Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2011
• Автори: Горбань, А.Н., Кравчина, В.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Теми: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51818
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС / Горбань А.Н., Кравчина В.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 23-26. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А. Розроблено конструкцію вертикальних комплементарних транзисторів з повною діелектричною ізоляцією, розроб лено нові технологічні процеси створення на їх основі радіаційно стійких ІС з параметрами, які забезпечують низькі значення струму витоку поряд із значними величинами прямого струму і пробивної напруги при частоті обміну сигналів інформації на рівні 500 кГц. The construction of vertical complementary transistors with the full dielectric isolation is developed, new technolo-gical processes of creation on their basis the radiation tolerant integrated circuits with parameters which provide low values of a leakage current along with the considerable values of a forward current and breakdown voltage at the information signals exchange frequency of about 500 kHz are developed.