Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
Кольцевая металлизация обратной стороны кристалла p–i–n-фотодиода на основе высокоомного кремния позволяет уменьшить темновой ток на порядок, при этом потери токовой монохроматической чувствительности на длине волны 1,06 мкм не превышают 15%. Досліджено вплив кільцевої металізації зворотної сторони...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51819 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током / Ю.Г. Добровольский, А.А. Ащеулов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 27-31. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862720783502016512 |
|---|---|
| author | Добровольский, Ю.Г. Ащеулов, А.А. |
| author_facet | Добровольский, Ю.Г. Ащеулов, А.А. |
| citation_txt | Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током / Ю.Г. Добровольский, А.А. Ащеулов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 27-31. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Кольцевая металлизация обратной стороны кристалла p–i–n-фотодиода на основе высокоомного кремния позволяет уменьшить темновой ток на порядок, при этом потери токовой монохроматической чувствительности на длине волны 1,06 мкм не превышают 15%.
Досліджено вплив кільцевої металізації зворотної сторони кристала p–i–n-фотодіода на основі високоомного кремнію на його характеристики. Темновий струм можна зменшити на порядок, при цьому втрати струмової монохроматичної чутливості на довжині хвилі 1,06 мкм не перевищують 15%. Характеристики запропонованого фотодіода показують, що він може бути рекомендований як базова конструкція при розробці серійних виробів.
The influence of circular metallization of the reverse side of p–i–n-photodiode crystal based on highly ohm silicon on it's characteristics are explored. The dark current can be decreased by an order, at the same time losses of current monochromatic sensitiveness on a wave-length 1,06 mkm do not exceed 15%. The characteristics of the offered photodiode show that it can be recommended as base construction at serial product designing.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:27:01Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51819 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:27:01Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Добровольский, Ю.Г. Ащеулов, А.А. 2013-12-11T19:05:15Z 2013-12-11T19:05:15Z 2011 Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током / Ю.Г. Добровольский, А.А. Ащеулов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 27-31. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51819 Кольцевая металлизация обратной стороны кристалла p–i–n-фотодиода на основе высокоомного кремния позволяет уменьшить темновой ток на порядок, при этом потери токовой монохроматической чувствительности на длине волны 1,06 мкм не превышают 15%. Досліджено вплив кільцевої металізації зворотної сторони кристала p–i–n-фотодіода на основі високоомного кремнію на його характеристики. Темновий струм можна зменшити на порядок, при цьому втрати струмової монохроматичної чутливості на довжині хвилі 1,06 мкм не перевищують 15%. Характеристики запропонованого фотодіода показують, що він може бути рекомендований як базова конструкція при розробці серійних виробів. The influence of circular metallization of the reverse side of p–i–n-photodiode crystal based on highly ohm silicon on it's characteristics are explored. The dark current can be decreased by an order, at the same time losses of current monochromatic sensitiveness on a wave-length 1,06 mkm do not exceed 15%. The characteristics of the offered photodiode show that it can be recommended as base construction at serial product designing. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током Кремнієвий p–i–n-фотодіод з малим темновим струмом Silicic p–i–n-photodiode with small dark current Article published earlier |
| spellingShingle | Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током Добровольский, Ю.Г. Ащеулов, А.А. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током |
| title_alt | Кремнієвий p–i–n-фотодіод з малим темновим струмом Silicic p–i–n-photodiode with small dark current |
| title_full | Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током |
| title_fullStr | Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током |
| title_full_unstemmed | Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током |
| title_short | Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током |
| title_sort | кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51819 |
| work_keys_str_mv | AT dobrovolʹskiiûg kremnievyipinfotodiodsmalymtemnovymtokom AT aŝeulovaa kremnievyipinfotodiodsmalymtemnovymtokom AT dobrovolʹskiiûg kremníêviipinfotodíodzmalimtemnovimstrumom AT aŝeulovaa kremníêviipinfotodíodzmalimtemnovimstrumom AT dobrovolʹskiiûg silicicpinphotodiodewithsmalldarkcurrent AT aŝeulovaa silicicpinphotodiodewithsmalldarkcurrent |