Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2011
• Main Authors: Добровольский, Ю.Г., Ащеулов, А.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Subjects: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51819
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током / Ю.Г. Добровольский, А.А. Ащеулов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 27-31. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Кольцевая металлизация обратной стороны кристалла p–i–n-фотодиода на основе высокоомного кремния позволяет уменьшить темновой ток на порядок, при этом потери токовой монохроматической чувствительности на длине волны 1,06 мкм не превышают 15%. Досліджено вплив кільцевої металізації зворотної сторони...