåòàëëîì
ñôîðìèðîâàííîé íà ïîâåðõíîñòè ïëåíêè, ÷òî ïðèâî-
äèò ê íåîäíîðîäíîñòè íàãðåâà îáðàçöà è íèçêîé ïî-
âòîðÿåìîñòè òåõíîëîãè÷åñêîãî ïðîöåññà â ïðîèçâîä-
ñòâåííîì öèêëå, îñîáåííî ïðè îáðàáîòêå ìåëêèõ ñå-
ðèé îáðàçöîâ ðàçëè÷íûõ òèïîâ.
Êðîìå òîãî, ïðèíöèï ðàñïîëîæåíèÿ ëàìï âíóòðè
íàãðåâàòåëüíîãî ýëåìåíòà òàêæå âëèÿåò íà îäíîðîä-
íîñòü íàãðåâà îáðàçöà çà ñ÷åò íåîäíîðîäíîãî ðàñ-
ïðåäåëåíèÿ ïàäàþùåãî íà åãî ïîâåðõíîñòü èçëó÷å-
íèÿ. Ïðè òåìïåðàòóðàõ ïîðÿäêà 600�800°Ñ ýòî âëè-
ÿíèå ïðîÿâëÿåòñÿ â ïîÿâëåíèè ñâåòëûõ è òåìíûõ ïÿ-
òåí íà ïîâåðõíîñòè ïîëóïðîâîäíèêîâîé ïëàñòèíû, ñî-
îòâåòñòâóþùèõ ôîðìå è ðàñïîëîæåíèþ ãàëîãåííûõ
ëàìï íàêàëèâàíèÿ â íàãðåâàòåëüíîì ýëåìåíòå. Òàêîé
íåäîñòàòîê ìîæíî êîìïåíñèðîâàòü, ðàñïîëàãàÿ íå-
ñêîëüêî ìàññèâîâ ëàìï ñ ðàçíûõ ñòîðîí îáðàçöà â
ðàçëè÷íûõ êîíôèãóðàöèÿõ, â òîì ÷èñëå ýòî ìîãóò áûòü
äâà ïàðàëëåëüíûõ ìàññèâà, îáðàçóþùèå ðåøåòêó.
Ñïåêòð èçëó÷åíèÿ ëèíåéíûõ ãàëîãåííûõ ëàìï íà-
êàëèâàíèÿ òàêæå âëèÿåò íà îäíîðîäíîñòü è ýôôåê-
òèâíîñòü íàãðåâà îáðàçöà. Òàê, íàèáîëåå ðàñïðîñò-
ðàíåííûå ëèíåéíûå ãàëîãåííûå ëàìïû ñ áèñïèðàëü-
íîé íèòüþ íàêàëèâàíèÿ èìåþò øèðîêèé ñïåêòð èçëó-
÷åíèÿ, ÷àñòü êîòîðîãî ëåæèò â âèäèìîì äèàïàçîíå. Â
òî æå âðåìÿ, ïîäëîæêà è ñôîðìèðîâàííàÿ ìåòàëëè-
çàöèÿ èìåþò ðàçëè÷íûå êîýôôèöèåíòû ïîãëîùåíèÿ
òàêîãî èçëó÷åíèÿ, ÷òî è îáóñëàâëèâàåò íåîäíîðîä-
íîñòü íàãðåâà. Ýôôåêòèâíîñòü íàãðåâà îáðàçöà îïðå-
äåëÿåòñÿ åãî êîýôôèöèåíòîì ïîãëîùåíèÿ, êîòîðûé
óâåëè÷èâàåòñÿ ñ óâåëè÷åíèåì äëèíû âîëíû èçëó÷å-
íèÿ. Ñ ýòîé òî÷êè çðåíèÿ, âèäèìàÿ ÷àñòü ñïåêòðà èç-
ëó÷åíèÿ ãàëîãåííûõ ëàìï íàêàëèâàíèÿ óìåíüøàåò ýô-
ôåêòèâíîñòü íàãðåâà îáðàçöà. Äëÿ ïîâûøåíèÿ ýôôåê-
òèâíîñòè íàãðåâà ìîæíî èñïîëüçîâàòü èíôðàêðàñíûå
ãàëîãåííûå ëàìïû, ñïåêòð èçëó÷åíèÿ êîòîðûõ òàêæå
øèðîêèé, îäíàêî åãî ïèê çíà÷èòåëüíî ñäâèíóò â äëèí-
íîâîëíîâóþ îáëàñòü.
Äëÿ êîìïåíñàöèè ïåðå÷èñëåííûõ íåäîñòàòêîâ íà-
ãðåâàòåëüíûõ ýëåìåíòîâ íà îñíîâå ãàëîãåííûõ ëàìï
íàêàëèâàíèÿ áûëà ïðåäëîæåíà êîíñòðóêöèÿ òåðìîñòà-
òèðóþùåãî ýëåìåíòà, êîòîðàÿ ëåãëà â îñíîâó ëèíèè
Ðèñ. 2. Ïðèíöèïèàëüíàÿ ñõåìà óñòàíîâêè òåðìè÷åñêîé
îáðàáîòêè êîíòàêòíîé ìåòàëëèçàöèè:
1 � ìàññèâ ãàëîãåííûõ ëàìï íàêàëèâàíèÿ; 2 � êâàðöåâîå îêíî
äëÿ ââîäà èçëó÷åíèÿ; 3 � îáðàçåö; 4 � äåðæàòåëü îáðàçöà
1
2
3 4
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2011, ¹ 1�2
51
ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
ñåðèéíî âûïóñêàåìûõ óñòàíîâîê áûñòðîãî òåðìè÷å-
ñêîãî îòæèãà êîìïàíèè ÇÀÎ �ÍÒÎ�.  êà÷åñòâå òåð-
ìîñòàòèðóþùåãî ýëåìåíòà â íèõ èñïîëüçóåòñÿ äåð-
æàòåëü îáðàçöà, èçãîòîâëåííûé èç ìàòåðèàëà, ïîçâî-
ëÿþùåãî óëó÷øèòü ðàñïðåäåëåíèå ïàäàþùåãî íà îá-
ðàçåö èçëó÷åíèÿ.  ýòîì ñëó÷àå îáðàçåö ïîãëîùàåò
íå ïåðâè÷íîå èçëó÷åíèå îò ãàëîãåííûõ ëàìï, à âòî-
ðè÷íîå èçëó÷åíèå òåðìîñòàòèðóþùåãî ýëåìåíòà, èñ-
ïóñêàåìîå íà äëèíå âîëíû, ñîîòâåòñòâóþùåé åãî òåì-
ïåðàòóðå. Íà îñíîâå ðàñ÷åòîâ è ïðîâåäåííûõ ýêñïå-
ðèìåíòîâ â êà÷åñòâå ìàòåðèàëà äëÿ òåðìîñòàòèðóþ-
ùåãî ýëåìåíòà áûë âûáðàí ïèðîëèòè÷åñêèé ãðàôèò.
Ïðåäëîæåííûé òåðìîñòàòèðóþùèé ýëåìåíò ïðåäñòàâ-
ëÿåò ñîáîé äâà ïëîñêèõ äèñêà, ìåæäó êîòîðûìè ðàñ-
ïîëàãàåòñÿ îáðàçåö. Ïðè òåìïåðàòóðàõ ïðîöåññà ïî-
ðÿäêà 800�1000°Ñ ñïåêòð èçëó÷åíèÿ ïîäîáíîãî ýëå-
ìåíòà áóäåò ëåæàòü â èíôðàêðàñíîé îáëàñòè. Îáðà-
çåö áóäåò áîëåå ýôôåêòèâíî ïîãëîùàòü òàêîå èçëó÷å-
íèå, ÷åì èçëó÷åíèå ãàëîãåííûõ ëàìï ñ áîëåå øèðî-
êèì ñïåêòðîì. Êðîìå òîãî, èñïîëüçîâàíèå äâóõ äèñ-
êîâ ñïîñîáñòâóåò âûðàâíèâàíèþ òåìïåðàòóðû îáðàç-
öà, ò. ê. ôàêòè÷åñêè òåïëîâàÿ «çàñâåòêà» ïðîèñõîäèò
ñ äâóõ ñòîðîí. Ïîìèìî òåðìîñòàòèðóþùåãî ýëåìåí-
òà, âî âñåõ óñòàíîâêàõ òåðìè÷åñêîãî îòæèãà òàêæå
ïðèìåíÿþòñÿ ñèñòåìû òåïëîâûõ ýêðàíîâ, ïîçâîëÿþ-
ùèå ïîâûñèòü ýôôåêòèâíîñòü è óâåëè÷èòü îäíîðîä-
íîñòü íàãðåâà îáðàçöà (ðèñ. 3).
Ïî òàêîé ñõåìå áûëè ðåàëèçîâàíû óñòàíîâêè
STE RTA 79 è STE RTA 70H (ðèñ. 4), ïðåäíàçíà÷åí-
íûå äëÿ ïðîâåäåíèÿ áûñòðîé òåìïåðàòóðíîé îáðàáîò-
êè â óïðàâëÿåìîé ãàçîâîé ñðåäå. Óñòàíîâêà
STE RTA 79 ïîçâîëÿåò ïðîâîäèòü êðàòêîâðåìåííûå
(äî 10 ìèí) ïðîöåññû òåðìè÷åñêîé îáðàáîòêè â èíåðò-
íîé àòìîñôåðå ïðè òåìïåðàòóðå äî 900°Ñ è ïðè áîëåå
âûñîêèõ ñêîðîñòÿõ íàãðåâà, ÷åì â óñòàíîâêå
STE RTA 70H ñ òåìïåðàòóðîé îòæèãà äî 1300°Ñ è âðå-
ìåíåì îòæèãà äî 120 ìèí. Ïðè ýòîì îòæèã ìîæåò
ïðîâîäèòüñÿ â âàêóóìå, â èíåðòíîé èëè õèìè÷åñêè
àêòèâíîé ñðåäå. Îáå óñòàíîâêè ïîçâîëÿþò ïðîâîäèòü
ìíîãîñòàäèéíûé îòæèã îáðàçöîâ â ïîëíîñòüþ àâòî-
ìàòè÷åñêîì ðåæèìå.
Ýêñïåðèìåíòàëüíûå ðåçóëüòàòû
 õîäå ïðîâåäåíèÿ ýêñïåðèìåíòîâ íà óñòàíîâêå
STE EB 71 îñàæäàëèñü ìíîãîñëîéíûå ìåòàëëè÷åñêèå
ïîêðûòèÿ Ti/Al/Ni/Au è Ni/Ge/Au äëÿ îìè÷åñêèõ êîí-
òàêòîâ ïðèáîðîâ íà îñíîâå íèòðèäíûõ (Al,Ga)N/GaN
è àðñåíèäíûõ (Al,Ga)As/GaAs ãåòåðîñòðóêòóð, ñîîò-
âåòñòâåííî. Íåîäíîðîäíîñòü íàïûëåíèÿ ñîñòàâèëà
0,5% äëÿ îáðàçöà äèàìåòðîì 100 ìì.
Íà óñòàíîâêå STE RTA 79 â ÇÀÎ «Ñâåòëàíà-Ðîñò»
áûë ïðîâåäåí ðÿä ýêñïåðèìåíòîâ ïî âæèãàíèþ ïîëó-
÷åííûõ ìíîãîñëîéíûõ ìåòàëëè÷åñêèõ ñèñòåì. Ñêî-
ðîñòü íàãðåâà îáðàçöîâ íà ëèíåéíîì ó÷àñòêå êðèâîé
çàâèñèìîñòè òåìïåðàòóðû îò âðåìåíè ñîñòàâèëà
35�40°Ñ/ñ (äëÿ íèòðèäíûõ ñòðóêòóð) ïðè íåîäíîðîä-
íîñòè íàãðåâà íå áîëåå 2% íà äèàìåòðå 100 ìì.
Ïîëó÷åííûå çíà÷åíèÿ êîíòàêòíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ
ñîñòàâëÿþò äëÿ íèòðèäíûõ ãåòåðîñòðóêòóð 0,4�
0,6 Îì·ìì ïðè çíà÷åíèè øåðîõîâàòîñòè ïîâåðõíîñòè
0,2�0,09 ìêì, äëÿ ñëàáîëåãèðîâàííûõ àðñåíèäíûõ
ñëîåâ 0,15�0,25 Îì·ìì ïðè øåðîõîâàòîñòè 0,05�
0,01 ìêì.
Àíàëîãè÷íûå ðåçóëüòàòû áûëè ïîëó÷åíû íà òàêîé
æå óñòàíîâêå â ÇÀÎ «Ñâåòëàíà-Ýëåêòðîíïðèáîð». Çíà-
÷åíèå êîíòàêòíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ äëÿ àðñåíèäíûõ
êîíòàêòíûõ ñëîåâ ñîñòàâèëî 0,1�0,15 Îì·ìì ïðè
øåðîõîâàòîñòè 0,05�0,02 ìêì.
Ñëåäóåò îòìåòèòü, ÷òî âî âñåõ ñëó÷àÿõ âæèãàíèÿ
îìè÷åñêèõ êîíòàêòîâ ê íèòðèäíûì è àðñåíèäíûì ãåòå-
ðîñòðóêòóðàì ðàçáðîñ ïîëó÷åííûõ çíà÷åíèé ñîïðîòèâ-
ëåíèÿ íå ïðåâûøàë 5% äëÿ îáðàçöà äèàìåòðîì 76 ìì.
Íåçíà÷èòåëüíàÿ íåîäíîðîäíîñòü, êîòîðóþ ìîæíî íà-
áëþäàòü íà íåêîòîðûõ íèòðèäíûõ îáðàçöàõ, âûðàùåí-
íûõ íà ñàïôèðîâûõ ïîäëîæêàõ è ïîäëîæêàõ èç êàð-
áèäà êðåìíèÿ, ÿâëÿåòñÿ ñëåäñòâèåì íåïëîòíîãî ïðè-
ëåãàíèÿ ïëàñòèíû ê äåðæàòåëþ îáðàçöà. Ýòî îáóñ-
ëîâëåíî òåì, ÷òî ïîâåðõíîñòü îáðàçöà ñî ñòîðîíû
ïîäëîæêè íå èäåàëüíî ðîâíàÿ âñëåäñòâèå âíóòðåí-
íèõ ìåõàíè÷åñêèõ íàïðÿæåíèé ñàìîé ñòðóêòóðû. Â
íàñòîÿùèé ìîìåíò âåäóòñÿ ýêñïåðèìåíòû ïî óñòðà-
íåíèþ ýòîé íåîäíîðîäíîñòè çà ñ÷åò èñïîëüçîâàíèÿ
äåðæàòåëÿ îáðàçöîâ ñïåöèàëüíîé êîíñòðóêöèè.
***
Òàêèì îáðàçîì, ïîêàçàíî, ÷òî ñîçäàííûå â êîì-
ïàíèè ÇÀÎ �ÍÒÎ� óñòàíîâêè ýëåêòðîííî-ëó÷åâîãî íà-
ïûëåíèÿ ñåðèè STE EB è óñòàíîâêè áûñòðîãî òåðìè-
÷åñêîãî îòæèãà ñåðèè STE RTA â ñîñòàâå êîìïëåêñà
îáîðóäîâàíèÿ ïëàíàðíîãî òåõíîëîãè÷åñêîãî öèêëà ïî-
Ðèñ. 4. Óñòàíîâêè áûñòðîãî òåðìè÷åñêîãî îòæèãà
STE RTA79 (à) è STE RTA70 Í (á)
à) á)
Ðèñ. 3. Îáùàÿ ñõåìà ïîñòðîåíèÿ óñòàíîâîê òåðìè÷åñêî-
ãî îòæèãà ñåðèè STE RTA:
1 � òåïëîâûå ýêðàíû; 2 � òåðìîñòàòèðóþùèå ýëåìåíòû;
3 � îáðàçåö; 4 � êâàðöåâîå îêíî äëÿ ââîäà èçëó÷åíèÿ;
5 � ìàññèâ ãàëîãåííûõ ëàìï
1
23
4 5
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2011, ¹ 1�2
52
ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
çâîëÿþò ïðîâîäèòü êàê èññëåäîâàòåëüñêèå, òàê è ïðî-
ìûøëåííûå ðàáîòû ïî ôîðìèðîâàíèþ íèçêîîìíûõ
îìè÷åñêèõ êîíòàêòîâ ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ïðèáîðîâ
íà îñíîâå ñîâðåìåííûõ ìàòåðèàëîâ À3Â5. Óñòàíîâêè
öåëåñîîáðàçíî èñïîëüçîâàòü ïðè ðàçðàáîòêå ÑÂ×- è
îïòîýëåêòðîííûõ ïðèáîðîâ.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Àëåêñàíäðîâ Ñ. Á., Àëåêñååâ À. Í., Âåñåëîâà Å. À. è äð.
Îòå÷åñòâåííûå óñòàíîâêè ýëåêòðîííî-ëó÷åâîãî íàïûëåíèÿ. Ðåà-
ëèçàöèÿ íèçêîîìíûõ îìè÷åñêèõ êîíòàêòîâ ê ìîùíûì íèòðèäíûì
ÑÂ×-òðàíçèñòîðàì íà îñíîâå òóãîïëàâêèõ ìàòåðèàëîâ // Òð. 9-é
Ìåæäóíàð. êîíô. �Ïëåíêè è ïîêðûòèÿ � 2009�.� Ðîññèÿ,
Ñ.-Ïåòåðáóðã.� 2009.� Ñ. 179.
2. Ruvimov S. Microstructure of Ti/Al and Ti/Al/Ni/Au ohmic
contacts for n-GaN // Applied Physics Letters.�1996.� Vol. 69,
N 11.� P. 1556�1558.
3. Luther B. P., Mohney S. E. Investigation of the mechanism for
Ohmic contact formation in Al and Ti/Al contacts to n-type GaN //
Applied Physics Letters.� 1997.� Vol. 70.� P. 57�59.
4. Fiory A. T. Methods in microelectronics for rapid thermal
annealing of implanted dopants // 11th Workshop on Crystalline
Silicon Solar Cell Materials and Processes.� Estes Park, Colorado.�
2001.� P. 102�105.
5. Prucnal S., Sun J. M. Flash lamp annealing vs rapid thermal and
furnace annealing for optimized metal-oxide-silicon-based light-
emitting diodes // Solid-State Letters.� 2007.� Vol 10.� Is. 2.� P.
H50�H52.
ÍÎÂÛÅ ÊÍÈÃÈ
Í
Î
Â
Û
Å
Ê
Í
È
Ã
È
Âèøíåâñêèé Â. Ì., Ïîðòíîé Ñ. Ë., Øàõíîâè÷ È. Â. Ýíöèêëîïåäèÿ WiMAX.
Ïóòü ê 4G. �Ì.: Òåõíîñôåðà, 2009.� 472 ñ.
Êíèãà íàïèñàíà èçâåñòíûìè ñïåöèàëèñòàìè â îáëàñòè áåñïðîâîä-
íûõ òåõíîëîãèé. Èçäàåòñÿ ïðè ñîäåéñòâèè è ïîä ýãèäîé WiMAX
Forum.
Îïèñàíû ïðèíöèïû ïîñòðîåíèÿ, ëîãè÷åñêàÿ è ôèçè÷åñêàÿ ñòðóê-
òóðà áåñïðîâîäíûõ ñåòåé ïåðåäà÷è äàííûõ ãîðîäñêîãî/ðåãèîíàëü-
íîãî ìàñøòàáà. Ðàññêàçàíî î áåñïðîâîäíûõ ñåòÿõ IEEE 802.11,
âêëþ÷àÿ mesh-ñåòè. Îïèñàíà àðõèòåêòóðà è ïðèíöèïû îðãàíèçà-
öèè WiMAX-ñåòåé (âïåðâûå â îòå÷åñòâåííîé ëèòåðàòóðå). Äåòàëüíî
èçëîæåíà òåõíîëîãèÿ ðàäèîäîñòóïà IEEE 802.16, âêëþ÷àÿ ìîáèëü-
íûå ñåòè (IEEE 802.16e). Îïèñàíû ñîòîâûå ñåòè ñòàíäàðòîâ 3G è
LTE (òàêæå âïåðâûå â îòå÷åñòâåííîé ëèòåðàòóðå), à òàêæå òåõíîëîãèè øèðîêîïîëîñ-
íîãî öèôðîâîãî òåëå- è ðàäèîâåùàíèÿ (DVB è DAB). Èçëîæåíû ïðèíöèïû òåõíîëî-
ãèè MIMO. Ïðèâåäåíû ïðèìåðû ðåàëèçàöèè ðåãèîíàëüíûõ WiMAX-ñåòåé. Èçëîæåíû
òåîðåòè÷åñêèå îñíîâû ïåðåäà÷è èíôîðìàöèè (òåîðåìû Øåííîíà, Êîòåëüíèêîâà, Íàé-
êâèñòà), ìåòîäû êîäèðîâàíèÿ è ìîäóëÿöèè â áåñïðîâîäíûõ ñåòÿõ.
Ïðåäñòàâëÿåò ñîáîé óíèêàëüíîå ñïðàâî÷íîå ïîñîáèå ïî îñíîâíûì íà ñåãîäíÿ òåõíîëî-
ãèÿì øèðîêîïîëîñíîãî áåñïðîâîäíîãî äîñòóïà, îõâàòûâàþùåå âîïðîñû îò àðõèòåêòóðû
ñåòåé äî àïïàðàòíîé ðåàëèçàöèè óñòðîéñòâ è ïðèíöèïîâ ñåðòèôèêàöèè îáîðóäîâàíèÿ.
Ñî÷åòàíèå êàê ìèíèìàëüíî íåîáõîäèìûõ òåîðåòè÷åñêèõ îñíîâ áåñïðîâîäíûõ òåëåêîì-
ìóíèêàöèé, òàê è îïèñàíèÿ êîíêðåòíûõ ñòàíäàðòîâ, ñõåìîòåõíè÷åñêèõ ïðèíöèïîâ ïî-
ñòðîåíèÿ ïîääåðæèâàþùèõ èõ óñòðîéñòâ è ïðèìåðîâ ðåàëèçàöèè êîíêðåòíûõ áåñïðî-
âîäíûõ ñåòåé äåëàåò êíèãó ïîëåçíîé øèðîêîìó êðóãó ÷èòàòåëåé, ïðåæäå âñåãî � ñïå-
öèàëèñòàì, çàíèìàþùèìñÿ âîïðîñàìè ïîñòðîåíèÿ øèðîêîïîëîñíûõ áåñïðîâîäíûõ ñå-
òåé, ðàçðàáîò÷èêàì òåëåêîììóíèêàöèîííîãî îáîðóäîâàíèÿ, ðóêîâîäèòåëÿì IT-îòäåëîâ
è àíàëîãè÷íûõ ñëóæá.
Í
Î
Â
Û
Å
Ê
Í
È
Ã
È
Íàíîñòðóêòóðíûå ïîêðûòèÿ / Ïîä ðåä. À.Êàâàëåéðî, Ä. äå Õîññîíà.� Ì.:
Òåõíîñôåðà, 2011.� 752 ñ.
Ñáîðíèê ïîäãîòîâëåí ìåæäóíàðîäíûì êîëëåêòèâîì âåäóùèõ ñïåöèàëèñòîâ â îáëàñ-
òè íàíîíàóêè è íàíîñòðóêòóðíûõ ïîêðûòèé. Èçëîæåíû îñíîâíûå ñâåäåíèÿ î ñèíòåçå
ñâåðõòâåðäûõ ïëåíîê íà îñíîâå òóãîïëàâêèõ ñîåäèíåíèé, èõ ñòðóêòóðå, ôàçîâîì ñî-
ñòàâå, ôèçèêî-ìåõàíè÷åñêèõ ñâîéñòâàõ è ñôåðàõ ïðèìåíåíèÿ. Ïîäðîáíî õàðàêòåðèçó-
þòñÿ ìåòîäû èññëåäîâàíèÿ ïîêðûòèé: ïðîñâå÷èâàþùàÿ ýëåêòðîííàÿ ìèêðîñêîïèÿ,
íàíîèíäåíòèðîâàíèå è êîìïüþòåðíûé ýêñïåðèìåíò. Äåòàëüíî àíàëèçèðóþòñÿ òåîðå-
òè÷åñêèå è îïûòíûå äàííûå î ïðèðîäå äåôîðìàöèè è ðàçðóøåíèÿ ñâåðõòâåðäûõ ïî-
êðûòèé. Îñîáîå âíèìàíèå óäåëåíî èõ òðèáîëîãè÷åñêèì õàðàêòåðèñòèêàì è òåðìè÷åñ-
êîé ñòàáèëüíîñòè.
Ñáîðíèê áóäåò ïîëåçåí ó÷åíûì, èíæåíåðàì è ïðåïîäàâàòåëÿì âûñøåé øêîëû, ñòó-
äåíòàì è àñïèðàíòàì, ñïåöèàëèçèðóþùèìñÿ â îáëàñòè íàíîòåõíîëîãèé, íàíîìàòåðèà-
ëîâ è íàíîïîêðûòèé.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51765 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:23:33Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Александров, С.Б. Крупальник, К.М. Корнилов, Н.А. Кондратьева, Т.А. 2013-12-08T02:01:36Z 2013-12-08T02:01:36Z 2011 Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅ / С.Б Александров.,К.М. Крупальник, Н.А. Корнилов, Т.А. Кондратьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 49-52. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51765 Рассмотрены принципы построения технологических модулей. Показаны значения контактного сопротивления пленок, полученных с помощью установок электронно-лучевого напыления серии STE EB и установок быстрого термического отжига серии STE RTA. Розглянуто особливості технологічного процесу формування омічних контактів напівпровідникових приладів на основі сполук A₃B₅, загальні принципи побудови технологічних модулів. Показано результати, отримані за допомогою установок електронно-променевого напилення серії STE EB і установок швидкого термічного відпалу серії STE RTA. Technological process features of ohmic contacts formation in semi-conductor devices based on A₃B₅ connections and the general principles of technological modules construction are considered. The results received by means of installations of an electron-beam evaporation of STE EB series and installations of fast thermal annealing of STE RTA series are shown. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅ Обладнання для формування омічних контактів напівпровідникових приладів на основі сполук A₃B₅ The equipment for ohmic contacts formation in semi-conductor devices based on A₃B₅ connections Article published earlier |
| spellingShingle | Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅ Александров, С.Б. Крупальник, К.М. Корнилов, Н.А. Кондратьева, Т.А. Технологические процессы и оборудование |
| title | Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅ |
| title_alt | Обладнання для формування омічних контактів напівпровідникових приладів на основі сполук A₃B₅ The equipment for ohmic contacts formation in semi-conductor devices based on A₃B₅ connections |
| title_full | Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅ |
| title_fullStr | Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅ |
| title_full_unstemmed | Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅ |
| title_short | Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅ |
| title_sort | оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений a₃b₅ |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51765 |
| work_keys_str_mv | AT aleksandrovsb oborudovaniedlâformirovaniâomičeskihkontaktovpoluprovodnikovyhpriborovnaosnovesoedineniia3b5 AT krupalʹnikkm oborudovaniedlâformirovaniâomičeskihkontaktovpoluprovodnikovyhpriborovnaosnovesoedineniia3b5 AT kornilovna oborudovaniedlâformirovaniâomičeskihkontaktovpoluprovodnikovyhpriborovnaosnovesoedineniia3b5 AT kondratʹevata oborudovaniedlâformirovaniâomičeskihkontaktovpoluprovodnikovyhpriborovnaosnovesoedineniia3b5 AT aleksandrovsb obladnannâdlâformuvannâomíčnihkontaktívnapívprovídnikovihpriladívnaosnovíspoluka3b5 AT krupalʹnikkm obladnannâdlâformuvannâomíčnihkontaktívnapívprovídnikovihpriladívnaosnovíspoluka3b5 AT kornilovna obladnannâdlâformuvannâomíčnihkontaktívnapívprovídnikovihpriladívnaosnovíspoluka3b5 AT kondratʹevata obladnannâdlâformuvannâomíčnihkontaktívnapívprovídnikovihpriladívnaosnovíspoluka3b5 AT aleksandrovsb theequipmentforohmiccontactsformationinsemiconductordevicesbasedona3b5connections AT krupalʹnikkm theequipmentforohmiccontactsformationinsemiconductordevicesbasedona3b5connections AT kornilovna theequipmentforohmiccontactsformationinsemiconductordevicesbasedona3b5connections AT kondratʹevata theequipmentforohmiccontactsformationinsemiconductordevicesbasedona3b5connections |