Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
Исследованы режимы осаждения пленок нитрида и оксида кремния методам PECVD. Установлена связь между ключевыми параметрами процесса осаждения и скоростью осаждения, а также уровнем внутренних механических напряжений в пленках. Проведено дослідження залежності механічних напруг від режимів осадження п...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51834 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку / И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, В.Б. Высоцкий, А.И. Дудкин, Н.С. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 29-32. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51834 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Рубцевич, И.И. Соловьев, Я.А. Высоцкий, В.Б. Дудкин, А.И. Ковальчук, Н.С. 2013-12-11T23:55:52Z 2013-12-11T23:55:52Z 2011 Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку / И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, В.Б. Высоцкий, А.И. Дудкин, Н.С. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 29-32. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51834 Исследованы режимы осаждения пленок нитрида и оксида кремния методам PECVD. Установлена связь между ключевыми параметрами процесса осаждения и скоростью осаждения, а также уровнем внутренних механических напряжений в пленках. Проведено дослідження залежності механічних напруг від режимів осадження плівок нітриду та оксиду кремнію, отриманих методом стимульованого плазмою хімічного осадження шарів з газової фази (PECDV). Встановлено зв'язок між ключовими параметрами осадження, такими як робочий тиск у камері, витрата робочих газів, швидкість осадження та рівень внутрішніх механічних напружень. The research has been carried out on dependence of mechanical stress on the modes of deposition of silicon nitride and oxide films obtained by plasma excited chemical vapour deposition of the layers from the gas phase (PECVD). The connection has been determined between the key parameters of the deposition, such as operating pressure in the chamber, working gas consumption, deposition rate and the level of internal mechanical stresses. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку Дослідження властивостей плівок нітриду та оксиду кремнію, отриманих методом плазмохімічного осадження на кремнієву підкладку Investigation of properties of nitride and silicon oxide films grown by plasma-chemical deposition on a silicon substrate Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку |
| spellingShingle |
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку Рубцевич, И.И. Соловьев, Я.А. Высоцкий, В.Б. Дудкин, А.И. Ковальчук, Н.С. Материалы электроники |
| title_short |
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку |
| title_full |
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку |
| title_fullStr |
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку |
| title_full_unstemmed |
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку |
| title_sort |
исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку |
| author |
Рубцевич, И.И. Соловьев, Я.А. Высоцкий, В.Б. Дудкин, А.И. Ковальчук, Н.С. |
| author_facet |
Рубцевич, И.И. Соловьев, Я.А. Высоцкий, В.Б. Дудкин, А.И. Ковальчук, Н.С. |
| topic |
Материалы электроники |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Дослідження властивостей плівок нітриду та оксиду кремнію, отриманих методом плазмохімічного осадження на кремнієву підкладку Investigation of properties of nitride and silicon oxide films grown by plasma-chemical deposition on a silicon substrate |
| description |
Исследованы режимы осаждения пленок нитрида и оксида кремния методам PECVD. Установлена связь между ключевыми параметрами процесса осаждения и скоростью осаждения, а также уровнем внутренних механических напряжений в пленках.
Проведено дослідження залежності механічних напруг від режимів осадження плівок нітриду та оксиду кремнію, отриманих методом стимульованого плазмою хімічного осадження шарів з газової фази (PECDV). Встановлено зв'язок між ключовими параметрами осадження, такими як робочий тиск у камері, витрата робочих газів, швидкість осадження та рівень внутрішніх механічних напружень.
The research has been carried out on dependence of mechanical stress on the modes of deposition of silicon nitride and oxide films obtained by plasma excited chemical vapour deposition of the layers from the gas phase (PECVD). The connection has been determined between the key parameters of the deposition, such as operating pressure in the chamber, working gas consumption, deposition rate and the level of internal mechanical stresses.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51834 |
| citation_txt |
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку / И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, В.Б. Высоцкий, А.И. Дудкин, Н.С. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 29-32. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT rubcevičii issledovaniesvoistvplenoknitridaioksidakremniâpolučennyhmetodomplazmohimičeskogoosaždeniânakremnievuûpodložku AT solovʹevâa issledovaniesvoistvplenoknitridaioksidakremniâpolučennyhmetodomplazmohimičeskogoosaždeniânakremnievuûpodložku AT vysockiivb issledovaniesvoistvplenoknitridaioksidakremniâpolučennyhmetodomplazmohimičeskogoosaždeniânakremnievuûpodložku AT dudkinai issledovaniesvoistvplenoknitridaioksidakremniâpolučennyhmetodomplazmohimičeskogoosaždeniânakremnievuûpodložku AT kovalʹčukns issledovaniesvoistvplenoknitridaioksidakremniâpolučennyhmetodomplazmohimičeskogoosaždeniânakremnievuûpodložku AT rubcevičii doslídžennâvlastivosteiplívoknítridutaoksidukremníûotrimanihmetodomplazmohímíčnogoosadžennânakremníêvupídkladku AT solovʹevâa doslídžennâvlastivosteiplívoknítridutaoksidukremníûotrimanihmetodomplazmohímíčnogoosadžennânakremníêvupídkladku AT vysockiivb doslídžennâvlastivosteiplívoknítridutaoksidukremníûotrimanihmetodomplazmohímíčnogoosadžennânakremníêvupídkladku AT dudkinai doslídžennâvlastivosteiplívoknítridutaoksidukremníûotrimanihmetodomplazmohímíčnogoosadžennânakremníêvupídkladku AT kovalʹčukns doslídžennâvlastivosteiplívoknítridutaoksidukremníûotrimanihmetodomplazmohímíčnogoosadžennânakremníêvupídkladku AT rubcevičii investigationofpropertiesofnitrideandsiliconoxidefilmsgrownbyplasmachemicaldepositiononasiliconsubstrate AT solovʹevâa investigationofpropertiesofnitrideandsiliconoxidefilmsgrownbyplasmachemicaldepositiononasiliconsubstrate AT vysockiivb investigationofpropertiesofnitrideandsiliconoxidefilmsgrownbyplasmachemicaldepositiononasiliconsubstrate AT dudkinai investigationofpropertiesofnitrideandsiliconoxidefilmsgrownbyplasmachemicaldepositiononasiliconsubstrate AT kovalʹčukns investigationofpropertiesofnitrideandsiliconoxidefilmsgrownbyplasmachemicaldepositiononasiliconsubstrate |
| first_indexed |
2025-12-07T20:52:26Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:52:26Z |
| _version_ |
1850884223361089536 |