Индуктивный негасенсор

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2011
• Автори: Войцеховская, Е.В., Лищинская, Л.Б., Лазарев, А.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Теми: Сенсоэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51817
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Индуктивный негасенсор / Е.В. Войцеховская, Л.Б. Лищинская, А.А. Лазарев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 20-22. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Введение L-негатрона в схему индуктивного мостового сенсора позволяет повысить его чувствительность в три раза. Розроблено схему індуктивного мостового негасенсорана L-негатроні - пристрої з негативною диференціальною індуктивністю. Проведені теоретичні та експериментальні дослідження показали, що введення негатрону досхеми індуктивного мостового сенсора дає виграш у чутливості утричі. Розроблено макет, у якому реалізовано можливість одночасного дослідження індуктивного сенсора та негасенсора на L-негатроні. A circuit of an inductive bridge negasensor on a L-negatron device with negative differential inductance is developed. Theoretical and experimental researches which were conducted have shown that introduction of negatron to the circuit of inductive bridge sensor gives three times sensitivity advantage. A model of inductive sensor and negasensor on a L-negatron is developed. Possibility of simultane-ous research for sensor and negasensor is realized in this model.