Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
Спроектированы и изготовлены устройства считывания для матриц ИК-фотодиодов формата 320x256 и 640x512. Рассмотрена архитектура построения и влияние геометрических размеров элементов схем считывания на выходные параметры устройства. Наведено результати досліджень спроектованих і виготовлених пристрої...
Збережено в:
| Опубліковано в: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| ISSN: | 2225-5818 |
| Автори: | Рева, В.П., Марчишин, И.В., Коринец, С.В., Сизов, Ф.Ф. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51833 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов / В.П. Рева, И.В. Марчишин, С.В. Коринец, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 25-28. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
за авторством: Reva, V. P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Reva, V. P., та інші
Опубліковано: (2011)
Проектирование схемы считывания для матриц ИК-фотодиодов среднего диапазона длин волн
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2004)
3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
ПЗС-фотоматрицы с электронным умножением
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
за авторством: Кабаций, В.Н.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Кабаций, В.Н.
Опубліковано: (2009)
Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
за авторством: Дементьев, С.Г., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Дементьев, С.Г., та інші
Опубліковано: (2010)
Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2007)
Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2009)
Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Проектирование схемы считывания для матриц ИК-фотодиодов среднего диапазона длин волн
за авторством: Reva, V. P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Reva, V. P., та інші
Опубліковано: (2004)
Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2006)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
за авторством: Бутенко, В.К., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Бутенко, В.К., та інші
Опубліковано: (2007)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Повышение зонной избирательности электромагнитных кристаллов
за авторством: Назарько, А.И., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Назарько, А.И., та інші
Опубліковано: (2009)
Оптический аттенюатор
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Особенности проектирования высокочастотных КМОП ИC для генераторов с кварцевой стабилизацией частоты
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Солодуха, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Солодуха, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
за авторством: Ковальчук, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ковальчук, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Басанец, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Басанец, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
за авторством: Ленков, С.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ленков, С.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2007)
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
за авторством: Блецкан, Д.И., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Блецкан, Д.И., та інші
Опубліковано: (2014)
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2012)
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2011)
Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
за авторством: Велещук, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Велещук, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Симметричный двухкоординатный фотодиод
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2008)
Особенности проектирования внутренних цепей питания микромощных БИС на основе элементов инжекционной логики
за авторством: Белоус, А.И., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Белоус, А.И., та інші
Опубліковано: (2008)
Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2012)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Новицкий, С.В.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Новицкий, С.В.
Опубліковано: (2012)
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2011)
Схожі ресурси
-
Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
за авторством: Reva, V. P., та інші
Опубліковано: (2011) -
Проектирование схемы считывания для матриц ИК-фотодиодов среднего диапазона длин волн
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2004) -
3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005) -
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012) -
ПЗС-фотоматрицы с электронным умножением
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)