Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2011
• Автори: Загоруйко, Ю.А., Коваленко, Н.О., Христьян, В.А., Федоренко, О.А., Герасименко, А.С., Добротворская, М.В., Матейченко, П.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Теми: Технологические процессы и оборудование
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51821
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe / Ю.А Загоруйко., Н.О. Коваленко, В.А. Христьян, О.А. Федоренко, А.С. Герасименко, М.В. Добротворская, П.В. Матейченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 35-36. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Предложен модифицированный технологичный способ пассивации кристаллических образцов полупроводниковых твердых растворов Cd1-хZnхTe, применяемых для изготовления детекторных сенсоров рентгеновского и гамма-излучения. Запропоновано новий фізичний метод пасивації Cd1-хZnхTe детекторів - обробка поверхні кристала за допомогою лазерної абляції (ЛА) з подальшою фотостимульованою пасивацією (ФСП), при якому утворення на поверхні зразка високоомного оксидного шару відбувається після очищення його поверхні під дією інтенсивного світлового опромінення. Показано, що метод ЛА+ФСП є технологічним іѕ в порівнянні із розробленими раніше методами ФСП іѕ ФЕСП забезпечує отримання більш товстих, однорідних іѕ високоомних оксидних плівок, що істотно збільшує поверхневий електроопір зразків Cd1-хZnхTe і зменшує у них. A new physical method of Cd1-xZnxTe-detectors passivation is proposed - the treatment of crystal surface by a laser ablation (LA) with subsequent photostimulated passivation (PhSP), during wich a high-resistance oxide layer is formed on it's surface after the surface cleaning under intensive light irradiation effect. It is shown that the method of LA+PhSP is manufacturable and in comparison with PhSP and PhESP methods developed earlier provides a thick, homogeneous and high-oxide films, which significantly increases the surface resistivity of Cd1-xZnxTe samples and reduces leakage currents in them.