Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
Спроектированы и изготовлены устройства считывания для матриц ИК-фотодиодов формата 320x256 и 640x512. Рассмотрена архитектура построения и влияние геометрических размеров элементов схем считывания на выходные параметры устройства. Наведено результати досліджень спроектованих і виготовлених пристрої...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | Рева, В.П., Марчишин, И.В., Коринец, С.В., Сизов, Ф.Ф. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51833 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов / В.П. Рева, И.В. Марчишин, С.В. Коринец, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 25-28. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
von: Reva, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Reva, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Проектирование схемы считывания для матриц ИК-фотодиодов среднего диапазона длин волн
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)
3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)
ПЗС-фотоматрицы с электронным умножением
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2009)
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2009)
Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
von: Дементьев, С.Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Дементьев, С.Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Проектирование схемы считывания для матриц ИК-фотодиодов среднего диапазона длин волн
von: Reva, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Reva, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
von: Бутенко, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Бутенко, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Повышение зонной избирательности электромагнитных кристаллов
von: Назарько, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Назарько, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Оптический аттенюатор
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Особенности проектирования высокочастотных КМОП ИC для генераторов с кварцевой стабилизацией частоты
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
von: Reva, V. Р., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Reva, V. Р., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Ковальчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Ковальчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
von: Ленков, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Ленков, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
von: Блецкан, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Блецкан, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
von: Велещук, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Велещук, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Симметричный двухкоординатный фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Особенности проектирования внутренних цепей питания микромощных БИС на основе элементов инжекционной логики
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2012)
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)
Ähnliche Einträge
-
Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
von: Reva, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Проектирование схемы считывания для матриц ИК-фотодиодов среднего диапазона длин волн
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
ПЗС-фотоматрицы с электронным умножением
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)