Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2011
• Автори: Добровольский, Ю.Г., Ащеулов, А.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Теми: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51819
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током / Ю.Г. Добровольский, А.А. Ащеулов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 27-31. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Кольцевая металлизация обратной стороны кристалла p–i–n-фотодиода на основе высокоомного кремния позволяет уменьшить темновой ток на порядок, при этом потери токовой монохроматической чувствительности на длине волны 1,06 мкм не превышают 15%. Досліджено вплив кільцевої металізації зворотної сторони кристала p–i–n-фотодіода на основі високоомного кремнію на його характеристики. Темновий струм можна зменшити на порядок, при цьому втрати струмової монохроматичної чутливості на довжині хвилі 1,06 мкм не перевищують 15%. Характеристики запропонованого фотодіода показують, що він може бути рекомендований як базова конструкція при розробці серійних виробів. The influence of circular metallization of the reverse side of p–i–n-photodiode crystal based on highly ohm silicon on it's characteristics are explored. The dark current can be decreased by an order, at the same time losses of current monochromatic sensitiveness on a wave-length 1,06 mkm do not exceed 15%. The characteristics of the offered photodiode show that it can be recommended as base construction at serial product designing.