Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
Предложен модифицированный технологичный способ пассивации кристаллических образцов полупроводниковых твердых растворов Cd1-хZnхTe, применяемых для изготовления детекторных сенсоров рентгеновского и гамма-излучения. Запропоновано новий фізичний метод пасивації Cd1-хZnхTe детекторів - обробка поверхн...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51821 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe / Ю.А Загоруйко., Н.О. Коваленко, В.А. Христьян, О.А. Федоренко, А.С. Герасименко, М.В. Добротворская, П.В. Матейченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 35-36. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862671973802311680 |
|---|---|
| author | Загоруйко, Ю.А. Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В. |
| author_facet | Загоруйко, Ю.А. Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В. |
| citation_txt | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe / Ю.А Загоруйко., Н.О. Коваленко, В.А. Христьян, О.А. Федоренко, А.С. Герасименко, М.В. Добротворская, П.В. Матейченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 35-36. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Предложен модифицированный технологичный способ пассивации кристаллических образцов полупроводниковых твердых растворов Cd1-хZnхTe, применяемых для изготовления детекторных сенсоров рентгеновского и гамма-излучения.
Запропоновано новий фізичний метод пасивації Cd1-хZnхTe детекторів - обробка поверхні кристала за допомогою лазерної абляції (ЛА) з подальшою фотостимульованою пасивацією (ФСП), при якому утворення на поверхні зразка високоомного оксидного шару відбувається після очищення його поверхні під дією інтенсивного світлового опромінення. Показано, що метод ЛА+ФСП є технологічним іѕ в порівнянні із розробленими раніше методами ФСП іѕ ФЕСП забезпечує отримання більш товстих, однорідних іѕ високоомних оксидних плівок, що істотно збільшує поверхневий електроопір зразків Cd1-хZnхTe і зменшує у них.
A new physical method of Cd1-xZnxTe-detectors passivation is proposed - the treatment of crystal surface by a laser ablation (LA) with subsequent photostimulated passivation (PhSP), during wich a high-resistance oxide layer is formed on it's surface after the surface cleaning under intensive light irradiation effect. It is shown that the method of LA+PhSP is manufacturable and in comparison with PhSP and PhESP methods developed earlier provides a thick, homogeneous and high-oxide films, which significantly increases the surface resistivity of Cd1-xZnxTe samples and reduces leakage currents in them.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:34:24Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51821 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:34:24Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Загоруйко, Ю.А. Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В. 2013-12-11T19:20:55Z 2013-12-11T19:20:55Z 2011 Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe / Ю.А Загоруйко., Н.О. Коваленко, В.А. Христьян, О.А. Федоренко, А.С. Герасименко, М.В. Добротворская, П.В. Матейченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 35-36. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51821 Предложен модифицированный технологичный способ пассивации кристаллических образцов полупроводниковых твердых растворов Cd1-хZnхTe, применяемых для изготовления детекторных сенсоров рентгеновского и гамма-излучения. Запропоновано новий фізичний метод пасивації Cd1-хZnхTe детекторів - обробка поверхні кристала за допомогою лазерної абляції (ЛА) з подальшою фотостимульованою пасивацією (ФСП), при якому утворення на поверхні зразка високоомного оксидного шару відбувається після очищення його поверхні під дією інтенсивного світлового опромінення. Показано, що метод ЛА+ФСП є технологічним іѕ в порівнянні із розробленими раніше методами ФСП іѕ ФЕСП забезпечує отримання більш товстих, однорідних іѕ високоомних оксидних плівок, що істотно збільшує поверхневий електроопір зразків Cd1-хZnхTe і зменшує у них. A new physical method of Cd1-xZnxTe-detectors passivation is proposed - the treatment of crystal surface by a laser ablation (LA) with subsequent photostimulated passivation (PhSP), during wich a high-resistance oxide layer is formed on it's surface after the surface cleaning under intensive light irradiation effect. It is shown that the method of LA+PhSP is manufacturable and in comparison with PhSP and PhESP methods developed earlier provides a thick, homogeneous and high-oxide films, which significantly increases the surface resistivity of Cd1-xZnxTe samples and reduces leakage currents in them. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe Лазерна абляція та фотостимульована пасивація поверхні кристалів Cd1-хZnхTe Laser ablation and photostimulated passivation of the surface of Cd1-xZnxTe crystals Article published earlier |
| spellingShingle | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe Загоруйко, Ю.А. Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В. Технологические процессы и оборудование |
| title | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_alt | Лазерна абляція та фотостимульована пасивація поверхні кристалів Cd1-хZnхTe Laser ablation and photostimulated passivation of the surface of Cd1-xZnxTe crystals |
| title_full | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_fullStr | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_full_unstemmed | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_short | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_sort | лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов cd1–хznхte |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51821 |
| work_keys_str_mv | AT zagoruikoûa lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT kovalenkono lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT hristʹânva lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT fedorenkooa lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT gerasimenkoas lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT dobrotvorskaâmv lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT mateičenkopv lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT zagoruikoûa lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT kovalenkono lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT hristʹânva lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT fedorenkooa lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT gerasimenkoas lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT dobrotvorskaâmv lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT mateičenkopv lazernaablâcíâtafotostimulʹovanapasivacíâpoverhníkristalívcd1hznhte AT zagoruikoûa laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT kovalenkono laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT hristʹânva laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT fedorenkooa laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT gerasimenkoas laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT dobrotvorskaâmv laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals AT mateičenkopv laserablationandphotostimulatedpassivationofthesurfaceofcd1xznxtecrystals |