Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2011
• Main Authors: Гуляев, Ю.В., Ждан, А.Г., Чучева, Г.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Subjects: Техническая политика
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51812
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов / Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Продемонстрирована возможность реализации на полевых транзисторах с изолированным затвором электронно-ионной памяти, которая может представлять интерес для разработки Flash-памяти нового поколения. На основі ефекту електронно-іонної взаємодії запропоновано новий підхід до створення на Si-МОН-транзис...