Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники
Представлены новые разработки - комплекты вакуумно-плазменного и физико-термического технологического оборудования микро-, нано-, радиоэлектроники для технического обучения, научных исследований, отработки технологических процессов, а также для обеспечения мелкосерийного производства на предприятиях...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51823 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники / В.В. Одиноков, Г.Я. Павлов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 41-43. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51823 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-518232025-02-09T17:48:03Z Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники Нове технологічне обладнання для інноваційних технологій мікро-, нано-та радіоелектроніки New technological equipment for the innovative technologies of micro-, nano- and radio electronics Одиноков, В.В. Павлов, Г.Я. Технологические процессы и оборудование Представлены новые разработки - комплекты вакуумно-плазменного и физико-термического технологического оборудования микро-, нано-, радиоэлектроники для технического обучения, научных исследований, отработки технологических процессов, а также для обеспечения мелкосерийного производства на предприятиях малого и среднего бизнеса. Представлено нові розробки - комплекти вакуумно-плазмового і фізико-термічного технологічного обладнання мікро-, нано-, радіоелектроніки для технічного навчання, наукових досліджень, відпрацювання технологічних процесів, а також для забезпечення дрібносерійного виробництва на підприємствах малого та середнього бізнесу. Some new developments are presented - vacuum-plasma and physics-thermal processing equipment kits for micro, nano- and radio electronics for technical training, research, technological process development, as well as for smallscale production in small and medium-sized businesses. 2011 Article Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники / В.В. Одиноков, Г.Я. Павлов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 41-43. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51823 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование |
| spellingShingle |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование Одиноков, В.В. Павлов, Г.Я. Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Представлены новые разработки - комплекты вакуумно-плазменного и физико-термического технологического оборудования микро-, нано-, радиоэлектроники для технического обучения, научных исследований, отработки технологических процессов, а также для обеспечения мелкосерийного производства на предприятиях малого и среднего бизнеса. |
| format |
Article |
| author |
Одиноков, В.В. Павлов, Г.Я. |
| author_facet |
Одиноков, В.В. Павлов, Г.Я. |
| author_sort |
Одиноков, В.В. |
| title |
Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники |
| title_short |
Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники |
| title_full |
Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники |
| title_fullStr |
Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники |
| title_full_unstemmed |
Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники |
| title_sort |
новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2011 |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51823 |
| citation_txt |
Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники / В.В. Одиноков, Г.Я. Павлов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 41-43. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT odinokovvv novoetehnologičeskoeoborudovaniedlâinnovacionnyhtehnologijmikronanoiradioélektroniki AT pavlovgâ novoetehnologičeskoeoborudovaniedlâinnovacionnyhtehnologijmikronanoiradioélektroniki AT odinokovvv novetehnologíčneobladnannâdlâínnovacíjnihtehnologíjmíkronanotaradíoelektroníki AT pavlovgâ novetehnologíčneobladnannâdlâínnovacíjnihtehnologíjmíkronanotaradíoelektroníki AT odinokovvv newtechnologicalequipmentfortheinnovativetechnologiesofmicronanoandradioelectronics AT pavlovgâ newtechnologicalequipmentfortheinnovativetechnologiesofmicronanoandradioelectronics |
| first_indexed |
2025-11-29T00:56:09Z |
| last_indexed |
2025-11-29T00:56:09Z |
| _version_ |
1850084206666842112 |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2011, ¹ 3
41
ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
Ä. ò. í. Â. Â. ÎÄÈÍÎÊÎÂ, ê. ô.-ì. í. Ã. ß. ÏÀÂËÎÂ
Ðîññèÿ, Ìîñêâà, Çåëåíîãðàä, ÎÀÎ «ÍÈÈ òî÷íîãî ìàøèíîñòðîåíèÿ»
E-mail: info@niitm.ru
ÍÎÂÎÅ ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÎÅ ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
ÄËß ÈÍÍÎÂÀÖÈÎÍÍÛÕ ÒÅÕÍÎËÎÃÈÉ
ÌÈÊÐÎ-, ÍÀÍÎ- È ÐÀÄÈÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ
Ðàçâèòèå ðàäèîýëåêòðîíèêè è íàíîòåõíîëîãèé â
ðàçëè÷íûõ îáëàñòÿõ íàóêè è òåõíèêè òðåáóåò ðàçðà-
áîòêè íîâîãî ôóíêöèîíàëüíî ðàçëè÷íîãî òåõíîëîãè-
÷åñêîãî îáîðóäîâàíèÿ, â êîòîðîì â êà÷åñòâå áàçîâûõ
ðåàëèçóþòñÿ ïëàçìåííî-òåðìè÷åñêèå ïðîöåññû.
ÍÈÈ òî÷íîãî ìàøèíîñòðîåíèÿ (ÍÈÈÒÌ) ñïåöèà-
ëèçèðóåòñÿ íà ðàçðàáîòêå âàêóóìíîãî îáîðóäîâàíèÿ
äëÿ òåõíîëîãè÷åñêèõ ïðîöåññîâ íàíåñåíèÿ òîíêèõ
ïëåíîê, ïëàçìîõèìè÷åñêîãî òðàâëåíèÿ, ãàçîôàçíîãî
îñàæäåíèÿ ñòèìóëèðîâàííîãî ïëàçìîé (PECVD), à
òàêæå ôèçèêî-òåðìè÷åñêîãî îáîðóäîâàíèÿ äëÿ îñó-
ùåñòâëåíèÿ ïðîöåññîâ îòæèãà, äèôôóçèè, îêèñëåíèÿ
è ýïèòàêñèè, â òîì ÷èñëå áûñòðîãî òåðìè÷åñêîãî.
Ïðèîðèòåòíîå íàïðàâëåíèå äåÿòåëüíîñòè ÍÈÈÒÌ �
ñîçäàíèå îáîðóäîâàíèÿ äëÿ ðåàëèçàöèè èííîâàöèîí-
íûõ òåõíîëîãè÷åñêèõ ïðîöåññîâ â ìèêðî-, íàíî-,
ðàäèîýëåêòðîíèêå, ìèêðîìåõàíèêå, à òàêæå äëÿ ñèí-
òåçà íàíîìàòåðèàëîâ (ðèñ. 1).
Íîâûå ðàçðàáîòêè ÍÈÈÒÌ � êîìïëåêòû òåõíî-
ëîãè÷åñêîãî îáîðóäîâàíèÿ äëÿ òåõíè÷åñêîãî îáó÷å-
íèÿ, íàó÷íûõ èññëåäîâàíèé, îòðàáîòêè òåõíîëîãè÷å-
ñêèõ ïðîöåññîâ, à òàêæå äëÿ îáåñïå÷åíèÿ ìåëêîñå-
ðèéíîãî ïðîèçâîäñòâà íà ïðåäïðèÿòèÿõ ìàëîãî è ñðåä-
íåãî áèçíåñà, òàêèå êàê:
· òåõíîëîãè÷åñêîå îáîðóäîâàíèå äëÿ èíäèâè-
äóàëüíîé îáðàáîòêè ïîäëîæåê (ïëàñòèí) ñî øëþ-
çîâîé çàãðóçêîé;
· ìàëîãàáàðèòíîå ôèçèêî-òåðìè÷åñêîå îáîðóäî-
âàíèå;
· ìàëîãàáàðèòíîå âàêóóìíîå îáîðóäîâàíèå íà-
ñòîëüíîãî òèïà «ÌÂÓ ÒÌ».
Êîìïëåêò òåõíîëîãè÷åñêîãî îáîðóäîâàíèÿ èí-
äèâèäóàëüíîé îáðàáîòêè ïîäëîæåê (ïëàñòèí) ñî
øëþçîâîé çàãðóçêîé (ðèñ. 2), ïðåäíàçíà÷åí äëÿ ðàç-
ðàáîòêè, èññëåäîâàíèÿ è ðåàëèçàöèè òåõíîëîãè÷åñêèõ
ïðîöåññîâ â ìèêðî-, íàíî-, ðàäèîýëåêòðîíèêå.
♦ Ìàãíà ÒÌ-200 Íàíåñåíèå ìíîãîñëîéíûõ
èëè ìíîãîêîìïîíåíòíûõ ìåòàëëè÷åñêèõ è äèýëåêò-
ðè÷åñêèõ ñëîåâ ìåòîäîì ìàãíåòðîííîãî ðàñïûëåíèÿ,
â òîì ÷èñëå äëÿ ôîðìèðîâàíèÿ íàíîñòðóêòóðíûõ êà-
òàëèòè÷åñêèõ ñëîåâ (Fe, Ni, Co è äð.).
· Ìàãíåòðîííîå ðàñïûëèòåëüíîå óñòðîéñòâî �
ìóëüòèêàòîäíîå ñ òðåìÿ ìèøåíÿìè ∅100 ìì èëè ïëà-
íàðíîå ñ ìèøåíüþ ∅280 ìì.
· Èîííàÿ î÷èñòêà ïîäëîæåê ïåðåä íàíåñåíèåì
ñëîåâ.
Ðèñ. 2. Êîìïëåêò òåõíîëîãè÷åñêîãî îáîðóäîâàíèÿ èíäèâèäóàëüíîé îáðàáîòêè ïîäëîæåê (ïëàñòèí) ñî øëþçîâîé
çàãðóçêîé
Ìàãíà ÒÌ-200 Ïëàçìà ÒÌ-200 Èçîôàç ÒÌ-200
Ðèñ.1. Òåõíîëîãè÷åñêèå íàïðàâëåíèÿ ðàçðàáàòûâàåìîãî
îáîðóäîâàíèÿ
Ôèçèêî-òåðìè÷åñêîå
îáîðóäîâàíèå
Âàêóóìíî-ïëàçìåííîå
îáîðóäîâàíèå
Íàíåñåíèå
ïëåíîê
Îñàæäåíèå
ïëåíîê èç ãàçîâîé
ôîðìû
Òðàâëåíèå
ïëåíîê
â ïëàçìå
Îñàæäåíèå
äèýëåêòðè÷åñêèõ
ïëåíîê
Òåðìè÷åñêèé
îòæèã
Ýïèòàêñèÿ
Îêèñëåíèå
Äèôôóçèÿ
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2011, ¹ 3
42
ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
· Ñêîðîñòü íàíåñåíèÿ
� ìåòàëëè÷åñêèõ ñëîåâ: äî 0,5 ìêì/ìèí.
� äèýëåêòðè÷åñêèõ ñëîåâ: äî 0,2 ìêì/ìèí.
· Íåðàâíîìåðíîñòü ñëîåâ ïî òîëùèíå � ±3%.
· Òåìïåðàòóðà ïîäëîæåê � äî 300°C.
♦ Ïëàçìà ÒÌ-200 Ïëàçìîõèìè÷åñêîå è ðåàêòèâ-
íî-èîííîå òðàâëåíèå ïðîâîäÿùèõ è äèýëåêòðè÷åñêèõ
ìàòåðèàëîâ, â òîì ÷èñëå äëÿ ôîðìèðîâàíèÿ íàíî-
ñòðóêòóð è ìèêðîýëåêòðîííûõ ìåõàíè÷åñêèõ ñèñòåì
(ÌÝÌÑ).
· Âûñîêîêà÷åñòâåííûé èñòî÷íèê èíäóêòèâíî ñâÿ-
çàííîé ïëàçìû (ICP).
· Ñèñòåìà ãåëèåâîãî îõëàæäåíèÿ ïîäëîæåê íà ðà-
áî÷åì ñòîëå ñ èñòî÷íèêîì íàïðÿæåíèÿ ñìåùåíèÿ íà
ïîäëîæêó.
· Íåðàâíîìåðíîñòü òðàâëåíèÿ ±2%.
· Ñêîðîñòü òðàâëåíèÿ
� êðåìíèÿ: 1�3 ìêì/ìèí;
� äâóîêèñè êðåìíèÿ, êâàðöà, ñòåêëà «ïèðåêñ»:
0,5�1 ìêì/ìèí.
· Àñïåêòíîå ñîîòíîøåíèå: 1/10 � 1/30.
♦ Èçîôàç ÒÌ-200 Îñàæäåíèå ïðîâîäÿùèõ è äè-
ýëåêòðè÷åñêèõ ìàòåðèàëîâ (SiO2, Si3N4, Si, SiC) â âà-
êóóìíîì ðåàêòîðå èç ãàçîâîé ôàçû ñ ïëàçìåííîé àê-
òèâàöèåé â Â×-ïëàçìå, â òîì ÷èñëå äëÿ ôîðìèðîâà-
íèÿ àëìàçîïîäîáíûõ ïëåíî÷íûõ ñòðóêòóð è óãëåðîä-
íûõ íàíîòðóáîê.
· Èñòî÷íèê ïëàçìîñòèìóëèðîâàííîãî ãàçîôàçíî-
ãî îñàæäåíèÿ (PECVD).
· Ðàáî÷èé ñòîë ñ íàãðåâàòåëåì äî 800°C è èñòî÷-
íèêîì íàïðÿæåíèÿ ñìåùåíèÿ íà ïîäëîæêó.
· Áåçìàñëÿíàÿ ñèñòåìà îòêà÷êè.
· Ìíîãîêàíàëüíàÿ ãàçîâàÿ ñèñòåìà.
· Íåðàâíîìåðíîñòü ïëåíîê ïî òîëùèíå � ±3%.
Îáùèå îñîáåííîñòè óñòàíîâîê:
· Èíäèâèäóàëüíàÿ îáðàáîòêà ïîäëîæåê äî ∅ 200 ìì.
· Øëþçîâàÿ êàìåðà çàãðóçêè/âûãðóçêè ïîäëîæåê.
· Áåçìàñëÿíàÿ ñèñòåìà îòêà÷êè íà áàçå òóðáîìî-
ëåêóëÿðíîãî è ôîðâàêóóìíîãî íàñîñîâ.
· Àâòîíîìíàÿ ñèñòåìà îõëàæäåíèÿ.
· Ìèêðîïðîöåññîðíàÿ ñèñòåìà óïðàâëåíèÿ.
· Âîçìîæíîñòü âñòðàèâàíèÿ â �÷èñòóþ êîìíàòó�.
· Âîçìîæíîñòü îáúåäèíåíèÿ äâóõ èëè òðåõ óñòà-
íîâîê â êëàñòåðíûé êîìïëåêñ (ðèñ. 3).
· Ïîòðåáëÿåìàÿ îäíîé óñòàíîâêîé ìîùíîñòü �
íå áîëåå 8 êÂò.
· Ïëîùàäü, çàíèìàåìàÿ îäíîé óñòàíîâêîé � îêî-
ëî 2,0 ì2.
Äëÿ ðåàëèçàöèè ðàçëè÷íûõ òåõíîëîãè÷åñêèõ ïðî-
öåññîâ â îäíîì âàêóóìíî-òåõíîëîãè÷åñêîì öèêëå äâå
èëè òðè óñòàíîâêè êîìïëåêòà ìîãóò àãðåãàòèðîâàòüñÿ
â ìèíè-êëàñòåðû ïîñðåäñòâîì ñîåäèíåíèÿ óñòàíîâîê
÷åðåç ïåðåãðóçî÷íûé øëþç.
Êîìïëåêò ìàëîãàáàðèòíîãî ôèçèêî-òåðìè÷å-
ñêîãî îáîðóäîâàíèÿ (ðèñ. 4) ïðåäíàçíà÷åí äëÿ ðàç-
ðàáîòêè, èññëåäîâàíèÿ è ðåàëèçàöèè òåõíîëîãè÷åñêèõ
ïðîöåññîâ â ìèêðî-, íàíî-, ðàäèîýëåêòðîíèêå.
♦ Îêñèä ÒÌ Òåðìè÷åñêàÿ îáðàáîòêà ïëàñòèí è
ìàòåðèàëîâ ïðè íîðìàëüíîì àòìîñôåðíîì äàâëåíèè
(ïðîöåññû äèôôóçèè, îêèñëåíèÿ, îòæèãà, ñóøêè, ðàç-
ãîíêè äèôôóçàíòà, âîññòàíîâëåíèÿ êðèñòàëëè÷åñêèõ
ñòðóêòóð).
· Äèàïàçîí ðàáî÷èõ òåìïåðàòóð 300�1100°C.
♦ Îòæèã ÒÌ Òåðìè÷åñêàÿ îáðàáîòêà ïëàñòèí è
ìàòåðèàëîâ â âûñîêîì âàêóóìå è ãàçîâîé ñðåäå �
ïðîöåññû îòæèãà, ñóøêè, ðàçãîíêè äèôôóçàíòà, âîñ-
ñòàíîâëåíèÿ êðèñòàëëè÷åñêèõ ñòðóêòóð.
· Äèàïàçîí ðàáî÷èõ òåìïåðàòóð 150�650°C.
· Ïðåäåëüíîå îñòàòî÷íîå äàâëåíèå â ðåàêòîðå �
äî 10�4 Ïà.
· Ýëåêòðîïèòàíèå (3 ôàçû, 380 Â) � íå áîëåå
12 êÂò.
Ðèñ. 4. Êîìïëåêò ìàëîãàáàðèòíîãî ôèçèêî-òåðìè÷åñêîãî îáîðóäîâàíèÿ
Îêñèä ÒÌ Îòæèã ÒÌ Èçîòðîí ÒÌ Èçîïëàç ÒÌ
Ðèñ. 3. Ìèíè-êëàñòåðû èç äâóõ è òðåõ óñòàíîâîê
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2011, ¹ 3
43
ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
♦ Èçîòðîí ÒÌ Ïðîöåññû îñàæäåíèÿ ñëîåâ èç
ãàçîâîé ñðåäû ïðè ïîíèæåííîì äàâëåíèè (ôîðâàêóó-
ìå), â òîì ÷èñëå ñëîåâ ëåãèðîâàííîé è íåëåãèðîâàí-
íîé äâóîêèñè êðåìíèÿ.
· Äèàïàçîí ðàáî÷èõ òåìïåðàòóð 250�900°C.
· Ïðåäåëüíîå îñòàòî÷íîå äàâëåíèå â ðåàêòîðå �
íå áîëåå 1,3 Ïà.
· Ðàáî÷åå äàâëåíèå 10�150 Ïà.
· Òåõíîëîãè÷åñêèå ãàçû: ìîíîñèëàí, ôîñôèí, êèñ-
ëîðîä, àçîò è äðóãèå.
♦ Èçîïëàç ÒÌ Ïëàçìîõèìè÷åñêîå îñàæäåíèå äè-
ýëåêòðè÷åñêèõ íåëåãèðîâàííûõ è ëåãèðîâàííûõ ñëî-
åâ îêñèäà êðåìíèÿ è ñëîåâ íèòðèäà êðåìíèÿ ïðè ïîíè-
æåííîì äàâëåíèè ñ ïëàçìåííîé àêòèâàöèåé ðåàãåíòîâ.
· ×àñòîòà è ìîùíîñòü Â×-ãåíåðàòîðà � 440 êÃö; 1êÂò.
· Äèàïàçîí ðàáî÷èõ òåìïåðàòóð 250�650°C.
· Ïðåäåëüíîå îñòàòî÷íîå äàâëåíèå â òîðå �
íå áîëåå 1,3 Ïà.
· Ðàáî÷åå äàâëåíèå 5�150 Ïà.
· Òåõíîëîãè÷åñêèå ãàçû: ìîíîñèëàí, àììèàê, çà-
êèñü àçîòà, ôîñôèí, àäèáîðàí, êèñëîðîä, ôðåîí.
Îáùèå òåõíè÷åñêèå õàðàêòåðèñòèêè óñòàíîâîê:
· Äèàìåòð îáðàáàòûâàåìûõ ïëàñòèí � äî 100 ìì.
· Êîëè÷åñòâî îäíîâðåìåííî îáðàáàòûâàåìûõ ïëà-
ñòèí � 25 (äëÿ Îêñèä ÒÌ � äî 120).
· Îäíîðåàêòîðíàÿ ïå÷ü ðåçèñòèâíîãî íàãðåâà ãî-
ðèçîíòàëüíîãî òèïà.
· Êâàðöåâûé ðåàêòîð ñ ãåðìåòèçèðóåìîé ðàáî÷åé
çîíîé.
· Òðåõñåêöèîííûé ñïèðàëüíûé íàãðåâàòåëü ñ òåð-
ìîïàðîé â êàæäîé ñåêöèè.
· Ãàçîâàÿ ñèñòåìà (2�7 êàíàëîâ).
· Áåçìàñëÿíàÿ âàêóóìíàÿ ñèñòåìà îòêà÷êè.
· Ìèêðîïðîöåññîðíàÿ ñèñòåìà óïðàâëåíèÿ.
· Âîçìîæíîñòü ïîäêëþ÷åíèÿ àâòîíîìíîé ñèñòå-
ìû âîäÿíîãî îõëàæäåíèÿ.
· Âîçìîæíîñòü âñòðàèâàíèÿ â «÷èñòóþ» êîìíàòó.
Êîìïëåêò ìàëîãàáàðèòíîãî âàêóóìíîãî îáî-
ðóäîâàíèÿ íàñòîëüíîãî òèïà «ÌÂÓ ÒÌ» (ðèñ. 5)
ïðåäíàçíà÷åí äëÿ ìåëêîñåðèéíîãî ïðîèçâîäñòâà, òåõ-
íîëîãè÷åñêîãî îáó÷åíèÿ, íàó÷íûõ èññëåäîâàíèé, îò-
ðàáîòêè òåõíîëîãè÷åñêèõ ïðîöåññîâ.
Îòëè÷èòåëüíîé îñîáåííîñòüþ îáîðóäîâàíèÿ êîì-
ïëåêòà «ÌÂÓ ÒÌ» ÿâëÿåòñÿ íàñòîëüíîå ðàçìåùåíèå
ðàáî÷åé êàìåðû, à òàêæå ñèñòåì è óñòðîéñòâ, îáåñ-
ïå÷èâàþùèõ ôóíêöèîíèðîâàíèå óñòàíîâîê. Óñòàíîâ-
êè ìàëîýíåðãîåìêè, à çàíèìàåìàÿ èìè ïëîùàäü íå-
çíà÷èòåëüíà.
♦ ÌÂÓ ÒÌ-Ìàãíà Íàíåñåíèå ìåòàëëîâ è äèýëåê-
òðèêîâ ìåòîäîì ìàãíåòðîííîãî ðàñïûëåíèÿ.
♦ ÌÂÓ ÒÌ-ÒÈÑ Íàïûëåíèå ïëåíîê ìåòàëëîâ ìå-
òîäîì òåðìè÷åñêîãî èñïàðåíèÿ.
♦ ÌÂÓ ÒÌ-Èçîôàç CVD Ïëàçìîõèìè÷åñêîå ãà-
çîôàçíîå îñàæäåíèå ïëåíîê ñ äèîäíîé ñèñòåìîé.
♦ ÌÂÓ ÒÌ-Èçîôàç CVD ICP Ïëàçìîõèìè÷å-
ñêîå ãàçîôàçíîå îñàæäåíèå ïëåíîê ñ ICP èñòî÷íè-
êîì ïëàçìû.
♦ ÌÂÓ ÒÌ-Ïëàçìà ÐÈÒ Òðàâëåíèå ñëîåâ è ìà-
òåðèàëîâ ìåòîäîì ðåàêòèâíî-èîííîé îáðàáîòêè.
♦ ÌÂÓ ÒÌ-Ïëàçìà ÏÕÒ Ïëàçìîõèìè÷åñêîå òðàâ-
ëåíèå ñëîåâ è ìàòåðèàëîâ â ïëàçìå äèîäíîãî ðàçðÿäà.
♦ ÌÂÓ ÒÌ-Ïëàçìà ÏÕÒ ICP Ïëàçìåííîå òðàâëå-
íèå ñëîåâ è ìàòåðèàëîâ ñ ICP èñòî÷íèêîì ïëàçìû.
♦ ÌÂÓ ÒÌ-Îòæèã Òåðìè÷åñêèé îòæèã è ñóø-
êà ñëîåâ è ìàòåðèàëîâ.
Îñîáåííîñòè óñòàíîâîê ÌÂÓ ÒÌ-Ìàãíà, ÌÂÓ
ÒÌ-ÒÈÑ, ÌÂÓ ÒÌ-Îòæèã:
· Ïîñëåäîâàòåëüíàÿ èíäèâèäóàëüíàÿ îáðàáîòêà
ïîäëîæåê â îäíîì òåõíîëîãè÷åñêîì öèêëå:
� 2 øò. � ∅150 ìì;
� 4 øò. � ∅76 ìì, ∅100 ìì;
� 8 øò. � ∅60 ìì, 60×48 ìì.
· Ïëàíåòàðíûé ïîäëîæêîäåðæàòåëü ñ òðåìÿ ñòå-
ïåíÿìè âðàùåíèÿ.
· Ïîäãîòîâêà ïîâåðõíîñòè ïîäëîæåê � íàãðåâ è
èîííàÿ î÷èñòêà.
Îñîáåííîñòè óñòàíîâîê ÌÂÓ ÒÌ-Èçîôàç CVD,
ÌÂÓ ÒÌ-Èçîôàç CVD ICP:
· Èíäèâèäóàëüíàÿ îáðàáîòêà ïîäëîæåê äî
∅150 ìì (100×100 ìì).
· Íàãðåâàåìûé ïîäëîæêîäåðæàòåëü.
Îñîáåííîñòè óñòàíîâîê ÌÂÓ ÒÌ-Ïëàçìà ÐÈÒ,
ÌÂÓ ÒÌ-Ïëàçìà ÏÕÒ, ÌÂÓ ÒÌ-Ïëàçìà ÏÕÒ ICP:
· Èíäèâèäóàëüíàÿ îáðàáîòêà ïîäëîæåê äî ∅150 ìì
(100×100 ìì):
· Îõëàæäàåìûé ïîäëîæêîäåðæàòåëü.
Îáùèå îñîáåííîñòè óñòàíîâîê:
· Àâòîìàòèçèðîâàííîå óïðàâëåíèå îò ïåðñîíàëü-
íîãî êîìïüþòåðà.
· Ìàëîãàáàðèòíàÿ áåçìàñëÿíàÿ âàêóóìíàÿ ñèñòå-
ìà îòêà÷êè.
· Àâòîíîìíàÿ ñèñòåìà îõëàæäåíèÿ.
· Ïîòðåáëÿåìàÿ ìîùíîñòü îäíîé óñòàíîâêîé �
íå áîëåå 3 êÂò.
· Ïëîùàäü, çàíèìàåìàÿ îäíîé óñòàíîâêîé �
îêîëî 1,5 ì2.
Ðèñ. 5. Êîìïëåêò ìàëîãàáàðèòíîãî âàêóóìíîãî îáîðó-
äîâàíèÿ íàñòîëüíîãî òèïà «ÌÂÓ ÒÌ»
ÒÈÑÌàãíà
Èçîôàç CVD ICP,
Ïëàçìà ÏÕÒ ICP
Èçîôàç CVD,
Ïëàçìà ÏÕÒ
Ïëàçìà ÐÈÒ
Îòæèã
|