Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Рубцевич, И.И., Соловьев, Я.А., Высоцкий, В.Б., Дудкин, А.И., Ковальчук, Н.С.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Schlagworte: Материалы электроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51834
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку / И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, В.Б. Высоцкий, А.И. Дудкин, Н.С. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 29-32. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Исследованы режимы осаждения пленок нитрида и оксида кремния методам PECVD. Установлена связь между ключевыми параметрами процесса осаждения и скоростью осаждения, а также уровнем внутренних механических напряжений в пленках. Проведено дослідження залежності механічних напруг від режимів осадження плівок нітриду та оксиду кремнію, отриманих методом стимульованого плазмою хімічного осадження шарів з газової фази (PECDV). Встановлено зв'язок між ключовими параметрами осадження, такими як робочий тиск у камері, витрата робочих газів, швидкість осадження та рівень внутрішніх механічних напружень. The research has been carried out on dependence of mechanical stress on the modes of deposition of silicon nitride and oxide films obtained by plasma excited chemical vapour deposition of the layers from the gas phase (PECVD). The connection has been determined between the key parameters of the deposition, such as operating pressure in the chamber, working gas consumption, deposition rate and the level of internal mechanical stresses.