Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
Предложен модифицированный технологичный способ пассивации кристаллических образцов полупроводниковых твердых растворов Cd1-хZnхTe, применяемых для изготовления детекторных сенсоров рентгеновского и гамма-излучения. Запропоновано новий фізичний метод пасивації Cd1-хZnхTe детекторів - обробка поверхн...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51821 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe / Ю.А Загоруйко., Н.О. Коваленко, В.А. Христьян, О.А. Федоренко, А.С. Герасименко, М.В. Добротворская, П.В. Матейченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 35-36. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859834588563505152 |
|---|---|
| author | Загоруйко, Ю.А. Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В. |
| author_facet | Загоруйко, Ю.А. Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В. |
| citation_txt | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe / Ю.А Загоруйко., Н.О. Коваленко, В.А. Христьян, О.А. Федоренко, А.С. Герасименко, М.В. Добротворская, П.В. Матейченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 35-36. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Предложен модифицированный технологичный способ пассивации кристаллических образцов полупроводниковых твердых растворов Cd1-хZnхTe, применяемых для изготовления детекторных сенсоров рентгеновского и гамма-излучения.
Запропоновано новий фізичний метод пасивації Cd1-хZnхTe детекторів - обробка поверхні кристала за допомогою лазерної абляції (ЛА) з подальшою фотостимульованою пасивацією (ФСП), при якому утворення на поверхні зразка високоомного оксидного шару відбувається після очищення його поверхні під дією інтенсивного світлового опромінення. Показано, що метод ЛА+ФСП є технологічним іѕ в порівнянні із розробленими раніше методами ФСП іѕ ФЕСП забезпечує отримання більш товстих, однорідних іѕ високоомних оксидних плівок, що істотно збільшує поверхневий електроопір зразків Cd1-хZnхTe і зменшує у них.
A new physical method of Cd1-xZnxTe-detectors passivation is proposed - the treatment of crystal surface by a laser ablation (LA) with subsequent photostimulated passivation (PhSP), during wich a high-resistance oxide layer is formed on it's surface after the surface cleaning under intensive light irradiation effect. It is shown that the method of LA+PhSP is manufacturable and in comparison with PhSP and PhESP methods developed earlier provides a thick, homogeneous and high-oxide films, which significantly increases the surface resistivity of Cd1-xZnxTe samples and reduces leakage currents in them.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:34:24Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2011, ¹ 3
35
ÒÅÕÍËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
18.10 2010 ã.
Îïïîíåíò ä. õ. í. Â. Í. ÒÎÌÀØÈÊ
(ÈÔÏ èì. Â. Å. Ëàøêàð¸âà, ã. Êèåâ)
Ä. ò. í. Þ. À. ÇÀÃÎÐÓÉÊÎ, ê. ô.-ì. í. Í. Î. ÊÎÂÀËÅÍÊÎ,
Â. À. ÕÐÈÑÒÜßÍ, ê. ô.-ì. í. Î. À. ÔÅÄÎÐÅÍÊÎ,
À. Ñ. ÃÅÐÀÑÈÌÅÍÊÎ, ê. ô.-ì. í. Ì. Â. ÄÎÁÐÎÒÂÎÐÑÊÀß,
Ï. Â. ÌÀÒÅÉ×ÅÍÊÎ
Óêðàèíà, ã. Õàðüêîâ, Èíñòèòóò ìîíîêðèñòàëëîâ ÍÀÍÓ
E-mail: zagoruiko@isc.kharkov.ua
ËÀÇÅÐÍÀß ÀÁËßÖÈß È ÔÎÒÎÑÒÈÌÓËÈÐÎÂÀÍÍÀß
ÏÀÑÑÈÂÀÖÈß ÏÎÂÅÐÕÍÎÑÒÈ ÊÐÈÑÒÀËËÎÂ Cd
1�õ
Zn
õ
Te
Ïðåäëîæåí ìîäèôèöèðîâàííûé òåõíî-
ëîãè÷íûé ñïîñîá ïàññèâàöèè êðèñòàëëè-
÷åñêèõ îáðàçöîâ ïîëóïðîâîäíèêîâûõ
òâåðäûõ ðàñòâîðîâ Cd1�õZnõTe, ïðèìå-
íÿåìûõ äëÿ èçãîòîâëåíèÿ äåòåêòîðíûõ
ñåíñîðîâ ðåíòãåíîâñêîãî è ãàììà-èçëó-
÷åíèÿ.
Ìåõàíè÷åñêàÿ îáðàáîòêà ïîëóïðîâîäíèêîâûõ êðè-
ñòàëëîâ ïðèâîäèò ê ïîÿâëåíèþ â îáðàçöàõ ïîâåðõíî-
ñòíûõ òîêîâ óòå÷êè, ÷òî îòðèöàòåëüíî âëèÿåò íà ýêñ-
ïëóàòàöèîííûå õàðàêòåðèñòèêè ïðèáîðîâ, èçãîòîâëåí-
íûõ íà èõ îñíîâå. Äëÿ óñòðàíåíèÿ òîêîâ óòå÷êè ðàç-
ðàáîòàíû ðàçëè÷íûå ìåòîäû ïàññèâàöèè ïîëóïðîâîä-
íèêîâûõ êðèñòàëëîâ: ìîêðûå õèìè÷åñêèå ìåòîäû,
ñóõèå ôèçè÷åñêèå ìåòîäû, à òàêæå èõ êîìáèíàöèè
[1�4].
Äëÿ ïàññèâàöèè êðèñòàëëîâ Cd1�õZnõTe íàèáîëü-
øåå ðàñïðîñòðàíåíèå ïîëó÷èëè õèìè÷åñêèå ìåòîäû,
ïðèâîäÿùèå ê îáðàçîâàíèþ íà ïîâåðõíîñòè êðèñòàë-
ëà çàùèòíûõ ñóëüôèäíûõ èëè îêñèäíûõ ïëåíîê [3].
Îäíàêî õèìè÷åñêèå ìåòîäû, â êîòîðûõ ïðèìåíÿþòñÿ
ðàçëè÷íûå, â òîì ÷èñëå è òîêñè÷íûå, ðàñòâîðû (íà-
ïðèìåð, ðàñòâîðû áðîìà â ìåòàíîëå), íå îáåñïå÷èâà-
þò òàêîãî ýôôåêòèâíîãî óìåíüøåíèÿ ïîâåðõíîñòíîé
ýëåêòðè÷åñêîé ïðîâîäèìîñòè îáðàçöîâ, êàê ñóõèå
ôèçè÷åñêèå ìåòîäû ïàññèâàöèè [2].
Ñóùåñòâåííîå ñíèæåíèå ïîâåðõíîñòíîé ýëåêòðî-
ïðîâîäíîñòè îáðàçöîâ Cd1�õZnõTe íàáëþäàåòñÿ ïðè
èñïîëüçîâàíèè òàêèõ ñóõèõ ìåòîäîâ ïàññèâàöèè, êàê
èîííî-ëó÷åâîå è èîííî-ïëàçìåííîå ðàñïûëåíèå ïàñ-
ñèâèðóþùåé çàùèòíîé ïëåíêè â âàêóóìíîé óñòàíîâ-
êå ñ èñïîëüçîâàíèåì ýëåêòðîäóãîâîãî ðàçðÿäà, ïî-
ëó÷åíèå îêñèäíîé ïëåíêè íà ïîâåðõíîñòè îáðàçöà ïðè
åãî áîìáàðäèðîâêå êàê íèçêî-, òàê è âûñîêîýíåðãå-
òè÷íûìè àòîìàìè êèñëîðîäà è äð. [1, 2, 5]. Ñëåäóåò
îòìåòèòü, ÷òî ôèçè÷åñêèå ìåòîäû ïàññèâàöèè òðóäî-
åìêè è òðåáóþò ñëîæíîé, à â ðÿäå ñëó÷àåâ è óíèêàëü-
íîé àïïàðàòóðû [6].
Ðàíåå ïðåäëîæåííûå àâòîðàìè ñïîñîáû ôîòîñòè-
ìóëèðîâàííîé (ÔÑÏ) è ôîòîýëåêòðîñòèìóëèðîâàí-
íîé ïàññèâàöèè (ÔÝÑÏ) Cd1�õZnõTe [7, 8] îáåñïå÷è-
âàþò äîâîëüíî ýôôåêòèâíîå óìåíüøåíèå ïîâåðõíî-
ñòíûõ òîêîâ óòå÷êè çà ñ÷åò ïîëó÷åíèÿ âûñîêîîìíîãî
çàùèòíîãî îêñèäíîãî ñëîÿ íà ïîâåðõíîñòè îáðàçöîâ.
 ðàçâèòèå èññëåäîâàíèé [7, 8] â íàñòîÿùåé ðàáîòå
ïðåäëîæåí íîâûé ìåòîä ïàññèâàöèè, èñêëþ÷àþùèé
ïðèìåíåíèå òîêñè÷íûõ êîìïîíåíòîâ.  ýòîì ìåòîäå
ñíÿòèå íàðóøåííîãî ñëîÿ ñ áîêîâîé ïîâåðõíîñòè îá-
ðàçöîâ ïðîâîäÿò ìåòîäîì ëàçåðíîé àáëÿöèè (ËÀ) ïðè
îäíîâðåìåííîé è ïîñëåäóþùåé îáðàáîòêå îáðàçöîâ
ìåòîäîì ÔÑÏ èëè ÔÝÑÏ.
Óäàëåíèå íàðóøåííîãî ñëîÿ ïðîâîäèëè ïóòåì îá-
ëó÷åíèÿ îáðàçöîâ ïîñëåäîâàòåëüíîñòüþ èìïóëüñîâ
ëàçåðíîãî èçëó÷åíèÿ. Íà ðèñ. 1 ïðèâåäåíà áëîê-ñõå-
ìà óñòàíîâêè äëÿ ëàçåðíîé àáëÿöèè íàðóøåííîãî ñëîÿ
ñ áîêîâîé ïîâåðõíîñòè êðèñòàëëè÷åñêèõ îáðàçöîâ
Cd1�õZnõTe è ïîñëåäóþùåãî ïîëó÷åíèÿ íà ýòîé ïî-
âåðõíîñòè âûñîêîîìíîãî çàùèòíîãî ñëîÿ ìåòîäîì
ôîòîñòèìóëèðîâàííîé ïàññèâàöèè. Èçëó÷åíèå
YAG:Nd-ëàçåðà íà îñíîâíîé ÷àñòîòå (ñ äëèíîé âîëíû
λ=1064 íì) ïðåîáðàçîâûâàëè â èçëó÷åíèå íà ÷àñòîòå
âòîðîé ãàðìîíèêè ñ äëèíîé âîëíû λ2=532 íì. Èñ-
ïîëüçîâàëè èìïóëüñû äëèòåëüíîñòüþ 10�100 íñ
ñî ñðåäíåé ïëîòíîñòüþ ìîùíîñòè p=10�70 ÌÂò/ñì2.
Äîçà îáëó÷åíèÿ ñîñòàâëÿëà 0,25�3,0 Äæ/ñì2.
Äëèòåëüíîñòü ïðîâåäåíèÿ ïðîöåññà ëàçåðíîé àá-
ëÿöèè (0,5�5,0 ìèí) áûëà óñòàíîâëåíà ýêñïåðèìåí-
òàëüíî. Îíà îáóñëîâëåíà ðàçìåðàìè îáðàçöà, ñêîðî-
ñòüþ åãî âðàùåíèÿ è ïåðèîäîì ñëåäîâàíèÿ ëàçåðíûõ
èìïóëüñîâ. Ïëîòíîñòü ìîùíîñòè, ïðè êîòîðîé ïðî-
èñõîäèò ýôôåêòèâíîå óäàëåíèå íàðóøåííîãî ñëîÿ, è
äîçà ëàçåðíîãî îáëó÷åíèÿ òàêæå óñòàíîâëåíû ýêñïå-
ðèìåíòàëüíî. Ïðè äîçå îáëó÷åíèÿ ìåíåå 0,25 Äæ/ñì2
íàðóøåííûé ñëîé óäàëÿåòñÿ íå ïîëíîñòüþ, à óâåëè-
÷åíèå äîçû ëàçåðíîãî îáëó÷åíèÿ áîëåå 3,0 Äæ/ñì2
íåöåëåñîîáðàçíî, ò. ê. íå ïðèâîäèò ê çàìåòíîìó óëó÷-
øåíèþ ñïåêòðîìåòðè÷åñêèõ è ýëåêòðè÷åñêèõ õàðàê-
òåðèñòèê ïîëó÷àåìûõ äåòåêòîðîâ.
1 2 3
5
6
7
YAG Nd-ëàçåð
Ðèñ. 1. Ñõåìà óñòàíîâêè äëÿ ëàçåðíîé àáëÿöèè è ôîòî-
ñòèìóëèðîâàííîé ïàññèâàöèè áîêîâîé ïîâåðõíîñòè
îáðàçöîâ Cd1�õZnõTe:
1 � ïðåîáðàçîâàòåëü èçëó÷åíèÿ ëàçåðà; 2 � ñâåòîôèëüòð; 3 �
ôîêóñèðóþùàÿ ëèíçà; 4 � îáðàçåö; 5 � âðàùàþùèéñÿ êðèñòàë-
ëîäåðæàòåëü; 6 � òåïëîâûå ýêðàíû-ñâåòîôèëüòðû; 7 � èñòî-
÷íèêè ÓÔ-èçëó÷åíèÿ
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2011, ¹ 3
36
ÒÅÕÍËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
Êàê âèäíî èç ðèñ. 2, ëàçåðíàÿ àáëÿöèÿ ïðèâîäèò ê
çàìåòíîé î÷èñòêå îáðàáîòàííîé ïîâåðõíîñòè êðèñ-
òàëëè÷åñêîãî îáðàçöà.
 òàáëèöå ïðèâåäåíû çíà÷åíèÿ ýëåêòðè÷åñêîãî ñî-
ïðîòèâëåíèÿ êðèñòàëëè÷åñêèõ îáðàçöîâ Cd1�õZnõTe è
òîêîâ óòå÷êè äåòåêòîðîâ äî è ïîñëå ïàññèâàöèè ðàç-
ðàáîòàííûì ñïîñîáîì (ëàçåðíàÿ àáëÿöèÿ ïðè îäíî-
âðåìåííîé è ïîñëåäóþùåé îáðàáîòêå îáðàçöîâ ìå-
òîäîì ÔÑÏ), à òàêæå ñïîñîáîì ÔÑÏ è ñïîñîáîì
ÔÝÑÏ, ïðîâåäåííûìè ïîñëå õèìè÷åñêîãî òðàâëåíèÿ
(ÕÒ) íàðóøåííîãî ñëîÿ. Èç òàáëèöû âèäíî, ÷òî ðàç-
ðàáîòàííûé ñïîñîá ïîçâîëÿåò ñóùåñòâåííî óâåëè÷èòü
ïîâåðõíîñòíîå ýëåêòðè÷åñêîå ñîïðîòèâëåíèå Cd1�
õZnõTe-äåòåêòîðîâ è ñíèçèòü òîêè óòå÷êè ïî èõ áîêî-
âîé ïîâåðõíîñòè. Òàêèå èçìåíåíèÿ îáóñëîâëåíû îá-
ðàçîâàíèåì îêñèäíîãî ñëîÿ TeO2 è, âñëåäñòâèå ýòî-
ãî, ðåçêèì ñíèæåíèåì (ïðàêòè÷åñêè äî íóëÿ) êîíöåí-
òðàöèè ñâîáîäíîãî Te â ïðèïîâåðõíîñòíîì ñëîå îá-
ðàçöîâ. Îá ýòîì ñâèäåòåëüñòâóþò äàííûå èññëåäîâà-
íèé ñîñòàâà ïîâåðõíîñòè îáðàçöîâ, ïðîâåäåííûå ìå-
òîäîì ðåíòãåíîâñêîé ôîòîýëåêòðîííîé ñïåêòðîñêî-
ïèè (ðèñ. 3).
Èññëåäîâàíèÿ áûëè ïðîâåäåíû íà ñïåêòðîìåòðå
XSAM-800 Kratos. Äàâëåíèå â êàìåðå ïðèáîðà ñî-
ñòàâëÿëî ïðèìåðíî10�6 Ïà. Ôîòîýëåêòðîíû âîçáóæ-
äàëèñü MgKα-èçëó÷åíèåì (hν= 1253,6 ýÂ). Ìîùíîñòü
ðåíòãåíîâñêîé òðóáêè ñîñòàâëÿëà 15 êÂ, à ýëåêòðîí-
íûé òîê � 20 ìÀ. Êèíåòè÷åñêàÿ ýíåðãèÿ ýëåêòðîíîâ
àíàëèçèðîâàëàñü ïîëóñôåðè÷åñêèì ýëåêòðîñòàòè÷å-
ñêèì àíàëèçàòîðîì. Ðàçðåøåíèå ñïåêòðîìåòðà ñîñòàâ-
ëÿëî 1ýÂ, òî÷íîñòü îïðåäåëåíèÿ ýíåðãèè ñâÿçè �
0,3 ýÂ. Ïîñëîéíîå òðàâëåíèå ïðîâîäèëîñü ñ ïîìî-
ùüþ èñòî÷íèêà èîíîâ Ar+ ñ ýíåðãèåé 1,5 êýÂ. Ñêî-
ðîñòü òðàâëåíèÿ ñîñòàâëÿëà îêîëî 5 íì/ìèí.
Ñîñòàâ ïîâåðõíîñòè îáðàçöà îïðåäåëÿëñÿ ïî ñîîò-
íîøåíèþ ïëîùàäåé ëèíèé C1s, O1s, Te3d, Cd3d, Zn2p
� îñòîâíûõ îáîëî÷åê è Zn LMM-Îæå-ëèíèè ñ ó÷å-
òîì êîýôôèöèåíòîâ ýëåìåíòíîé ÷óâñòâèòåëüíîñòè [9].
Òîëùèíà àíàëèçèðóåìîãî ñëîÿ ñîñòàâëÿëà îêîëî 5 íì.
***
Òàêèì îáðàçîì, ðàçðàáîòàííûé ìåòîä ïàññèâà-
öèè (ËÀ+ÔÑÏ) îáåñïå÷èâàåò ïîëó÷åíèå òîëñòûõ îäíî-
ðîäíûõ è âûñîêîîìíûõ îêñèäíûõ ïëåíîê, ÷òî ñóùå-
ñòâåííî ñíèæàåò òîêè óòå÷êè ïî áîêîâîé ïîâåðõíîñòè
Cd1�õZnõTe-äåòåêòîðîâ.
Ïðåäëîæåííûé ñïîñîá ÿâëÿåòñÿ âîñïðîèçâîäèìûì
è ïîçâîëÿåò èñêëþ÷èòü ïðèìåíåíèå âûñîêîòîêñè÷íûõ
õèìè÷åñêèõ êîìïîíåíòîâ ïðè èçãîòîâëåíèè ñïåêòðî-
ìåòðè÷åñêèõ äåòåêòîðîâ íà îñíîâå Cd1�õZnõTe.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Pat. 6043106 USA. Method for surface passivation and
protection of cadmium zinc telluride crystals / M. J. Mescher, R. B.
James., T. E. Schlesinger, H. Hermon.� 28.03.2000.
2. Pat. 7001849 USA. Surface treatment and protection method
for cadmium zinc telluride crystals / G. W. Wright., R. B. James, A.
Burger, D. A. Chinn.� 21.02.2006.
3. Galkina O. S., Grebenyuk N. N., Dobrotvorskaya M. V. et al.
Studies of methods for chemical treatment of semiconductor detectors
based on Cd1�õZnõTe crystals // Functionals Materials.� 2001.�
Vol. 8, N 2.� P. 392�394.
4. Êóòíèé Â. Å., Êóòíèé Ä. Â., Ðûáêà À. Â. è äð. Ãàçîñòàòè÷åñ-
êàÿ îáðàáîòêà ñòðóêòóð Au-CdZnTe-Au äëÿ äåòåêòîðîâ ðåíòãåíî-
âñêîãî è ãàììà-èçëó÷åíèÿ // Âîïðîñû àòîìíîé íàóêè è òåõíèêè.
Âàêóóì, ÷èñòûå ìàòåðèàëû, ñâåðõïðîâîäíèêè.� 2008.� Âûï. 1
(17).� C. 123�128.
5. Ëåîíîâ Ñ. À., Êóòíèé Ä. Â., Íàêîíå÷íûé Ä. Â. è äð. Èîííî-
ïëàçìåííàÿ ïàññèâàöèÿ ïîâåðõíîñòè êðèñòàëëà CdZnTe // Âîïðî-
ñû àòîìíîé íàóêè è òåõíèêè. Âàêóóì, ÷èñòûå ìàòåðèàëû, ñâåðõ-
ïðîâîäíèêè.� 2004.� Âûï. 3 (85).� Ñ. 96�100.
6. Rybka A. V., Leonov S. A., Prokhoretz I. M. et al. Influence of
detector surface processing on detector performance // Nucl. Instr. &
Meth. A.� 2001.� Vol. 458.� P. 248�253.
7. Ïàò. ÏÌ 40036 Óêðàèíû. Ñïîñîá ïîëó÷åíèÿ ñïåêòðîìåò-
ðè÷åñêîãî äåòåêòîðà íà îñíîâå ñîåäèíåíèÿ CdZnTå / Þ. À. Çàãî-
ðóéêî, Î. À. Ôåäîðåíêî, Í.Î. Êîâàëåíêî.� 25.03 2009.
8. Ïàò. ÏÌ 48252 Óêðàèíû. Ñïîñîá ïîëó÷åíèÿ ñïåêòðîìåò-
ðè÷åñêîãî äåòåêòîðà íà îñíîâå ñîåäèíåíèÿ CdZnTe / Þ. À. Çàãî-
ðóéêî, Â. À. Õðèñòüÿí, Î. À. Ôåäîðåíêî.� 10.03 2010.
9. Àíàëèç ïîâåðõíîñòè ìåòîäàìè Îæå- è ðåíòãåíîâñêîé ôî-
òîýëåêòðîííîé ñïåêòðîñêîïèè / Ïîä ðåä. Ä. Áðèããñà è Ì. Ï.
Ñèõà.� Ì.: Ìèð, 1987.
Ñïîñîá
îáðàáîòêè
R1,
108 Îì
R2,
1010 Îì
R2/R1 ²1/²2
P,
ÌÂò/ñì2
ÕÒ+ÔÑÏ 110 16 14,5 16,8 �
ÕÒ+ÔÝÑÏ 55 13 23,6 24,4 �
30 8,1 27,0 28,6 48,3
150 32 21,3 20,4 44,1
4,7 3,4 72,34 71,1 57,7
3,15 2,63 83,49 83,3 68,5
ËÀ+ÔÑÏ
1,45 1,3 89,65 79,2 62,3
Çíà÷åíèÿ ïîâåðõíîñòíîãî ýëåêòðè÷åñêîãî ñîïðîòèâëå-
íèÿ Cd1�õZnõTe-äåòåêòîðîâ äî (R1) è ïîñëå (R2) ïðîâå-
äåíèÿ ïàññèâàöèè ðàçëè÷íûìè ñïîñîáàìè è îòíîøåíèå
ñîîòâåòñòâóþùèõ òîêîâ óòå÷êè (I1/I2)
Ðèñ. 3. Ïðîôèëè ðàñ-
ïðåäåëåíèÿ Òå ìåæäó
îáðàçîâàâøèìèñÿ ñî-
åäèíåíèÿìè ÒåÎ2 (3),
CdTe (1) è ñâîáîäíûì
Òå (2) ïîñëå îáðàáîò-
êè îáðàçöà ìåòîäîì
ËÀ (à) è ìåòîäîì
ËÀ+ÔÑÏ (á)
0 4 8
Ãëóáèíà, íì
80
40
1
2
3
à)
Ñ
Ò
å,
%
80
40
1
2
3
á)
0 10 20
Ãëóáèíà, íì
Ñ
Ò
å,
%
Ðèñ. 2. Ìèêðîôîòîãðàôèè ïîâåðõíîñòè êðèñòàëëîâ
Cd1�õZnõTe äî (à) è ïîñëå (á) ëàçåðíîé àáëÿöèè
à) á)
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51821 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:34:24Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Загоруйко, Ю.А. Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В. 2013-12-11T19:20:55Z 2013-12-11T19:20:55Z 2011 Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe / Ю.А Загоруйко., Н.О. Коваленко, В.А. Христьян, О.А. Федоренко, А.С. Герасименко, М.В. Добротворская, П.В. Матейченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 35-36. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51821 Предложен модифицированный технологичный способ пассивации кристаллических образцов полупроводниковых твердых растворов Cd1-хZnхTe, применяемых для изготовления детекторных сенсоров рентгеновского и гамма-излучения. Запропоновано новий фізичний метод пасивації Cd1-хZnхTe детекторів - обробка поверхні кристала за допомогою лазерної абляції (ЛА) з подальшою фотостимульованою пасивацією (ФСП), при якому утворення на поверхні зразка високоомного оксидного шару відбувається після очищення його поверхні під дією інтенсивного світлового опромінення. Показано, що метод ЛА+ФСП є технологічним іѕ в порівнянні із розробленими раніше методами ФСП іѕ ФЕСП забезпечує отримання більш товстих, однорідних іѕ високоомних оксидних плівок, що істотно збільшує поверхневий електроопір зразків Cd1-хZnхTe і зменшує у них. A new physical method of Cd1-xZnxTe-detectors passivation is proposed - the treatment of crystal surface by a laser ablation (LA) with subsequent photostimulated passivation (PhSP), during wich a high-resistance oxide layer is formed on it's surface after the surface cleaning under intensive light irradiation effect. It is shown that the method of LA+PhSP is manufacturable and in comparison with PhSP and PhESP methods developed earlier provides a thick, homogeneous and high-oxide films, which significantly increases the surface resistivity of Cd1-xZnxTe samples and reduces leakage currents in them. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe Лазерна абляція та фотостимульована пасивація поверхні кристалів Cd1-хZnхTe Laser ablation and photostimulated passivation of the surface of Cd1-xZnxTe crystals Article published earlier |
| spellingShingle | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe Загоруйко, Ю.А. Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В. Технологические процессы и оборудование |
| title | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_alt | Лазерна абляція та фотостимульована пасивація поверхні кристалів Cd1-хZnхTe Laser ablation and photostimulated passivation of the surface of Cd1-xZnxTe crystals |
| title_full | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_fullStr | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_full_unstemmed | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_short | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_sort | лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов cd1–хznхte |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51821 |
| work_keys_str_mv | AT zagoruikoûa lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT kovalenkono lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT hristʹânva lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT fedorenkooa lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT gerasimenkoas lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT dobrotvorskaâmv lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT mateičenkopv lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT zagoruikoûa lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT kovalenkono lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT hristʹânva lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT fedorenkooa lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT gerasimenkoas lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT dobrotvorskaâmv lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT mateičenkopv lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT zagoruikoûa laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT kovalenkono laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT hristʹânva laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT fedorenkooa laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT gerasimenkoas laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT dobrotvorskaâmv laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT mateičenkopv laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals |