Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь>

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Алиева, А.П., Кахраманов, К.Ш., Кахраманов, С.Ш.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Schlagworte: Материалы электроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51835
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> / А.П. Алиева, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Выявлены морфологические особенности в кристаллах A₂VB₃VI<примесь>, связанные с формированием межслоев различной толщины, которые играют принципиальную роль в аномалиях электронных свойств кристаллов. На міжшаровій поверхні кристалів Bi₂Te₃<домішка> та Sb₂Te₃<домішка> у...