Индуктивный негасенсор

Введение L-негатрона в схему индуктивного мостового сенсора позволяет повысить его чувствительность в три раза. Розроблено схему індуктивного мостового негасенсорана L-негатроні - пристрої з негативною диференціальною індуктивністю. Проведені теоретичні та експериментальні дослідження показали, що в...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2011
Автори: Войцеховская, Е.В., Лищинская, Л.Б., Лазарев, А.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51817
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Индуктивный негасенсор / Е.В. Войцеховская, Л.Б. Лищинская, А.А. Лазарев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 20-22. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51817
record_format dspace
spelling Войцеховская, Е.В.
Лищинская, Л.Б.
Лазарев, А.А.
2013-12-11T19:00:26Z
2013-12-11T19:00:26Z
2011
Индуктивный негасенсор / Е.В. Войцеховская, Л.Б. Лищинская, А.А. Лазарев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 20-22. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51817
Введение L-негатрона в схему индуктивного мостового сенсора позволяет повысить его чувствительность в три раза.
Розроблено схему індуктивного мостового негасенсорана L-негатроні - пристрої з негативною диференціальною індуктивністю. Проведені теоретичні та експериментальні дослідження показали, що введення негатрону досхеми індуктивного мостового сенсора дає виграш у чутливості утричі. Розроблено макет, у якому реалізовано можливість одночасного дослідження індуктивного сенсора та негасенсора на L-негатроні.
A circuit of an inductive bridge negasensor on a L-negatron device with negative differential inductance is developed. Theoretical and experimental researches which were conducted have shown that introduction of negatron to the circuit of inductive bridge sensor gives three times sensitivity advantage. A model of inductive sensor and negasensor on a L-negatron is developed. Possibility of simultane-ous research for sensor and negasensor is realized in this model.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Сенсоэлектроника
Индуктивный негасенсор
Індуктивний негасенсор
Inductive negasensor
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Индуктивный негасенсор
spellingShingle Индуктивный негасенсор
Войцеховская, Е.В.
Лищинская, Л.Б.
Лазарев, А.А.
Сенсоэлектроника
title_short Индуктивный негасенсор
title_full Индуктивный негасенсор
title_fullStr Индуктивный негасенсор
title_full_unstemmed Индуктивный негасенсор
title_sort индуктивный негасенсор
author Войцеховская, Е.В.
Лищинская, Л.Б.
Лазарев, А.А.
author_facet Войцеховская, Е.В.
Лищинская, Л.Б.
Лазарев, А.А.
topic Сенсоэлектроника
topic_facet Сенсоэлектроника
publishDate 2011
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Індуктивний негасенсор
Inductive negasensor
description Введение L-негатрона в схему индуктивного мостового сенсора позволяет повысить его чувствительность в три раза. Розроблено схему індуктивного мостового негасенсорана L-негатроні - пристрої з негативною диференціальною індуктивністю. Проведені теоретичні та експериментальні дослідження показали, що введення негатрону досхеми індуктивного мостового сенсора дає виграш у чутливості утричі. Розроблено макет, у якому реалізовано можливість одночасного дослідження індуктивного сенсора та негасенсора на L-негатроні. A circuit of an inductive bridge negasensor on a L-negatron device with negative differential inductance is developed. Theoretical and experimental researches which were conducted have shown that introduction of negatron to the circuit of inductive bridge sensor gives three times sensitivity advantage. A model of inductive sensor and negasensor on a L-negatron is developed. Possibility of simultane-ous research for sensor and negasensor is realized in this model.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51817
citation_txt Индуктивный негасенсор / Е.В. Войцеховская, Л.Б. Лищинская, А.А. Лазарев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 20-22. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT voicehovskaâev induktivnyinegasensor
AT liŝinskaâlb induktivnyinegasensor
AT lazarevaa induktivnyinegasensor
AT voicehovskaâev índuktivniinegasensor
AT liŝinskaâlb índuktivniinegasensor
AT lazarevaa índuktivniinegasensor
AT voicehovskaâev inductivenegasensor
AT liŝinskaâlb inductivenegasensor
AT lazarevaa inductivenegasensor
first_indexed 2025-12-07T20:28:20Z
last_indexed 2025-12-07T20:28:20Z
_version_ 1850882707518652416