Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь>
Выявлены морфологические особенности в кристаллах A₂VB₃VI<примесь>, связанные с формированием межслоев различной толщины, которые играют принципиальную роль в аномалиях электронных свойств кристаллов. На міжшаровій поверхні кристалів Bi₂Te₃<домішка> та Sb₂Te₃<домішка> у...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51835 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> / А.П. Алиева, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862697623963566080 |
|---|---|
| author | Алиева, А.П. Кахраманов, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. |
| author_facet | Алиева, А.П. Кахраманов, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. |
| citation_txt | Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> / А.П. Алиева, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Выявлены морфологические особенности в кристаллах A₂VB₃VI<примесь>, связанные с формированием межслоев различной толщины, которые играют принципиальную роль в аномалиях электронных свойств кристаллов.
На міжшаровій поверхні кристалів Bi₂Te₃<домішка> та Sb₂Te₃<домішка> у результаті самоорганізації формуються наноутворення наступних типів: пірамідальні включення, паралельні пластини та фрагменти, подібні фрактальної поверхні Кох. Виявлені морфологічні особливості в A₂VB₃VI<домішка>, пов'язані з формуванням міжшарів різної товщини, можуть зіграти принципову роль в аномаліях електронних властивостей.
On inter layer surfaces of crystals of Bi₂Te₃<impurity> and Sb₂Te₃<impurity> as a result of self-organisation are formed nano formations of following types: the pyramidal inclusions, parallel plates and the fragments similar Koch fractal surface. The revealed morphological features in A₂VB₃VI <impurity> crystals connected with formation of interlayers of various thickness can play a basic role in anomalies of electronic properties.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:30:40Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51835 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:30:40Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Алиева, А.П. Кахраманов, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. 2013-12-11T23:58:41Z 2013-12-11T23:58:41Z 2011 Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> / А.П. Алиева, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51835 Выявлены морфологические особенности в кристаллах A₂VB₃VI<примесь>, связанные с формированием межслоев различной толщины, которые играют принципиальную роль в аномалиях электронных свойств кристаллов. На міжшаровій поверхні кристалів Bi₂Te₃<домішка> та Sb₂Te₃<домішка> у результаті самоорганізації формуються наноутворення наступних типів: пірамідальні включення, паралельні пластини та фрагменти, подібні фрактальної поверхні Кох. Виявлені морфологічні особливості в A₂VB₃VI<домішка>, пов'язані з формуванням міжшарів різної товщини, можуть зіграти принципову роль в аномаліях електронних властивостей. On inter layer surfaces of crystals of Bi₂Te₃<impurity> and Sb₂Te₃<impurity> as a result of self-organisation are formed nano formations of following types: the pyramidal inclusions, parallel plates and the fragments similar Koch fractal surface. The revealed morphological features in A₂VB₃VI <impurity> crystals connected with formation of interlayers of various thickness can play a basic role in anomalies of electronic properties. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> Особливості морфології фрактальних нанооб'єктів в кристалах A₂VB₃VI<доміиіка> The morphology of fractal nano-objects in crystals of A₂VB₃VI<impurity> Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> Алиева, А.П. Кахраманов, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. Материалы электроники |
| title | Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> |
| title_alt | Особливості морфології фрактальних нанооб'єктів в кристалах A₂VB₃VI<доміиіка> The morphology of fractal nano-objects in crystals of A₂VB₃VI<impurity> |
| title_full | Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> |
| title_fullStr | Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> |
| title_full_unstemmed | Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> |
| title_short | Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> |
| title_sort | особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах a₂vb₃vi <примесь> |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51835 |
| work_keys_str_mv | AT alievaap osobennostimorfologiifraktalʹnyhnanoobʺektovvkristallaha2vb3viltprimesʹ AT kahramanovkš osobennostimorfologiifraktalʹnyhnanoobʺektovvkristallaha2vb3viltprimesʹ AT kahramanovsš osobennostimorfologiifraktalʹnyhnanoobʺektovvkristallaha2vb3viltprimesʹ AT alievaap osoblivostímorfologíífraktalʹnihnanoobêktívvkristalaha2vb3viltdomíiíka AT kahramanovkš osoblivostímorfologíífraktalʹnihnanoobêktívvkristalaha2vb3viltdomíiíka AT kahramanovsš osoblivostímorfologíífraktalʹnihnanoobêktívvkristalaha2vb3viltdomíiíka AT alievaap themorphologyoffractalnanoobjectsincrystalsofa2vb3viltimpurity AT kahramanovkš themorphologyoffractalnanoobjectsincrystalsofa2vb3viltimpurity AT kahramanovsš themorphologyoffractalnanoobjectsincrystalsofa2vb3viltimpurity |