Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2011
• Main Authors: Гуляев, Ю.В., Ждан, А.Г., Чучева, Г.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Subjects: Техническая политика
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51812
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов / Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Продемонстрирована возможность реализации на полевых транзисторах с изолированным затвором электронно-ионной памяти, которая может представлять интерес для разработки Flash-памяти нового поколения. На основі ефекту електронно-іонної взаємодії запропоновано новий підхід до створення на Si-МОН-транзисторах довгочасної перестроюваної пам.яті з довільним доступом. Різниця в рівнях сигналів «нуль» та «одиниця» залежить від режиму зчитування і може змінюватись в широких границях. Значення часу запису та стирання визначаються розмірами транзистора і складають мілісекунди. Отримані результати дають підставу вважати, що в порівнянні з традиційною кремнієвою Flash-пам.яттю такий запам.ятовуючий пристрій буде більш надійним і довговічним. A new approach to the creation of a long-term random access memory based on the effect of the electron-ion interaction on Si-MOS-transistors is proposed. The difference in levels of signals «zero» and «unit» depends on the regime of reading, and can vary widely. Time of recording-erasing is determined by the size of the transistor and makes some milliseconds. Obtained results allow to suggest, that compared with the traditional flash memory, such storage device will be more reliable and durable.