Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А. Розроблено конструкцію вертикальних комплементарних транзисторів з повною діелектричною ізоляціє...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51818 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС / Горбань А.Н., Кравчина В.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 23-26. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51818 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. 2013-12-11T19:02:53Z 2013-12-11T19:02:53Z 2011 Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС / Горбань А.Н., Кравчина В.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 23-26. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51818 Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А. Розроблено конструкцію вертикальних комплементарних транзисторів з повною діелектричною ізоляцією, розроб лено нові технологічні процеси створення на їх основі радіаційно стійких ІС з параметрами, які забезпечують низькі значення струму витоку поряд із значними величинами прямого струму і пробивної напруги при частоті обміну сигналів інформації на рівні 500 кГц. The construction of vertical complementary transistors with the full dielectric isolation is developed, new technolo-gical processes of creation on their basis the radiation tolerant integrated circuits with parameters which provide low values of a leakage current along with the considerable values of a forward current and breakdown voltage at the information signals exchange frequency of about 500 kHz are developed. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС Розробка конструкції та технології виготовления комплементарних транзисторів для радіаційно стійких Development of a construction and manufacturing techniques of complementary transistors for the radiation tolerant integrated circuits Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС |
| spellingShingle |
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС |
| title_full |
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС |
| title_fullStr |
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС |
| title_full_unstemmed |
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС |
| title_sort |
разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ис |
| author |
Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. |
| author_facet |
Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Розробка конструкції та технології виготовления комплементарних транзисторів для радіаційно стійких Development of a construction and manufacturing techniques of complementary transistors for the radiation tolerant integrated circuits |
| description |
Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А.
Розроблено конструкцію вертикальних комплементарних транзисторів з повною діелектричною ізоляцією, розроб лено нові технологічні процеси створення на їх основі радіаційно стійких ІС з параметрами, які забезпечують низькі значення струму витоку поряд із значними величинами прямого струму і пробивної напруги при частоті обміну сигналів інформації на рівні 500 кГц.
The construction of vertical complementary transistors with the full dielectric isolation is developed, new technolo-gical processes of creation on their basis the radiation tolerant integrated circuits with parameters which provide low values of a leakage current along with the considerable values of a forward current and breakdown voltage at the information signals exchange frequency of about 500 kHz are developed.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51818 |
| citation_txt |
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС / Горбань А.Н., Кравчина В.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 23-26. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT gorbanʹan razrabotkakonstrukciiitehnologiiizgotovleniâkomplementarnyhtranzistorovdlâradiacionnostoikihis AT kravčinavv razrabotkakonstrukciiitehnologiiizgotovleniâkomplementarnyhtranzistorovdlâradiacionnostoikihis AT gorbanʹan rozrobkakonstrukcíítatehnologíívigotovleniâkomplementarnihtranzistorívdlâradíacíinostíikih AT kravčinavv rozrobkakonstrukcíítatehnologíívigotovleniâkomplementarnihtranzistorívdlâradíacíinostíikih AT gorbanʹan developmentofaconstructionandmanufacturingtechniquesofcomplementarytransistorsfortheradiationtolerantintegratedcircuits AT kravčinavv developmentofaconstructionandmanufacturingtechniquesofcomplementarytransistorsfortheradiationtolerantintegratedcircuits |
| first_indexed |
2025-12-02T13:25:20Z |
| last_indexed |
2025-12-02T13:25:20Z |
| _version_ |
1850862643517063168 |