Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe

Предложен модифицированный технологичный способ пассивации кристаллических образцов полупроводниковых твердых растворов Cd1-хZnхTe, применяемых для изготовления детекторных сенсоров рентгеновского и гамма-излучения. Запропоновано новий фізичний метод пасивації Cd1-хZnхTe детекторів - обробка поверхн...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:	2011
Main Authors:	Загоруйко, Ю.А., Коваленко, Н.О., Христьян, В.А., Федоренко, О.А., Герасименко, А.С., Добротворская, М.В., Матейченко, П.В.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Subjects:	Технологические процессы и оборудование
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51821
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe / Ю.А Загоруйко., Н.О. Коваленко, В.А. Христьян, О.А. Федоренко, А.С. Герасименко, М.В. Добротворская, П.В. Матейченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 35-36. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51821
record_format	dspace
spelling	Загоруйко, Ю.А. Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В. 2013-12-11T19:20:55Z 2013-12-11T19:20:55Z 2011 Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe / Ю.А Загоруйко., Н.О. Коваленко, В.А. Христьян, О.А. Федоренко, А.С. Герасименко, М.В. Добротворская, П.В. Матейченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 35-36. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51821 Предложен модифицированный технологичный способ пассивации кристаллических образцов полупроводниковых твердых растворов Cd1-хZnхTe, применяемых для изготовления детекторных сенсоров рентгеновского и гамма-излучения. Запропоновано новий фізичний метод пасивації Cd1-хZnхTe детекторів - обробка поверхні кристала за допомогою лазерної абляції (ЛА) з подальшою фотостимульованою пасивацією (ФСП), при якому утворення на поверхні зразка високоомного оксидного шару відбувається після очищення його поверхні під дією інтенсивного світлового опромінення. Показано, що метод ЛА+ФСП є технологічним іѕ в порівнянні із розробленими раніше методами ФСП іѕ ФЕСП забезпечує отримання більш товстих, однорідних іѕ високоомних оксидних плівок, що істотно збільшує поверхневий електроопір зразків Cd1-хZnхTe і зменшує у них. A new physical method of Cd1-xZnxTe-detectors passivation is proposed - the treatment of crystal surface by a laser ablation (LA) with subsequent photostimulated passivation (PhSP), during wich a high-resistance oxide layer is formed on it's surface after the surface cleaning under intensive light irradiation effect. It is shown that the method of LA+PhSP is manufacturable and in comparison with PhSP and PhESP methods developed earlier provides a thick, homogeneous and high-oxide films, which significantly increases the surface resistivity of Cd1-xZnxTe samples and reduces leakage currents in them. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe Лазерна абляція та фотостимульована пасивація поверхні кристалів Cd1-хZnхTe Laser ablation and photostimulated passivation of the surface of Cd1-xZnxTe crystals Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
spellingShingle	Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe Загоруйко, Ю.А. Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В. Технологические процессы и оборудование
title_short	Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
title_full	Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
title_fullStr	Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
title_full_unstemmed	Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
title_sort	лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов cd1–хznхte
author	Загоруйко, Ю.А. Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В.
author_facet	Загоруйко, Ю.А. Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В.
topic	Технологические процессы и оборудование
topic_facet	Технологические процессы и оборудование
publishDate	2011
language	Russian
container_title	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format	Article
title_alt	Лазерна абляція та фотостимульована пасивація поверхні кристалів Cd1-хZnхTe Laser ablation and photostimulated passivation of the surface of Cd1-xZnxTe crystals
description	Предложен модифицированный технологичный способ пассивации кристаллических образцов полупроводниковых твердых растворов Cd1-хZnхTe, применяемых для изготовления детекторных сенсоров рентгеновского и гамма-излучения. Запропоновано новий фізичний метод пасивації Cd1-хZnхTe детекторів - обробка поверхні кристала за допомогою лазерної абляції (ЛА) з подальшою фотостимульованою пасивацією (ФСП), при якому утворення на поверхні зразка високоомного оксидного шару відбувається після очищення його поверхні під дією інтенсивного світлового опромінення. Показано, що метод ЛА+ФСП є технологічним іѕ в порівнянні із розробленими раніше методами ФСП іѕ ФЕСП забезпечує отримання більш товстих, однорідних іѕ високоомних оксидних плівок, що істотно збільшує поверхневий електроопір зразків Cd1-хZnхTe і зменшує у них. A new physical method of Cd1-xZnxTe-detectors passivation is proposed - the treatment of crystal surface by a laser ablation (LA) with subsequent photostimulated passivation (PhSP), during wich a high-resistance oxide layer is formed on it's surface after the surface cleaning under intensive light irradiation effect. It is shown that the method of LA+PhSP is manufacturable and in comparison with PhSP and PhESP methods developed earlier provides a thick, homogeneous and high-oxide films, which significantly increases the surface resistivity of Cd1-xZnxTe samples and reduces leakage currents in them.
issn	2225-5818
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51821
citation_txt	Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe / Ю.А Загоруйко., Н.О. Коваленко, В.А. Христьян, О.А. Федоренко, А.С. Герасименко, М.В. Добротворская, П.В. Матейченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 35-36. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT zagoruikoûa lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT kovalenkono lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT hristʹânva lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT fedorenkooa lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT gerasimenkoas lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT dobrotvorskaâmv lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT mateičenkopv lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT zagoruikoûa lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT kovalenkono lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT hristʹânva lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT fedorenkooa lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT gerasimenkoas lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT dobrotvorskaâmv lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT mateičenkopv lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT zagoruikoûa laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT kovalenkono laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT hristʹânva laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT fedorenkooa laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT gerasimenkoas laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT dobrotvorskaâmv laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT mateičenkopv laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals
first_indexed	2025-12-07T15:34:24Z
last_indexed	2025-12-07T15:34:24Z
_version_	1850864214761013248

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe

Institution

Similar Items