Высокочувствительная установка для оценки изменения показателя преломления водных растворов
Разработанная автоматизированная установка позволяет оценивать изменения показателя преломления водных растворов с точностью до 10⁻⁷. Приведены методические рекомендации по ее использованию. Представлено результати розробки автоматизованої високочутливої оптоелектронної установки для оцінки зміни по...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | Подкамень, Л.И., Гавриляк, М.С. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51822 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Высокочувствительная установка для оценки изменения показателя преломления водных растворов / Л.И. Подкамень, М.С. Гавриляк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 37-40. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Высокочувствительная установка для оценки изменения показателя преломления водных растворов
von: Podkamen, L. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Podkamen, L. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
von: Головко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Головко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
von: Борисенко, А.Г.
Veröffentlicht: (2013)
von: Борисенко, А.Г.
Veröffentlicht: (2013)
Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Фрезеровально-гравировальные плоттеры для изготовления печатных плат
von: Кудрявцев, Е.М.
Veröffentlicht: (2005)
von: Кудрявцев, Е.М.
Veröffentlicht: (2005)
Подключающее МЭМС-устройство для контроля BGA-компонентов
von: Невлюдов, И.Ш., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Невлюдов, И.Ш., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
von: Бойко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Бойко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Федорович, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Федорович, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Технология и оборудование для обработки алмазных материалов современной электроники
von: Митягин, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Митягин, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)
СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
von: Григорьянц, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Григорьянц, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Измерительно-вычислительный комплекс СМ-100 для характеризации жидкокристаллических дисплеев
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники
von: Одиноков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Одиноков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Информационные параметры для реализации адаптивной зарядки вторичных химических источников тока
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Источник питания для контактной микросварки с программируемой формой сварочного импульса
von: Паэранд, Ю.Э., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Паэранд, Ю.Э., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Технологии изготовления фотонных кристаллов
von: Березянский, Б.М.
Veröffentlicht: (2007)
von: Березянский, Б.М.
Veröffentlicht: (2007)
Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
von: Лесюк, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Лесюк, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
von: Крапивко, Г.И.
Veröffentlicht: (2005)
von: Крапивко, Г.И.
Veröffentlicht: (2005)
Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
von: Litvinenko, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Litvinenko, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ähnliche Einträge
-
Высокочувствительная установка для оценки изменения показателя преломления водных растворов
von: Podkamen, L. I., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
von: Головко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
von: Борисенко, А.Г.
Veröffentlicht: (2013) -
Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)