Индуктивный негасенсор
Введение L-негатрона в схему индуктивного мостового сенсора позволяет повысить его чувствительность в три раза. Розроблено схему індуктивного мостового негасенсорана L-негатроні - пристрої з негативною диференціальною індуктивністю. Проведені теоретичні та експериментальні дослідження показали, що в...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51817 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Индуктивный негасенсор / Е.В. Войцеховская, Л.Б. Лищинская, А.А. Лазарев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 20-22. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862743107528818688 |
|---|---|
| author | Войцеховская, Е.В. Лищинская, Л.Б. Лазарев, А.А. |
| author_facet | Войцеховская, Е.В. Лищинская, Л.Б. Лазарев, А.А. |
| citation_txt | Индуктивный негасенсор / Е.В. Войцеховская, Л.Б. Лищинская, А.А. Лазарев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 20-22. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Введение L-негатрона в схему индуктивного мостового сенсора позволяет повысить его чувствительность в три раза.
Розроблено схему індуктивного мостового негасенсорана L-негатроні - пристрої з негативною диференціальною індуктивністю. Проведені теоретичні та експериментальні дослідження показали, що введення негатрону досхеми індуктивного мостового сенсора дає виграш у чутливості утричі. Розроблено макет, у якому реалізовано можливість одночасного дослідження індуктивного сенсора та негасенсора на L-негатроні.
A circuit of an inductive bridge negasensor on a L-negatron device with negative differential inductance is developed. Theoretical and experimental researches which were conducted have shown that introduction of negatron to the circuit of inductive bridge sensor gives three times sensitivity advantage. A model of inductive sensor and negasensor on a L-negatron is developed. Possibility of simultane-ous research for sensor and negasensor is realized in this model.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:28:20Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51817 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:28:20Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Войцеховская, Е.В. Лищинская, Л.Б. Лазарев, А.А. 2013-12-11T19:00:26Z 2013-12-11T19:00:26Z 2011 Индуктивный негасенсор / Е.В. Войцеховская, Л.Б. Лищинская, А.А. Лазарев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 20-22. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51817 Введение L-негатрона в схему индуктивного мостового сенсора позволяет повысить его чувствительность в три раза. Розроблено схему індуктивного мостового негасенсорана L-негатроні - пристрої з негативною диференціальною індуктивністю. Проведені теоретичні та експериментальні дослідження показали, що введення негатрону досхеми індуктивного мостового сенсора дає виграш у чутливості утричі. Розроблено макет, у якому реалізовано можливість одночасного дослідження індуктивного сенсора та негасенсора на L-негатроні. A circuit of an inductive bridge negasensor on a L-negatron device with negative differential inductance is developed. Theoretical and experimental researches which were conducted have shown that introduction of negatron to the circuit of inductive bridge sensor gives three times sensitivity advantage. A model of inductive sensor and negasensor on a L-negatron is developed. Possibility of simultane-ous research for sensor and negasensor is realized in this model. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Сенсоэлектроника Индуктивный негасенсор Індуктивний негасенсор Inductive negasensor Article published earlier |
| spellingShingle | Индуктивный негасенсор Войцеховская, Е.В. Лищинская, Л.Б. Лазарев, А.А. Сенсоэлектроника |
| title | Индуктивный негасенсор |
| title_alt | Індуктивний негасенсор Inductive negasensor |
| title_full | Индуктивный негасенсор |
| title_fullStr | Индуктивный негасенсор |
| title_full_unstemmed | Индуктивный негасенсор |
| title_short | Индуктивный негасенсор |
| title_sort | индуктивный негасенсор |
| topic | Сенсоэлектроника |
| topic_facet | Сенсоэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51817 |
| work_keys_str_mv | AT voicehovskaâev induktivnyinegasensor AT liŝinskaâlb induktivnyinegasensor AT lazarevaa induktivnyinegasensor AT voicehovskaâev índuktivniinegasensor AT liŝinskaâlb índuktivniinegasensor AT lazarevaa índuktivniinegasensor AT voicehovskaâev inductivenegasensor AT liŝinskaâlb inductivenegasensor AT lazarevaa inductivenegasensor |