Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А. Розроблено конструкцію вертикальних комплементарних транзисторів з повною діелектричною ізоляціє...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51818 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС / Горбань А.Н., Кравчина В.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 23-26. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862662397932601344 |
|---|---|
| author | Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. |
| author_facet | Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. |
| citation_txt | Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС / Горбань А.Н., Кравчина В.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 23-26. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А.
Розроблено конструкцію вертикальних комплементарних транзисторів з повною діелектричною ізоляцією, розроб лено нові технологічні процеси створення на їх основі радіаційно стійких ІС з параметрами, які забезпечують низькі значення струму витоку поряд із значними величинами прямого струму і пробивної напруги при частоті обміну сигналів інформації на рівні 500 кГц.
The construction of vertical complementary transistors with the full dielectric isolation is developed, new technolo-gical processes of creation on their basis the radiation tolerant integrated circuits with parameters which provide low values of a leakage current along with the considerable values of a forward current and breakdown voltage at the information signals exchange frequency of about 500 kHz are developed.
|
| first_indexed | 2025-12-02T13:25:20Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51818 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T13:25:20Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. 2013-12-11T19:02:53Z 2013-12-11T19:02:53Z 2011 Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС / Горбань А.Н., Кравчина В.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 23-26. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51818 Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А. Розроблено конструкцію вертикальних комплементарних транзисторів з повною діелектричною ізоляцією, розроб лено нові технологічні процеси створення на їх основі радіаційно стійких ІС з параметрами, які забезпечують низькі значення струму витоку поряд із значними величинами прямого струму і пробивної напруги при частоті обміну сигналів інформації на рівні 500 кГц. The construction of vertical complementary transistors with the full dielectric isolation is developed, new technolo-gical processes of creation on their basis the radiation tolerant integrated circuits with parameters which provide low values of a leakage current along with the considerable values of a forward current and breakdown voltage at the information signals exchange frequency of about 500 kHz are developed. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС Розробка конструкції та технології виготовления комплементарних транзисторів для радіаційно стійких Development of a construction and manufacturing techniques of complementary transistors for the radiation tolerant integrated circuits Article published earlier |
| spellingShingle | Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС |
| title_alt | Розробка конструкції та технології виготовления комплементарних транзисторів для радіаційно стійких Development of a construction and manufacturing techniques of complementary transistors for the radiation tolerant integrated circuits |
| title_full | Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС |
| title_fullStr | Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС |
| title_full_unstemmed | Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС |
| title_short | Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС |
| title_sort | разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ис |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51818 |
| work_keys_str_mv | AT gorbanʹan razrabotkakonstrukciiitehnologiiizgotovleniâkomplementarnyhtranzistorovdlâradiacionnostoikihis AT kravčinavv razrabotkakonstrukciiitehnologiiizgotovleniâkomplementarnyhtranzistorovdlâradiacionnostoikihis AT gorbanʹan rozrobkakonstrukcíítatehnologíívigotovleniâkomplementarnihtranzistorívdlâradíacíinostíikih AT kravčinavv rozrobkakonstrukcíítatehnologíívigotovleniâkomplementarnihtranzistorívdlâradíacíinostíikih AT gorbanʹan developmentofaconstructionandmanufacturingtechniquesofcomplementarytransistorsfortheradiationtolerantintegratedcircuits AT kravčinavv developmentofaconstructionandmanufacturingtechniquesofcomplementarytransistorsfortheradiationtolerantintegratedcircuits |