Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
Продемонстрирована возможность реализации на полевых транзисторах с изолированным затвором электронно-ионной памяти, которая может представлять интерес для разработки Flash-памяти нового поколения. На основі ефекту електронно-іонної взаємодії запропоновано новий підхід до створення на Si-МОН-транзис...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51812 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов / Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862707627157356544 |
|---|---|
| author | Гуляев, Ю.В. Ждан, А.Г. Чучева, Г.В. |
| author_facet | Гуляев, Ю.В. Ждан, А.Г. Чучева, Г.В. |
| citation_txt | Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов / Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Продемонстрирована возможность реализации на полевых транзисторах с изолированным затвором электронно-ионной памяти, которая может представлять интерес для разработки Flash-памяти нового поколения.
На основі ефекту електронно-іонної взаємодії запропоновано новий підхід до створення на Si-МОН-транзисторах довгочасної перестроюваної пам.яті з довільним доступом. Різниця в рівнях сигналів «нуль» та «одиниця» залежить від режиму зчитування і може змінюватись в широких границях. Значення часу запису та стирання визначаються розмірами транзистора і складають мілісекунди. Отримані результати дають підставу вважати, що в порівнянні з традиційною кремнієвою Flash-пам.яттю такий запам.ятовуючий пристрій буде більш надійним і довговічним.
A new approach to the creation of a long-term random access memory based on the effect of the electron-ion interaction on Si-MOS-transistors is proposed. The difference in levels of signals «zero» and «unit» depends on the regime of reading, and can vary widely. Time of recording-erasing is determined by the size of the transistor and makes some milliseconds. Obtained results allow to suggest, that compared with the traditional flash memory, such storage device will be more reliable and durable.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:06:00Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51812 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:06:00Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гуляев, Ю.В. Ждан, А.Г. Чучева, Г.В. 2013-12-11T18:46:21Z 2013-12-11T18:46:21Z 2011 Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов / Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51812 Продемонстрирована возможность реализации на полевых транзисторах с изолированным затвором электронно-ионной памяти, которая может представлять интерес для разработки Flash-памяти нового поколения. На основі ефекту електронно-іонної взаємодії запропоновано новий підхід до створення на Si-МОН-транзисторах довгочасної перестроюваної пам.яті з довільним доступом. Різниця в рівнях сигналів «нуль» та «одиниця» залежить від режиму зчитування і може змінюватись в широких границях. Значення часу запису та стирання визначаються розмірами транзистора і складають мілісекунди. Отримані результати дають підставу вважати, що в порівнянні з традиційною кремнієвою Flash-пам.яттю такий запам.ятовуючий пристрій буде більш надійним і довговічним. A new approach to the creation of a long-term random access memory based on the effect of the electron-ion interaction on Si-MOS-transistors is proposed. The difference in levels of signals «zero» and «unit» depends on the regime of reading, and can vary widely. Time of recording-erasing is determined by the size of the transistor and makes some milliseconds. Obtained results allow to suggest, that compared with the traditional flash memory, such storage device will be more reliable and durable. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Техническая политика Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов Новий підхід до створення пристроїв з енергонезалежною пам'яттю на основі Si-МОН-транзисторів The new approach to the creation of the nonvolatile memory based on Si-MOS-transistors Article published earlier |
| spellingShingle | Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов Гуляев, Ю.В. Ждан, А.Г. Чучева, Г.В. Техническая политика |
| title | Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов |
| title_alt | Новий підхід до створення пристроїв з енергонезалежною пам'яттю на основі Si-МОН-транзисторів The new approach to the creation of the nonvolatile memory based on Si-MOS-transistors |
| title_full | Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов |
| title_fullStr | Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов |
| title_full_unstemmed | Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов |
| title_short | Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов |
| title_sort | новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе si-моп-транзисторов |
| topic | Техническая политика |
| topic_facet | Техническая политика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51812 |
| work_keys_str_mv | AT gulâevûv novyipodhodksozdaniûustroistvsénergonezavisimoipamâtʹûnaosnovesimoptranzistorov AT ždanag novyipodhodksozdaniûustroistvsénergonezavisimoipamâtʹûnaosnovesimoptranzistorov AT čučevagv novyipodhodksozdaniûustroistvsénergonezavisimoipamâtʹûnaosnovesimoptranzistorov AT gulâevûv noviipídhíddostvorennâpristroívzenergonezaležnoûpamâttûnaosnovísimontranzistorív AT ždanag noviipídhíddostvorennâpristroívzenergonezaležnoûpamâttûnaosnovísimontranzistorív AT čučevagv noviipídhíddostvorennâpristroívzenergonezaležnoûpamâttûnaosnovísimontranzistorív AT gulâevûv thenewapproachtothecreationofthenonvolatilememorybasedonsimostransistors AT ždanag thenewapproachtothecreationofthenonvolatilememorybasedonsimostransistors AT čučevagv thenewapproachtothecreationofthenonvolatilememorybasedonsimostransistors |